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激光直写邻近疗效应的校正
引用本文:杜惊雷,邱传凯.激光直写邻近疗效应的校正[J].光学学报,1999,19(7):53-957.
作者姓名:杜惊雷  邱传凯
作者单位:[1]四川大学物理系 [2]中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家开放实验室
摘    要:邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素,它也限制了激光直写在亚微米和亚半微微米光刻中的应用,分析了激光直写邻近效应产生的原因,指出它和电子束直写及投影光刻的区别,提出了一种简便有效的邻近校正方法,实验表明,通过光学邻近校正(OPC),利用微米级激光直写系统,制作出0.6μm的实用光刻线条。

关 键 词:激光直写  亚微米  邻近效应  光学邻近校正  光刻
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