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1.
2.
使用C2H2和CHF3的混合气体,在改变微波功率的条件下,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法制备了氟化非晶碳薄膜(aC∶F).薄膜的傅里叶变换红外光谱分析结果表明:薄膜中的CC与C—F键含量的比值随功率的增加而相应地增大;借助于紫外可见光谱分析发现,薄膜的光学带隙随功率的增大而减小.由此推断微波输入功率的提高有助于增强薄膜的交联结构.aC∶F薄膜的交流电导与x射线光电子能谱进一步证实了这种增强效应
关键词:
氟化非晶碳薄膜
傅里叶变换红外光谱
x射线光电子能谱 相似文献
3.
通过微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法使用CH4 CHF3源气体制备a C∶F∶H薄膜 .红外结果表明 ,a C∶F∶H薄膜随着流量比R =[CHF3] [CHF3] [CH4])的变化存在结构上的演变 ,R <6 4%时 ,薄膜主要是以类金刚石 (DLC)特征的结构为主 ;当R >6 4%时 ,薄膜表现为一个类聚四氟乙烯 (PTFE)的结构 ,结构单体主要为 CF2 .同时这种结构上的变化影响着薄膜的光学带隙 .在类DLC特征结构区 ,Eg 随着流量比的增加而下降 ,而在类PTFE区 ,Eg 则随着流量比的上升而上升 .a C∶F∶H薄膜在R >92 %时透射率接近 10 0 % 相似文献
4.
通过微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法使用CH4/CHF3源气体制备a-C∶F∶H薄膜.红外结果表明,a-C∶F∶H薄膜随着流量比R=[CHF3]/[CHF3]+[CH4])的变化存在结构上的演变,R<64%时,薄膜主要是以类金刚石(DLC)特征的结构为主;当R>64%时,薄膜表现为一个类聚四氟乙烯(PTFE)的结构,结构单体主要为CF2.同时这种结构上的变化影响着薄膜
关键词:
a-C∶F∶H薄膜
傅里叶变换红外光谱
紫外可见光谱 相似文献
5.
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以CF4和C6H6的混合气体作为气源,在微波电子回旋共振化学气相沉积(ECRCVD)装置中制备了氟化非晶碳薄膜(aC:F),并在N2气氛中作了退火处理以考察其热稳定性.通过傅里叶变换红外吸收谱和紫外可见光谱获得了薄膜中CC双键的相对含量和光学带隙,发现膜中CC键含量与光学带隙之间存在着密切的关联,在高微波功率下沉积的氟化非晶碳膜具有低的光学带隙和较好的热稳定性.
关键词:
氟化非晶碳膜
光学带隙
退火温度
热稳定性 相似文献
7.
研究了CHF3C6H6沉积的氟化非晶碳(αC∶F)薄膜的光学带隙.发现αC∶F薄膜光学带隙的大小取决于薄膜中C—F,CC的相对含量.这是由于CC形成的窄带隙π键和C—F形成的宽带隙σ键含量的相对变化,改变了带边态密度分布的结果.在微波功率为140—700W、沉积气压为01—10Pa、源气体CHF3∶C6H6流量比为1∶1—10∶1条件下沉积的αC∶F薄膜,光学带隙在176—398eV之间
关键词:
氟化非晶碳(αC∶F)薄膜
光学带隙
键结构 相似文献
8.
用紫外可见光透射光谱(UV-VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱(XPS)和红外谱(FTIR)分析,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备的氟化非晶碳薄膜的光吸收和光学带隙性质.在微波功率为140—700W、源气体CHF3∶C6H6比例为1∶1—10∶1条件下沉积的薄膜,光学带隙在1.76—2.85eV之间.薄膜中氟的引入对吸收边和光学带隙产生较大的影响,吸收边随氟含量的提高而增大,光学带隙则主要取决于CF键的含量,是由于强电负
关键词:
氟化非晶碳薄膜
光吸收与光学带隙
电子回旋共振等离子体 相似文献
9.
在苯(C6H6)和四氟化碳(CF4)混合气体中,用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术(ECRCVD)在不同功率下制备了氟化非晶碳膜(aC:F),为了检测膜的热稳定性对其进行了真空退火处理,测量了退火前后膜厚的变化率,并用傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)研究了其结构的变化.结果表明,膜厚变化率与沉积功率有关;400℃退火后低功率下沉积的膜的结构变化显著,高功率下沉积的膜则呈现了较好的热稳定性.
关键词:
ECR-CVD
aC:F薄膜
真空退火 相似文献
10.
11.
以CF4,CH4和N2为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,在不同功率下制备了含氮氟化类金刚石膜.用俄歇电子能谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱和傅里叶变换红外光谱对薄膜的电子结构和化学键进行了表征,并结合高斯分峰拟合方法分析了薄膜中sp2,sp3结构比率.结果表明,制备的薄膜属于类金刚石结构,不同沉积功率下,薄膜内的sp2/sp3值在2.0—9.0之间,随着沉积功率的增加薄膜内sp2的相对含量增加.膜内主要有C—Fx(x=1,2),C—C,CC和CN等化学键.沉积功率增加,C—C基团增加,膜内F的浓度降低,C—F基团减少,薄膜的关联加强,稳定性提高. 相似文献
12.
使用三氟甲烷和苯的混合气体,利用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备了F/C比在0.11—0.62之间的α-C∶F薄膜.研究了微波功率对薄膜沉积和结构的影响,发现微波功率的升高提高了薄膜的沉积速率,降低了薄膜的F/C比,也降低了薄膜中CF和CF3基团的密度,而使CF2基团的密度保持不变.在高微波功率下可以获得主要由CF2基团和C=C结构组成的α-C∶F薄膜.薄膜的介电频率关系(1×103—1×106Hz)和损耗频率关系(1×102—1×105Hz)均呈指数规律减小,是缺陷中心间简单隧穿引起的跳跃导电所致.α-C∶F薄膜的介电极化主要来源于电子极化
关键词:
氟化非晶碳薄膜
ECR等离子体沉积
键结构
介电性质 相似文献
13.
以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR_CVD)方法制备了具有低介电常数,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜. 通过对富氏变换红外光谱(FTIR)的分析,比较了反应源和薄膜键结构的差异,证实薄膜中一方面保持了源中由Si—O—Si键构成的环结构,另一方面形成了由大键角Si—O—Si键构成的鼠笼式结构,在沉积过程中失去的主要是侧链的—CH3基团. 薄膜经过400℃热处理后,其介电常数由385降低到285,对其FTIR谱的分析指出,薄膜中鼠笼式结构比例的增加可能是薄膜介电常数降低的原因.
关键词:
低介电常数
SiCOH薄膜
化学键结构 相似文献
14.
15.
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明,在SiH4浓度较大时制备的薄膜,其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解,等离子体高度电离.
关键词:
微波电子回旋共振化学气相沉积
氢化微晶硅薄膜
拉曼散射
X射线衍射 相似文献
16.
对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅(μc_Si∶H)薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明:μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O,O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示:沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响;而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅(a_Si:H)薄膜.
关键词:
氢化微晶硅薄膜
甚高频等离子体增强化学气相沉积
氧污染 相似文献
17.
利用电子回旋共振(ECR)微波等离子体辅助化学气相沉积技术、工作气氛为丙酮,在光学玻璃衬底上得到了光滑、致密、均匀的类金刚石薄膜.在工艺研究中,对等离子体中氧的存在及其作用进行了分析.原子力显微镜分析表明,薄膜的表面粗糙度小于10nm,晶粒 尺寸约为100nm.拉曼光谱和中红吸收谱研究发现,薄膜具有强烈的荧光效应,含有sp1,sp2,sp3杂化C—C,sp3杂化CH3,羰基CO、含氧多元 环以及—COOH基等.利用纳米力学探针以 及近红区红外透射谱分析了薄膜的力学及光学性能,结果表明,薄膜的显微硬度接近4
关键词:
类金刚石薄膜
ECR微波等离子体
丙酮气氛
红外光谱 相似文献
18.
以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-C VD)方法制备了k = 2.45,485℃下的热稳定性优良的SiCOH低介电常数薄膜.通过薄膜结构的 FTIR谱分析,比较了十甲基环五硅氧烷(D5)液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差 异,发现在沉积过程中甲烷含量的增大,一方面有利于D5源环结构的保留,另一方面有利于 薄膜中形成高密度的CHn基团.高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密度, 结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率Si—C键以及—OH键减少的共同作用,导致薄膜介电 常数的降低.
关键词:
低介电常数
SiCOH薄膜
碳氢掺杂 相似文献
19.
以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.45,485℃下的热稳定性优良的SiCOH低介电常数薄膜.通过薄膜结构的FTIR谱分析,比较了十甲基环五硅氧烷(D5)液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差异,发现在沉积过程中甲烷含量的增大,一方面有利于D5源环结构的保留,另一方面有利于薄膜中形成高密度的CHn基团.高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密度,结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率Si-C键以及-OH键减少的共同作用,导致薄膜介电常数的降低. 相似文献