什么是Bio-X?

最近,在科学辞汇中出现了一个新的名词———Ｂｉｏ-Ｘ,它是由美籍华裔物理学家、1998年诺贝尔物理学奖得主朱棣文发起,在斯坦福大学建立的一个新的研究中心,称为“生物爱克斯(Ｂｉｏ-Ｘ)中心”.据称将投资15亿美元,包括建造约18万平方米的新大楼.Ｂｉｏ-Ｘ中心由该校文理...     

稀土金属间化合物CeSn_3和CeIn_3的能带理论

本文报道了CeSn, 和Celn_3 的能带计算结果. 对其f 电子的行为, 以及f 电子与非f 原子的s, p , d 电子之间的杂化进行了讨论. 分析了费密能级附近的态密度分布及能带结构. 关键词：     

LSDA+U方法对富勒烯内掺稀土原子的结构和电子结构的理论研究

在密度泛函理论框架下的局域密度近似方法 (LDA)能够准确地给出广延态电子体系的基态电子结构 ,是研究复杂体系的电子结构的一种非常成功的方法。由于这种方法不含参数 ,被广泛地用于微观体系的研究。但是 ,在处理的体系中含有局域电子时 ,由于方法的局限 ,给出的结果与光电子谱等试验结果符合得并不好。LSDA U方法是在局域自旋密度近似的框架下 ,结合模型哈密顿方法 ,对局域电子采用哈伯德模型描述 ,用以改进局域密度近似计算的一种方法。本文利用局域密度近似下的离散变分团簇方法 (DVM )对于内嵌稀土原子的富勒烯Er2 @C82 、Tm @C82 的电子结构进行了第一性原理的计算。对于体系中所含的稀土原子存在强关联的 4f电子 ,在LDA方法计算的基础上 ,考虑 4f电子在位库仑作用 ,用LSDA U方法研究了上述体系 ,得到了可以和XPS和吸收谱相比较的结果。     

C60晶体中分子取向性的研究

本文用集团模型计算C₆₀晶体的结合能,考察晶体原胞中四个不等价分子之间的相对取向变化时晶体结合能的相应变化。认为低温下C₆₀晶体的有序化结构在能量上是不简并的,存在一个使能量最低的分子相对取向。 关键词：     

稀土元素在硅表面的化学吸附

本文对几种稀土元素(铈、钐、镱)在硅表面的化学吸附进行了理论计算。用定域密度泛函-离散变分方法(LDF-DVM)对顶位和三度开位两种集团模型进行了自洽计算,包括总结合能的计算,给出了吸附位能曲线,从而确定出最佳吸附构型和位置。讨论了电荷转移情况、吸附能的大小等,与一些实验结果进行了比较。并给出了三种元素在硅表面稳定吸附时的态密度图,分析讨论了其电子结构的差异和特点。 关键词：     

用总能量密度泛函集团方法研究I/Si(111)及I/Ge(111)表面吸附

本文中用自洽总能量密度泛函集团方法研究了Ⅶ族的Ⅰ在Si(111)和Ge(111)表面的吸附。分别采用了两种集团模型来模拟顶位和三度位构型,用总能量极小原理确定了吸附的最佳构型和吸附能量,得到顶位比三度位吸附更为稳定的结果,与SEXAFS实验结果一致。本文还计算了Ⅶ族元素F,Cl,Br,I在Si(111)顶位吸附的状态密度,讨论了这系列DOS的变化情况,并与实验或其他理论结果进行了比较,最后还讨论了半经验EHT方法的适用性及限制。 关键词：     

GaAs(110)面的电子结构

本文研究GaAs(110)面旋转弛豫的电子结构,采用一个原子集团来模拟GaAs(110)面,在其内边界上用一些“类Ga”和“类As”原子来钝化伸向体内的悬挂键,以消除由于有限模型而引起的多余边界效应。用EHT方法计算集团的总能量,由能量极小定出GaAs(110)面最稳定的弛豫位置为表面旋转角ω=18°,表面Ga原子向体内下降0.33?,As原子上升0.13?,这与Pandey等人从光电子部分产额谱所得的结果基本一致。本文还计算了理想和弛豫的GaAs(110)面的态密度,发现对于理想的(110)面禁带中确实存在一个空的表面峰。弛豫后,该峰向上移动进入导带,禁带中不再出现表面峰,与实验结果相符。 关键词：     

Cl在GaAs(110)面上的吸附

本文主要研究Cl是吸附在GaAs(110)理想表面还是弛豫表面,是与表面正离子成键还是与表面负离子成键。计算采用集团模型和密度自洽的EHT方法。结果表明Cl只能吸附在弛豫的GaAs(110)面上,与表面As原子成键。在这个位置上吸附Cl的态密度与实验符合较好。 关键词：     

LSDA＋U方法对富勒烯内掺稀土原子结构和电子结构的理论研究

在密度泛函理论框架下的局域密度近似方法（ＬＤＡ）能够准确地给出广延态电子体系的基态电子结构,是研究复杂体系的电子结构的一种非常成功的方法。由于这种方法不含参数,被广泛地用于微观体系的研究。但是,在处理的体系中含有局域电子时,由于方法的局限,给出的结果与光电子谱等试验结果符合得并不好。ＬＳＤＡ＋Ｕ方法是局域自旋密度近似的框架下,结合模型哈密顿方法,对局域电子采用哈伯德模型描述,用以改进局域密度近似计算的一种方法。本利用局域密度近似下的离散变分团簇方法（ＤＶＭ）对于内嵌稀土原子的富勒烯Ｅｒ２Ｃ８２、ＴｍＣ８２的电子结构进行了第一性原理的计算。对于体系中所含的稀土原子存在强关联的４ｆ电子,在ＬＤＡ方法计算的基础上,考虑４ｆ电子在位库仑作用,用ＬＳＤＡ＋Ｕ方法了上述体系,得到了可以和ＸＰＳ和吸收谱相比较的结果。