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两步法制备多孔硅及其表征II:脉冲电流法 总被引:1,自引:1,他引:0
采用脉冲阳极/阴极电流和化学氧化两步法分别在1:1的氢氟酸和乙醇溶液中及20%硝酸溶液中制备出孔径约为0.5-3μm,厚度大约为10-20μm的多孔硅样品,将获得的多孔硅结构再进一步用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪进行表面形貌和光学性质的考察,与恒电流-化学氧化两步法制得的多孔硅相比,用脉冲电流法得到的多孔硅的孔径范围较大,且多孔层较厚,制备时加紫外光照显著提高了多孔硅的,并发生“蓝移”现象,用脉冲电流法制得的多孔硅在老化后(在干燥器放置一年)同样观察到光致发光明显增强。 相似文献
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用表面增强拉曼光谱技术研究了HClO4介质中硫脲,一甲基硫脲和烯丙基硫脲在银电极表面的共吸附行为。首次报道了它们的混合物在银电极表面上竞争共吸附随电极电位变化的行以及在所研究的共吸附体系中作为支持电解的弱吸附ClO^-4离子被诱导物理共吸附的现象。 相似文献
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本工作通过采用电化学极 -化学氧化两步法在 1:1氢氟酸和乙醇溶液中制备出孔径约为 1~ 2 μm ,厚度大经为 6~ 10 μm的多孔硅样品 .首先将 0 .0 3A/cm2 的恒电流施加到p( 10 0 )硅片一段时间 ,然后将该硅片浸到 2 0 %的硝酸溶液中氧化一段时间 .通过此方法获得的多孔硅结构再进一步用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪进行表面形貌和光学性质的考察 .所有制备出的多孔硅结构均有光致发光现象 .老化的多孔硅样品 (在干燥器放置一年 )的光致发光谱峰强度明显增强 ,但分别经过苯乙烯和十六碳烯 ( 1)两种有机溶剂处理 1h后的老化多孔硅样品的光致发光强度却没有显著改变 . 相似文献
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通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化,本文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的现场研究,文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响,并实时考察了硅氢表面在开路电位下的氧化过程,实验结果表明,在以HF为主的湿法刻蚀中,硅表面的悬挂键主要被H而不是被F取代。 相似文献
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多孔硅纳向分辨拉曼及光致发光研究 总被引:2,自引:0,他引:2
运用高灵敏度的共焦显微拉曼系统研究了多孔硅在纵的拉曼效应和光致发光的性质。研究结果表明多孔硅在形成的初期和后的反应机制不相同。反应初期,外表面的颗粒尺寸比内同大,而经过长时间刻蚀而获得得的多孔硅,其相表面颗粒尺寸比 小。我们认为反应的初期主要表面不均匀电场的影响,而随着表面多孔层的增厚和颗粒的细化,刻蚀反应逐渐变成受传质过程和量子尺寸约束的控制。 相似文献