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1.
利用脉冲激光制膜法,在多种衬底和温度条件下,系统研究了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜的结构和外延生长特性,在LaAlO3,SrTiO3和MgO衬底上实现了LSCO薄膜的外延生长.外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征.研究表明,外延生长的最佳温度范围为700—800℃,最佳衬底为LaAlO3.并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对LSCO薄膜的生长与性
关键词: 相似文献
2.
采用脉冲激光沉积技术制备了SrTiO3和SrNb0.2Ti0.8O3薄膜.X射线衍射分析表明在LaAlO3(100)单晶平衬底上生长的SrTiO3及SrNb0.2Ti0.8O3薄膜是沿[001]取向的近外延生长.随着氧压在一定范围内逐渐增大,SrTiO3薄膜的晶格参数减小,而SrNb0.2Ti0.8O3薄膜的晶格参数先减小后增大.同时摸索出制备具有二维电子气超晶格(SrTiO3/SrNb0.2Ti0.8O3)L的最佳氧压为1.0×10-2Pa.另外在LaAlO3(100)倾斜衬底上制备的SrNb0.2Ti0.8O3薄膜中观察到激光感生热电电压效应.
关键词:
0.2Ti0.8O3薄膜')" href="#">SrNb0.2Ti0.8O3薄膜
晶格参数
激光感生热电电压
脉冲激光沉积 相似文献
3.
采用多种X射线衍射技术和磁电阻测量技术研究了不同厚度的La0.8Ca0.2MnO3/SrTiO3 (LCMO/STO)薄膜的应变状态及其对磁电阻性能的影响.结果表明,在STO(001)单晶衬底上生长的LCMO薄膜沿[00l]取向生长.LCMO薄膜具有伪立方钙钛矿结构,随着薄膜厚度的增加,面内晶格参数增加,垂直于面内的晶格参数减小,晶格参数a和b相近,略小于c.LC
关键词:
X射线衍射
微结构
应变
物理性能 相似文献
4.
5.
采用反应磁控溅射方法,在(0001)蓝宝石单晶衬底上,制备了纳米多晶Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜物相、结构、粗糙度、表面形貌等生长特性进行了表征,利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜不同温度下的电学性能;实验结果表明,GDC薄膜为面心立方结构,在所研究的衬底温度范围内,均呈强(111)织构生长;薄膜表面形貌随衬底温度发生阶段性变化:衬底温度由室温升高到300℃时,
关键词:
2O3掺杂CeO2电解质薄膜')" href="#">Gd2O3掺杂CeO2电解质薄膜
反应磁控溅射
生长特性
电学性能 相似文献
6.
利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织
关键词:
2Cu3O7-x镀膜导体')" href="#">YBa2Cu3O7-x镀膜导体
2缓冲层')" href="#">CeO2缓冲层
厚度依赖性
外延生长 相似文献
7.
钙钛矿半导体具有光吸收系数高、载流子扩散长度大和荧光量子效率高等优异物理特性,已在光电探测器、太阳能电池等领域展现出重要的应用潜力.但卤化铅钙钛矿的环境毒性和稳定性大大限制了该类器件的应用范围.因此,寻找低毒、稳定的非铅钙钛矿半导体尤为重要.利用锡元素替代铅元素并生长高质量的锡基钙钛矿薄膜是实现其光电器件应用的可行方案.本文采用脉冲激光沉积方法,在N型单晶硅(100)衬底上外延生长了一层(100)取向的CsSnBr3钙钛矿薄膜.霍尔效应及电学测试结果表明,基于CsSnBr3/Si半导体异质结在暗态下具有明显的异质PN结电流整流特征,在光照下具有显著的光响应行为,并具有可自驱动、高开关比(104)以及毫秒量级响应/恢复时间等优良光电探测器件性能.本文研究结果表明利用脉冲激光沉积方法在制备新型钙钛矿薄膜异质结、实现快速灵敏的光电探测方面具有重要应用前景. 相似文献
8.
用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)衬底上外延生长了高质量的BaTiO3< /sub>薄膜,薄膜的生长过程由反射式高能电子衍射仪(RHEED)原位实时监测,表明薄膜具有 二维层状生长模式.薄膜的晶体结构和表面形貌分别由X射线衍射和原子力显微镜表征,显示 该薄膜为完全c轴取向四方相晶体结构,其表面具有原子尺度光滑性.采用角分辨X射线光电 子谱技术(ARXPS),研究了BaTiO3薄膜表面最顶层原子种类和排列状况.结果表 明,BaTiO3
关键词:
激光分子束外延
3薄膜')" href="#">氧化物BaTiO3薄膜
最顶层表面
角分辨X射线光电子谱 相似文献
9.
GaAs/Ge的MOCVD生长研究 总被引:3,自引:3,他引:0
用常压MOCVD在Ge衬底上外延生长了GaAs单晶层,研究了GaAs和6e的极性与非极性材料异质外延生长,获得了质量优良的GaAs/Ge外延片,GaAs外延层X射线双晶衍射回摆曲线半高宽达16弧秒.10K下PL谱半峰宽为7meV.讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和GaAs-Ge界面的Ga、Ge原子互扩散问题. 相似文献
10.
LI Zhan-guo LIU Guo-jun LI Mei YOU Ming-hui 熊敏 LI Lin ZHANG Bao-shun WANG Xiao-hua WANG Yong 《发光学报》2007,28(4):546-550
InSb是制作3~5μm红外探测器的重要材料。在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响。通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响。利用高能电子衍射仪(RHHEED)得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响。采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量。通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172″,77 K下迁移率为64300 cm2·V-1·s-1的InSb外延层。 相似文献
11.
铝-铜-镓三元系合金相图的室温截面已经用X射线方法测定出来了。室温固相截面包含11个单相(即α, γ2, γ′, δ, ζ1, ζ2, η2, θ, θ′,α铝和镓)相区,14个双相(即α + ζ1, α+ γ2, α + γ′, γ2 + γ′, γ′+ ζ1, γ2+δ, γ′+δ,δ +ζ2, ζ2+η2, η2+θ,η2+ θ′, γ′ + θ′, θ′+ 镓和θ+α铝)相区和9个三相(即α + γ′+ζ1, α+ γ2+ γ′, γ2+ γ′ + δ,γ′ + δ + θ′, δ+ζ2+θ′, ζ2 + η2 + θ′, η2+ θ′ + 镓, η2 +θ + 镓和θ +镓+ α铝)相区。所有单相和三个二元系内室温存在的单相相同,没有新相出现。
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根据压电换能器的Mason等效电路,就36°у切LN/PM声光器件和x切LN/TeO2声光器件以及各种镀层材料和厚度计算了换能器损耗TL随规一化频率f/f0的变化关系,由此可确定各镀层的厚度和器件的换能器带宽,还给出器件的电输入阻抗zi在阻抗圆图上随f/f0变化的轨迹,它可作为器件性能测试的理论依据。
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