La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其机理研究

利用脉冲激光制膜法,在多种衬底和温度条件下,系统研究了La_0.5Sr_0.5CoO₃(LSCO)薄膜的结构和外延生长特性,在LaAlO₃,SrTiO₃和MgO衬底上实现了LSCO薄膜的外延生长.外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征.研究表明,外延生长的最佳温度范围为700—800℃,最佳衬底为LaAlO₃.并着重探讨了衬底材料和淀积温度等多种因素对LSCO薄膜的生长与性 关键词：     

氧压对SrTiO3和SrNb0.2Ti0.8O3薄膜晶格参数的影响及激光感生热电电压效应

采用脉冲激光沉积技术制备了SrTiO₃和SrNb_0.2Ti_0.8O₃薄膜.X射线衍射分析表明在LaAlO₃(100)单晶平衬底上生长的SrTiO₃及SrNb_0.2Ti_0.8O₃薄膜是沿［001］取向的近外延生长.随着氧压在一定范围内逐渐增大,SrTiO₃薄膜的晶格参数减小,而SrNb_0.2Ti_0.8O₃薄膜的晶格参数先减小后增大.同时摸索出制备具有二维电子气超晶格(SrTiO₃/SrNb_0.2Ti_0.8O₃)_L的最佳氧压为1.0×10^-2Pa.另外在LaAlO₃(100)倾斜衬底上制备的SrNb_0.2Ti_0.8O₃薄膜中观察到激光感生热电电压效应. 关键词： 0.2Ti_0.8O₃薄膜')" href="#">SrNb_0.2Ti_0.8O₃薄膜 晶格参数 激光感生热电电压 脉冲激光沉积     

La0.8Ca0.2MnO3/SrTiO3薄膜厚度对其结构及磁学性能的影响

采用多种X射线衍射技术和磁电阻测量技术研究了不同厚度的La_0.8Ca_0.2MnO₃/SrTiO₃ (LCMO/STO)薄膜的应变状态及其对磁电阻性能的影响.结果表明，在STO(001)单晶衬底上生长的LCMO薄膜沿［00l］取向生长.LCMO薄膜具有伪立方钙钛矿结构，随着薄膜厚度的增加，面内晶格参数增加，垂直于面内的晶格参数减小,晶格参数a和b相近，略小于c.LC 关键词： X射线衍射 微结构 应变 物理性能     

Pb(Zr0.3Ti0.7)O3铁电薄膜激光感生电压效应

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在LaSrAlTaO₃(LSATO),LaAlO₃(LAO)和SrTiO₃(STO)的单晶倾斜衬底上成功制备了Pb(Zr_0.3Ti_0.7)O₃(PZT)薄膜,在三种倾斜衬底上生长的PZT薄膜中都首次发现了LIV效应.对PZT/LSATO薄膜在a,c轴两种不同取向择优生长下的LIV效应做了研究,发现在薄膜c轴取向择优生长 关键词： 激光感生电压效应 铁电薄膜 薄膜生长取向 原子层热电堆     

蓝宝石衬底上Gd2O3掺杂CeO2氧离子导体电解质薄膜的生长及电学性能

采用反应磁控溅射方法,在(0001)蓝宝石单晶衬底上,制备了纳米多晶Gd₂O₃掺杂CeO₂(GDC)氧离子导体电解质薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜物相、结构、粗糙度、表面形貌等生长特性进行了表征,利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜不同温度下的电学性能;实验结果表明,GDC薄膜为面心立方结构,在所研究的衬底温度范围内,均呈强(111)织构生长;薄膜表面形貌随衬底温度发生阶段性变化：衬底温度由室温升高到300℃时, 关键词： 2O₃掺杂CeO₂电解质薄膜')" href="#">Gd₂O₃掺杂CeO₂电解质薄膜 反应磁控溅射 生长特性 电学性能     

YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性

利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa₂Cu₃O_7-x薄膜的外延生长.在外延YBa₂Cu₃O_7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO₂作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织 关键词： 2Cu₃O_7-x镀膜导体')" href="#">YBa₂Cu₃O_7-x镀膜导体 2缓冲层')" href="#">CeO₂缓冲层 厚度依赖性 外延生长     

利用脉冲激光沉积外延制备CsSnBr3/Si异质结高性能光电探测器

钙钛矿半导体具有光吸收系数高、载流子扩散长度大和荧光量子效率高等优异物理特性,已在光电探测器、太阳能电池等领域展现出重要的应用潜力.但卤化铅钙钛矿的环境毒性和稳定性大大限制了该类器件的应用范围.因此,寻找低毒、稳定的非铅钙钛矿半导体尤为重要.利用锡元素替代铅元素并生长高质量的锡基钙钛矿薄膜是实现其光电器件应用的可行方案.本文采用脉冲激光沉积方法,在N型单晶硅(100)衬底上外延生长了一层(100)取向的CsSnBr₃钙钛矿薄膜.霍尔效应及电学测试结果表明,基于CsSnBr₃/Si半导体异质结在暗态下具有明显的异质PN结电流整流特征,在光照下具有显著的光响应行为,并具有可自驱动、高开关比(10⁴)以及毫秒量级响应/恢复时间等优良光电探测器件性能.本文研究结果表明利用脉冲激光沉积方法在制备新型钙钛矿薄膜异质结、实现快速灵敏的光电探测方面具有重要应用前景.     

激光分子束外延BaTiO3薄膜最顶层表面原子平面与薄膜生长机理

用激光分子束外延技术在SrTiO₃(001)衬底上外延生长了高质量的BaTiO_{3< /sub>薄膜,薄膜的生长过程由反射式高能电子衍射仪(RHEED)原位实时监测,表明薄膜具有 二维层状生长模式.薄膜的晶体结构和表面形貌分别由X射线衍射和原子力显微镜表征,显示 该薄膜为完全c轴取向四方相晶体结构,其表面具有原子尺度光滑性.采用角分辨X射线光电 子谱技术(ARXPS),研究了BaTiO3薄膜表面最顶层原子种类和排列状况.结果表 明,BaTiO3 关键词： 激光分子束外延 3薄膜')" href="#">氧化物BaTiO3薄膜 最顶层表面 角分辨X射线光电子谱}     

GaAs/Ge的MOCVD生长研究

用常压MOCVD在Ge衬底上外延生长了GaAs单晶层,研究了GaAs和6e的极性与非极性材料异质外延生长,获得了质量优良的GaAs/Ge外延片,GaAs外延层X射线双晶衍射回摆曲线半高宽达16弧秒.10K下PL谱半峰宽为7meV.讨论了极性与非极性外延的界面反相畴问题和GaAs-Ge界面的Ga、Ge原子互扩散问题.     

缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响

InSb是制作3~5μm红外探测器的重要材料。在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响。通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响。利用高能电子衍射仪(RHHEED)得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响。采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量。通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172″,77 K下迁移率为64300 cm²·V^-1·s^-1的InSb外延层。     

铝-铜-镓三元系合金相图

铝-铜-镓三元系合金相图的室温截面已经用X射线方法测定出来了。室温固相截面包含11个单相(即α, γ₂, γ′, δ, ζ₁, ζ₂, η₂, θ, θ′,α_铝和镓)相区,14个双相(即α + ζ₁, α+ γ₂, α + γ′, γ₂ + γ′, γ′+ ζ₁, γ₂+δ, γ′+δ,δ +ζ₂, ζ₂+η₂, η₂+θ,η₂+ θ′, γ′ + θ′, θ′+ 镓和θ+α_铝)相区和9个三相(即α + γ′+ζ₁, α+ γ₂+ γ′, γ₂+ γ′ + δ,γ′ + δ + θ′, δ+ζ₂+θ′, ζ₂ + η₂ + θ′, η₂+ θ′ + 镓, η₂ +θ + 镓和θ +镓+ α_铝)相区。所有单相和三个二元系内室温存在的单相相同,没有新相出现。 关键词：     

铜-锗-锡三元系合金相图

本文用X射线衍射法测定了铜-锗-锡三元系合金相图。室温等温截面包含α,ζ,δ,ε₁,ε,η′,Ge,Sn八个单相区,十三个双相(即α+ζ,α+δ,ζ+δ,ζ+ε₁,ε₁+δ,ε₁+ε,δ+ε,ε₁+Ge,ε₁+η′,ε+η′,η′+Ge,η′+Sn,Ge+Sn相区,以及六个三相(即α+ζ+δ,ζ+ε₁+δ,ε₁+δ+ε,ε₁+ε+η′,ε₁+η′+Ge,η′+Ge+Sn)相区。所有单相与三个二元系中的单相一致,没有新相出现。     

钆-铟二元系合金相图

用差热分析法、X射线衍射法和金相显微镜观察法研究了Gd-In二元系合金相图,实验证实了有六个中间相:Gd₃In,Gd₂In,Gd₅In₃,Gdln,Gd₂In₃和Gdln₃,有五个共晶转变,分别与～12at％In(共晶温度988℃),～30.5at％In(1151℃),～38.5at％In(1114℃),～64.5at％In(1010℃)以及100at％ 关键词：     

铝-镉-铜三元系富铜合金相图

铝-镉-铜三元系富铜合金相图的室温固相截面已用X-射线方法测定。合金含量最高达30％(重量)铝及30％镉。室温相截面由五个单相区α,γ₂,δ,ζ₂,η₂;十个两相区α+β,α+γ₂,β+γ₂,γ₂+δ,β+δ,δ+ζ₂,ζ₂+η,η₂+δ,η₂+β,η₂+θ及四个三相区α+β+γ₂,β+γ₂+δ,β+δ+η₂,δ+ζ₂+η₂所构成。没有发现新相。     

钇-镱柘榴石型铁氧体系统的磁性的研究

本文对钇-镱(Y-Yb)柘榴石型铁氧体系统Y_3-xYb_xFe₃O₁₂ (其中x=0,0.75,1.50,2.25和3.00)的磁性进行了研究。采用共同沉淀和氧气中烧结的方法制备样品,进行了X射线粉末照相的观测,测量了静态磁滞迴线,起始磁导率(500千赫),电阻率,鲍和磁化强度,居里点及分米波段磁谱。实验结果表明:整个系统都是单相的柘榴石型结构,所有样品都具有实际密度大(>90％理论密度)、电阻率高(10⁹—10¹⁰欧姆·厘米)的特点。     

Nd-Ni二元系合金相图

本文用X射线衍射和差热分析方法测定了Nd-Ni二元系合金相图。在此二元系中观察到如下八个金属间化合物:Nd₃Ni(熔点为590℃),Nd₇Ni₃(熔点为616℃),NdNi(熔点为780℃),NdNi₂(940℃分解),NdNi₃(1030℃分解),Nd₂Ni,(1234℃分解),NdNi₅(熔点为1420℃)和Nd₂Ni _关键词：     

声光器件的换能器带宽和镀层厚度的确定

根据压电换能器的Mason等效电路,就36°у切LN/PM声光器件和x切LN/TeO₂声光器件以及各种镀层材料和厚度计算了换能器损耗TL随规一化频率f/f₀的变化关系,由此可确定各镀层的厚度和器件的换能器带宽,还给出器件的电输入阻抗z_i在阻抗圆图上随f/f₀变化的轨迹,它可作为器件性能测试的理论依据。 关键词：     

Al-Cr-Cu三元合金系相图的室温截面

本文用X射线粉末衍射法研究了Al-Cr-Cu三元合金系相图的室温截面。截面中出现了五个新相,称为ω₁,ω₂,ε_f,ε_x和γ_x,即共有19个单相区,41个双相区以及22个三相区。γ_x相属正交晶系,它可能是一个固定成分的化合物。 关键词：     

Gd-Ni二元系合金相图

本文用X射线衍射及差热分析方法测定了Gd-Ni二元系合金相图。在这个二元系中,观察到如下9个金属间化合物:Gd₃Ni(735℃包晶分解),Gd₃Ni₂。(690℃包晶分解),GdNi(1280℃同成分熔化),GdNi₂(1010℃包晶分解),GdNi₃(1110℃包晶分解),Gd₂Ni₇(1200℃包晶分解),GdNi₄(1270℃ 关键词：     

孤子振动模的定域性

对于聚乙炔中孤子的五个定域振动模,本文研究了它们的位形随链长的变化而演变的情况,从而可确定其定域性。本文同时考察了开链和闭环两种情况。对于闭链,五个定域模定域于孤子附近,其形状与链长无关。对于开链,定域模g₁,g₂,g₃和g₅的位形不随链长而改变,因而是完全定域的,但是g₄的两翼随链长增加而变宽,定域性不完全。 关键词：