弛豫铁电体材料的内耗研究

内耗测量被证明是研究弛豫铁电体中相变的有效方法之一。我们研究了弛豫铁电陶瓷（1-x％）Pb（Mg1/3Nb2／3）O3-x％PbTiO3（PMNTx），（0〈x〈33）在低频（0．1Hz至10Hz）和音频（1kHz）的内耗。实验表明在铁电微畴的冻结温度出现了一个相变内耗峰和模量的软化，并且随作PbTiO3含量的增加相变逐渐增强，该相变与微畴冻结之间的关系还需作进一步的研究。同时我们还测量到了铁电纳米微畴的反转引起的力学响应，这与其介电响应结果是一致的。     

铁电-铁电相变与热电性

研究铁电－铁电相变附近的热电性，可以获得关于相变前后自发极化的大小和取向，相变的温度分布和时间过程以及新相对称性的信息．因此，热电性测量是研究铁电－铁电相变的一个重要手段．     

Dy－Y合金的三相变行为

本文报告关于Ｄｙ－Ｙ合金相变行为的研究．在μ０Ｈ＝０．４Ｔ的磁场下，Ｄｙ（９０）Ｙ（１０）随温度变化呈现出四个相．这在性质上与该组分在近零外场下的单一相变行为不同，也区别于Ｄｙ（９５）Ｙ５和Ｄｙ（８０）Ｙ（２０）在０．４Ｔ外场下的行为．磁化强度作为温度和组分的函数，以及晶格常数的测量结果提示，Ｄｙ（１００－ｘ）Ｙｘ的磁相图与竞争相互作用模型的理论预言是类似的．     

蓝青铜K_(0－3)MoO_3单晶Peierls相变研究

测量了蓝青铜Ｋ０３ＭｏＯ３单晶ＲＴ曲线，发现曲线在２８０Ｋ左右有异常变化，计算得到１８０Ｋ以下的半导体能隙为１３２０Ｋ（０１１ｅＶ）．液氮温度下测量了晶体的非线性导电性，得到电场阈值为０１２９Ｖ／ｃｍ．样品ＤＳＣ研究表明，样品在２４０Ｋ处经历一新的Ｐｅｉｅｒｌｓ相变，且为一级相变，据此对相变的微观性质进行了定量计算．１８０Ｋ附近ΔｃｐＴ曲线表明，１８０Ｋ处的相变为一个二级相变加一个一级相变     

KH_2PO_4和（CH_3NHCH_2COOH）_3CaCl_2在高压下的状

在活塞圆筒式Ｐ～Ｖ关系测量装置上，研究了ＫＨ＿２ＰＯ＿４（ＫＤＰ）和（ＣＨ＿３ＮＨＣＨ＿２ＣＯ－ＯＨ）＿３ＣａＣＩ＿２［Ｔｒｉｓ－ｓａｒｃｏｓｉｎｅｃａｌｃｉｕｍｃｈｌｏｒｉｄｅ（ＴＳＣＣ）］在室温下、４．５ＧＰａ内的ｐ～Ｖ关系。实验结果表明：ＫＤＰ在２．１ＧＰａ左右有一个相变；ＴＳＣＣ在０．８ＧＰａ和３．２ＧＰａ左右各有一个相变。本工作还给出了它们在相变前后的状态方程，以及它们的格临爱森参数γＯ、体积模量Ｂ＿ｏ和Ｂ＿ｏ的压力导数Ｂ＿ｏ。     

混晶（RbxK1—x）2SnCl6的相变研究

用非极性喇曼散射光谱研究了混晶（ＲｂｘＫ１－ｘ）２ＳｎＣｌ６性质随组份（０〈ｘ〈１）及温度（１０Ｋ〈Ｔ〈３００Ｋ）的变化，发现在纯Ｋ２ＳｎＣｌ６晶体中用Ｒｂ＾＋部分替代Ｋ＾＋后，将降低原Ｋ２ＳｎＣｌ６的相变温度Ｔｃｌ。当混晶中Ｒｂ＾＋成份超过极限浓度（ｘ〉０．７）后，该相变就被抑制，不同组份样品的同一喇曼模频率，随Ｒｂ＾＋的增加，向低频方向移动，用平均力常数拟合给出很好的理论解释。     

Si／Ge应变层超晶格的椭偏光谱

测量了几种不同组分的（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的椭偏光谱（２．０～５．０ｅＶ），并得到了其介电函数谱；应用介电函数的临界点理论，研究了（Ｓｉ）Ｍ／（Ｇｅ）Ｎ应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Ｓｉ／Ｇｅ应变超晶格除了具有明显的Ｅ１和Ｅ２带间跃迁外，还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰，其能量分别位于２．３～３．０ｅＶ和３．３～４．０ｅＶ范围内     

混晶（Rb_xK_（1－x））_2SnCl_6的相变研究

用非极性喇曼散射光谱研究了混晶（Ｒｂ_ｘＫ_（１－ｘ））_２ＳｎＣｌ_６性质随组份（０＜ｘ＜１）及温度（１０Ｋ＜Ｔ＜３００Ｋ）的变化。发现在纯Ｋ_２ＳｎＣｌ_６晶体中用Ｒｂ￣＋部分替代Ｋ￣＋后，将降低原Ｋ_２ＳｎＣｌ_６的相变温度Ｔｃｌ。当混晶中Ｒｂ￣＋成份超过极限浓度（ｘ＞０．７）后，该相变就被抑制。不同组份样品的同一喇曼模频率，随Ｒｂ￣＋的增加，向低频方向移动。用平均力常数拟合给出很好的理论解释。     

铁电磁体Pb(Fe1/2Nb1/2)O3相变特征

借助与示差扫描量热法、磁化率测量、电子自旋共振、铁电与介电性质测量及电子衍射系统地研究了Pb(Fe_1/2Nb_1/2)O₃(PFN)的电、磁性质和相变特征．结果表明发生在380K附近的顺电－铁电转变和发生在145K附近的顺磁 反铁磁转变分别为一级相变和二级相变或弱一级相变．在室温下,PFN的剩余极化与矫顽场分别为11.5μC/cm²和3.04kV/cm.介电测量表明PFN的顺电-铁电相变为弥散型相变．其弥散指数为1.62.电子衍射表明Fe³⁺与Nb⁵⁺离子在B位置上是无序分布的,正是这种与无序分布相关联的成分涨落导致铁电相变的弥散性. 关键词：     

Pb(Zr0.52Ti0.48)O3陶瓷畴界粘滞运动的介电损耗模拟

对不同频率下（１ —１０ ｋ Ｈｚ） Ｐｂ（ Ｚｒ０５２ Ｔｉ０４８） Ｏ３ 多晶陶瓷的介电性能的测量表明：在接近铁电相变温度 Ｔｃ 以下存在一介电损耗峰,该峰具有弛豫特征但不满足 Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ 关系．这一损耗峰被认为是由于畴界与晶格、缺陷钉扎的互作用引起的．用畴界粘滞运动的动力学方程,考虑陶瓷样品中 Ｔｃ 离散分布的情况,模拟了该介电损耗峰在不同频率下的行为,得到了与实验数据一致的结果．并由拟合参数计算了畴界运动的粘滞系数和缺陷钉扎引起的回复力常量．     

稀土Ce原子对纯Fe作用的穆斯堡尔谱研究

对含不同Ｃｅ量（０．００２％，０．０１５％，０．０１８％，０．０２０％，０．０４０％，０．０５１％，０．０９２％）的纯Ｆｅ试样和α－Ｆｅ标样进行了室温穆斯堡尔谱测量，经计算机解谱后，应用Ｍ·Ｓ理论分析了稀土元素Ｃｅ与Ｆｅ原子之间的交互作用。重点分析了稀土Ｃｅ原子对Ｆｅ原子核外电子密度和电场梯度的影响，根据穆斯堡尔参数化学位移（ＩＳ）和四极矩分离（ＱＳ）的变化，探讨了Ｃｅ原子在纯Ｆｅ中的存在状态和对Ｆｅ原子核的作用结果。     

硼酸锂系列晶体的高压拉曼散射研究

本文进行了硼酸锂系列晶体的高压拉曼散射及其压致相变的研究。对于三硼酸锂（ＬｉＢ３Ｏ５），我们发现在５．０ＧＰａ有一可逆的晶态到晶态的相变，在２７．０ＧＰａ有一不可逆的晶态到非晶态的相变。二硼酸锂（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）不可逆压致非晶相变发生在３２．０ＧＰａ附近。对于一硼酸锂，我们研究了０—５５．８ＧＰａ范围内的高压拉曼光谱，只在２．０ＧＰａ发现了一个晶态到晶态的相变，但未发现不可逆压致非晶化现象。在硼酸锂系列晶体中，不可逆压致非晶化的压力随Ｌｉ２Ｏ的含量的增加而升高。硼酸锂晶体中Ｌｉ２Ｏ的含量越高，压致非晶化越不容易发生，这与熔体急冷法制备硼酸锂玻璃的规律是一致的。     

少子陷阱特性和铍硅共注半绝缘GaAs空穴陷阱

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术测量了高温退火的Ｂｅ和Ｓｉ共注入的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ（无掺杂）。在多子脉冲作用下的Ａｌ／Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣＳＩＧａＡｓ肖特基势垒中，观测到Ｅ₀₁（０．２９８），Ｅ₀₂（０．３４１），Ｅ₀₃（０．５５５）和Ｅ₀₄（０．８２１）等四个电子陷阱以及两个主要的少子（空穴）陷阱Ｈ＇₀₃（０．５４）和Ｈ″₀₃（０．５７）。两少子陷阱的ＤＬＴＳ信号具有若干特点，比如它们的ＤＬＴＳ·峰难于通过增宽脉冲达到最大高度；以及峰的高度强烈地依赖于温度等。这些现象可以用少子陷阱的少子俘获和热发射理论进行合理地解释。鉴于用ＤＬＴＳ技术测量这种陷阱的困难，我们用恒温电容瞬态技术测定它们的空穴表观激活能分别为０．５４和０．５７ｅＶ。它们是新观测到的和Ｂｅ－Ｓｉ共注ＳＩＧａＡｓ有关缺陷。 关键词：     

低补偿度n－Hg＿（1－x）Cd＿xTe的磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌｆｒｅｅｚｅ－ｏｕｔ），即首先必须在很低的温度下将导带电子冻出到施主态上。相变后的温度激活输运行为可以表示成Ｒ＿Ｈ（Ｔ）＝Ｒ＿（Ｈ０）ｅｘｐ［ａ／ｋＴ］，它实际上反映了磁冻结在施主上的电子，随温度的升高，逐步热激发到导带的过程，从磁致ＭＩＴ后的激活能初步推知，导带下存在两个浅施主能级。     

Y1—xPrxBa2Cu3Oy中与铁弹性有关的能量损耗的研究

本用拉伸实验的方法，在室温至７８Ｋ的温度范围内，研究了Ｙ１－ｘＰｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ分别为０，０．１，０．３，０．４和０．６）的铁弹性行为。结果表明，Ｔｃ以上几十度温度范度内与铁弹性行为有关的能量损耗分析（△Ｗ／Ｗ）以及类似于热弹性马氏体含量的形状记忆效应与类相变有关，并与超导电性有内在的联系。     

低补偿度n-Hg1-xCdxTe的磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌ ｆｒｅｅｚｅ 关键词：     

冲击加载下PZT-95/5陶瓷铁电－反铁电相变实验研究

 用石英计测量了PZT-95/5陶瓷在冲击波作用下发生铁电－反铁电一级相变时产生的双波结构，相变起始压力约为0.5 GPa。对不同状态下的PZT-95/5陶瓷材料进行了扫描电镜电畴分析，结果表明，在该压力区域陶瓷发生了铁电－反铁电相变。     

淬火和制备工艺对Bi（Pb）－2223相超导体超导电性、氧含量和微结构的影响

本文通过透射电子显微镜观察、超导电性测量、Ｘ射线衍射、氧含量测定等手段研究了淬火和制备工艺对Ｂｉ（Ｐｂ）－２２２３相超导体超导电性、氧含量和微结构的影响．结果表明，随着淬火温度的提高，Ｔｃ（０）呈现一个不连续的变化，在１００－４００℃范围内，Ｔｃ（０）基本不变，在５００－６００℃，Ｔｃ（０）略有升高，在７５０℃．Ｔｃ（０）呈现一个极小值．在５００—６００℃淬火处理可以增加样品中的氧含量，具有Ｔｃ（０）近１１０Ｋ的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ１０＋６的最佳氧含量在δ＝０．１４—０．２９之间．在８００—８２０℃淬火处理可以改善样品晶粒间的弱连接状态，而样品的弱连接和微结构与阳离子和氧的组成及其制备工艺密切相关．     

ICP-AES法测定铝锂合金中Li、Mg、Fe、Cu、Si、Zr的研究

本文研究了采用ＩＣＰ－ＡＥＳ技术同时测定铝锂合金中Ｌｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｚｒ等六元素的分析方法,优化了工作条件,经对合成样品和实际样品测量,对Ｌｉ（１％－４％）、Ｍｇ（０．５％－６％）、Ｆｅ（０．０５％－２．５％）、Ｃｕ（０．５％－５％）、Ｓｉ（０．０５％－０．５％）、Ｚｒ（０．０５％－０．５％）,方法的相对标准偏差均小于５％,回收率为９３％－１０５％。方法对照结果亦表明,本方法简便、快速、准确     

〔（NH_4）_xK_（1－x）〕_2SnCl_6混晶的喇曼散射研究

本文用喇曼散射的方法研究了六氯锡化钾铵混晶系列样品［（ＮＮ_４）_ｘＫ_（１－ｘ）］_２ＳｎＣｌ_５（ｘ＝０，０．０５，０．１，０．１５，０．２，０．２５，０，３，１）从室温到７７Ｋ的行为，首先观察到了其外振动模的双模行为，并且还发现了其一内模Ｔ_（２ｇｉｎｔ）的宽度随铵离子浓度ｘ的增加而增加，相变温度Ｔｃ却随铵离子浓度的增加而迅速下降，下降速率约为ｄＴ_ｃ／ｄｘ＝－６００Ｋ／ｍｏｌ，这一行为是由于正四面体的ＮＨ_４￣＋离子对正八面体的ＳｎＣｌ_６￣（２－）离子团的转动产生阻碍而引起。内模Ｔ_（２ｇｉｎｔ）的宽度变化也是由于铵离子的转动影响以及由它引起的晶格畸变所导致。双模行为来自于强烈的集团效应。