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激光直写邻近疗效应的校正 总被引:3,自引:0,他引:3
邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素,它也限制了激光直写在亚微米和亚半微微米光刻中的应用,分析了激光直写邻近效应产生的原因,指出它和电子束直写及投影光刻的区别,提出了一种简便有效的邻近校正方法,实验表明,通过光学邻近校正(OPC),利用微米级激光直写系统,制作出0.6μm的实用光刻线条。 相似文献
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RIE精确传递微光学三维结构于红外材料的方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对红外光学材料锗的蚀刻性能、机制进行了深入的研究,在反应离子蚀刻(RIE)实验基础上,建立了锗材料蚀刻性能与RIE工艺参量的关系,经过大量的实验,找到了稳定蚀刻速率的方法和条件,为用RIE技术形成高精度衍射微光学元件积累了实用经验. 相似文献
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