多功能太阳辐射计

太阳辐射计是测量太阳直接辐射光谱特性的仪器,本仪器的设计特点是不仅能测量太阳直接辐射的光谱特性,还能测量太阳角散射(日晕)辐射特性。仪器在PC微机控制下,能自动对准和跟踪太阳,完成转换滤光片、调整增益、定时采集和存储数据等全部测量工作。现场实验表明所得大气光学厚度数据有较高的精度,甚至可以得到其变化情况。     

二元光学元件衍射效率的逐层分析法研究

提出了一种有效的分析二元光学元件衍射效率的新方法－逐层分析法，并对四台阶二元器件，就蚀刻深度误差和横向对准误差对器件衍射效率的影响进行了详细的分析和讨论，证明了用该方法分析含有横向对准误差的二元光学元件的衍射效率非常简便有效。     

双光路双波长相移干涉显微法测量衍射光学元件形貌

衍射光学元件（ＤＯＥ）表面形貌的测量需要解决因表面结构深度较大和表面不连续给测量带来的困难。本文将双波长测量法的思想推广应用到不连续深结构表面的测量,并提出了一种新型数据处理方法,有效地克服了这些困难。理论分析和测量结果表明,基于这些方法的三维表面形貌测量系统纵向分辨率为０．５ｎｍ,横向分辨率约为０．５μｍ（ＮＡ＝０．４）,在整个纵向测量范围内重复测量精度地１．３ｎｍ,满足了衍射光学元件表面形貌测     

高精度V棱镜折射仪光机结构设计

针对传统V棱镜折射仪采用光学度盘,目视对准方式无法满足现代光学玻璃生产线以及高精度折射率测量的需求。提出一种新型的高精度基于CCD 机器视觉对准的V棱镜折射仪的总体设计方案,并对准直光管、传动机构、锁紧和微调机构以及轴角编码测角机构等主要组成部分进行了光机结构设计。在考虑空气折射率影响因素的修正公式的基础上,分析了仪器的检测误差。实验结果表明:其折射率检测精度可达 310-6,满足了高精度V棱镜折射仪的技术指标要求。     

塞曼激光外差干涉仪的非线性分析及校正

He-Ne激光器施加纵向磁场或横向磁场构成的纵向塞曼激光器和横向塞曼激光器,是激光外差干涉仪最常用的光源。外差干涉仪原理表明,干涉仪所测位移和仪器测得的光电信号的相位变化,是线性关系。而实际上由于光源和光学系统难于达到理想状态,使二者之间产生了周期性非线性,导致纳米、亚纳米测量难以实现。本文分析了引起非线性的原因及其特性,提出了校正和减小非线性的方法,并证实了其有效性。     

共光路外差干涉法精密测量光学表面

报道了光学外差法测量表面起伏精度及横向分辨精度达到０．１１ｎｍ及４μｍ。本文采用的是完全共光路外差干涉系统，阐述了它的原理、构造及噪声的影响，并将测量结果与其它商品仪器测量结果作了比较。     

光学测量数据的统示分布表示

通过对光学测量中常见的叉线对准以及焦距、曲率半径测量进行大样本数据采集和分析处理,利用实验方法得到常见光学测量数据的分布,并选择Beta分布统示表示多种分布,简化了光学测量中的分布研究.研究结果可以作为贝叶斯统计中的数据先验分布,用于对一般测量进行贝叶斯方法的不确定度评定.     

高光谱成像仪等效焦面装调模组设计

高光谱成像仪CCD组件在装调时,纵向需要满足20 μm焦深要求,横向需要实现光谱维、空间维的对准。为了避免检测时对昂贵的CCD频繁安装、拆除,设计了一种等效焦面装调模组。等效模组按照CCD组件的实测尺寸精密制造,提供了可供显微镜观察的模拟光谱像。通过测量实际光谱像和模拟光谱像的位置差别能够获取修磨垫的修整量,并实现光谱像和CCD像元的横向对准。试验表明,存在工具显微镜测量误差、修磨垫加工误差、互换性误差时,光谱像面各处离焦量均小于焦深。试验中仅用3次迭代即达到MTF为0.3的要求,提高了装调效率和操作安全性。     

Au@SiO2核-壳层单晶八面体纳米棒光吸收性质的研究

包覆材料改变了单一材料的力学、光学性质。利用离散偶极近似(Discrete Dipole Approximation,简称DDA)的方法,系统研究二氧化硅壳层、尺寸及形貌等因素对Au@SiO_2核-壳层单晶八面体纳米棒光学吸收谱峰值、峰位及其近场分布的影响。研究表明SiO_2壳层包覆的Au纳米棒的光学吸收谱同样表现为横向和纵向吸收峰。随着SiO_2壳层厚度增加,Au@SiO_2核-壳层单晶八面体纳米棒横向和纵向吸收缝的强度明显减弱,横向吸收峰的位置发生微小的蓝移,而纵向吸收峰位发生明显的红移。SiO_2壳层在提高纳米棒硬度的同时,改变光学吸收峰的峰值和峰位,削弱了Au核表面等离子体共振强度(Surface Plasma Resonance-SPR)。     

使用四象限探测器测量微小位移

四象限探测器的工作原理是光生伏特效应,通过4个象限电势的变化可算出光源的位移.使用四象限探测器测量了光源横向和纵向的位移,分析了实验误差的来源并给出了修正方法.实验结果表明,四象限探测器测量位移具有较高的测量精度和较短的时间响应,纵向测量的灵敏度比横向测量的灵敏度低.     

斜航向上舰船感应磁性磁场分离方法讨论

斜航向上舰船感应磁性磁场分离是舰船磁场分析中的一个难点.针对舰船龙骨下方典型测量点上的磁场特征特殊形态展开分析,可方便明晰地解决这一问题.根据相差180°的两个航向上的磁场测量数据,可分离出舰船纵向和横向感应磁性磁场的总和.在舰船龙骨下典型测量点上,舰船纵向和横向感应磁性磁场总和的纵向和垂向分量来源于纵向感应磁性,横向分量来源于横向感应磁性.最终,实现了斜航向上舰船纵向和横向感应磁性磁场的分离.     

同轴双无衍射光的理论与实验

提出同轴双无衍射光的概念。如果两束汇聚角略有不同的同轴无衍射光同时存在，则它们相互之间叠加干涉后产生一种纵向呈周期变化的光场结构，这是一种新的光束空间分布，这种光束在横向仍是一种同心环光斑，可用于精密对准。而在不同纵向位置，这些同心环的强度分布是不同的，且是周期性变化的。同轴双无衍射光的轴向周期性可用于沿光束传播方向的定位。文中提出了双环缝法、分段圆锥透镜法、正弦相位环光栅法等实现同轴双无衍射光的理论与实验方法，分析了同轴双无衍射光的横向与纵向传播的衍射光斑特性，理论计算与实验测量的结果基本相符合。     

钙钛矿氧化物异质结的光电特性研究进展

光与物质相互作用可以产生各种光学现象,其中光电效应是非常重要的现象之一.文中集中回顾了文章作者在钙钛矿氧化物异质结的光电效应研究中的进展.在钙钛矿氧化物异质结中,分别观测到了传统的纵向光电效应和反常的横向光电效应,并通过对含时的漂移-扩散方程的自洽求解,从理论上分别揭示了钙钛矿氧化物异质结纵向和横向光电效应的动态过程.文章首先介绍了钙钛矿氧化物异质结纵向光电效应的研究进展,接着概述了钙钛矿氧化物异质结横向光电效应研究的进展.最后对氧化物异质结的纵向和横向光电效应的潜在应用前景进行展望.     

激波管内氢-氧混合气体爆轰温度的测量

 以光纤传输光能，用多通道光学高温计，在垂直和平行于爆轰波传播方向上，测量了激波管中氢氧（或含氮）混合气体的爆轰温度。在20~53 kPa压力范围内，进行了六种初始压力氢氧混合气体的爆轰，分别测出横向温度和纵向温度；这两种温度在实验测量的误差范围内是一致的，并与正常爆轰的理论值符合得相当好。     

眼镜、放大镜、显微镜、望远镜

提出了一种采用光学投影成像和自扫描光电二极管列阵(SSPA)传感器实现隐形眼镜曲率、光学中心厚度和直径测量的新方法,基于此方法设计成功了一种新型隐形眼镜投影测量仪。介绍了仪器的测量原理、仪器结构、光电二极管列阵信号采集以及单片机控制系统的硬件和软件设计。该测量仪测量镜片曲率半径的精度优于士0.1 mm,测量镜片光学中心厚度的     

光学测试 非光学量测试与设备

P225.2 2006032608双目立体视觉测距系统误差模型的研究=Research of er-ror-model on two eyes stereoscopic measurement system[刊,中]/李海滨(燕山大学电气学院.湖北,秦皇岛(066004)) ,单文军…∥光学技术.—2006 , 32(1) .—24-26 ,30针对双目立体视觉测距中产生误差的问题,分析了系统中的各个参量,并建立了双目立体视觉测距系统的误差模型。得出引起测量系统误差最大的两个参量是CCD摄像头的对准程度和测量的距离;在视场中心的距离测量精度低,边缘测量精度高,在视场中心的水平和纵向的测量精度却远高于在边缘的测量精度两个结论。基…     

储存环光学速调管磁场分析

在合肥国家同步辐射实验室的储存环上，插入件光学速调管已安装完成，对光学速调管的磁场分布进行了一些附加测量，分析了横向磁场的空间谐波分量；测量了积分场的分布，对积分场变化的原因作了一定探讨。还测量了磁场横向分布的均匀度，为将要进行的相干辐射和自由电子激光研究提供实验数据；最后用实测的磁场对光学速调管自发辐射进行了数值模拟，结果表明这个光学速调管基本上满足实验要求。     

高精度光学对准测量装置的设计

设计了一套光学对准测量装置,该装置主要由面阵CCD相机、光学镜头、图像处理模块、LED红光光源、球面反光镜组成。介绍了测量原理,测量目标采用等腰三角形排列,通过面阵CCD对目标所反射的图像进行采集,由图像处理模块对该图像进行实时处理,能够同时得到X、Y、Z以及旋转角度等四维坐标数据。推导了光斑图像坐标和被测平面距离等计算公式,并进行了对准精度分析。结果表明,该装置位置误差〈1mm,角度误差为0．24°,实现了高精度、自动、快速对准测量。     

多芯NbTi组合导体的交流损耗

测量了多芯NbTi组合导体在纵向场和横向场中的动态磁化曲线和静态磁化曲线,给出磁场峰值最大到60kOe的交流损耗值。静态法测量结果与磁滞模型一致,动态法则包括磁滞损耗和芯间耦合导致的涡流损耗。由于几何因子的差别和钉扎强度的各向异性,导体在纵向场中的损耗低于横向场中的值。     

La2-xSrxCuO4单晶的平面内磁阻研究

测量了三种不同组分La2-xSrxCuO4(x＝0.09,0.18,0.24)单晶的平面内横向(H∥c,J∥ab)和纵向(H∥J∥ab)磁阻,发现平面横向与纵向磁阻都是正的,并且纵向磁阻与横向磁阻相比较很小,表明横向磁阻的主要贡献是电子轨道部分,也反映了ab面内和c方向电子有效质量的各向异性.三种成分单晶样品的平面内横向磁阻在不同温度随Sr含量x的变化显示在最佳掺杂浓度附近平面横向磁阻最大.