铁电磁体Pb(Fe1/2Nb1/2)O3相变特征

借助与示差扫描量热法、磁化率测量、电子自旋共振、铁电与介电性质测量及电子衍射系统地研究了Pb(Fe_1/2Nb_1/2)O₃(PFN)的电、磁性质和相变特征．结果表明发生在380K附近的顺电－铁电转变和发生在145K附近的顺磁 反铁磁转变分别为一级相变和二级相变或弱一级相变．在室温下,PFN的剩余极化与矫顽场分别为11.5μC/cm²和3.04kV/cm.介电测量表明PFN的顺电-铁电相变为弥散型相变．其弥散指数为1.62.电子衍射表明Fe³⁺与Nb⁵⁺离子在B位置上是无序分布的,正是这种与无序分布相关联的成分涨落导致铁电相变的弥散性. 关键词：     

多铁性纳米点结构及微纳器件应用

在当前电子技术微型化和高度集成化的趋势下,多铁性纳米材料的研究正逐渐成为一个重要主题。这方面的研究还处在起步阶段,在材料的制备工艺和表征手段方面还面临诸多挑战。文章简要介绍了多铁性纳米点的制备工艺(包括离子刻蚀、自组构、多孔氧化铝模板方法等)和以多功能扫描探针为代表的表征手段,还介绍了纳米点带来的新颖的物理现象及其在微纳器件应用等方面的研究进展。     

Asymmetric reversible diode-like resistive switching behaviors in ferroelectric BaTiO3 thin films

In this work, the resistive switching behaviors of ferroelectrictric BaTiO3/La0.67Sr0.33MnO3 .heterostructures de- posited by pulsed laser deposition are investigated. The BaTiO3 films show both well-established P-E hysteresis loops, and asymmetric reversible diode-like resistive switching behaviors, involving no forming process. It is found that both the ON/OFF ratio and the stability of resistive switching are substantially dependent on operation voltage （Vmax）. At a Vmax of 15 V, a large ON/OFF resistance ratio above 1000 is obtained at a Vmax of 15 V, which is able to maintain stability up to 70-switching cycles. The above resistive switching behaviors can be understood by modulating interface Schottky barriers as demonstrated by I-V curve fitting.     

电场驱动磁翻转——面向未来的低耗能磁电信息器件

利用磁电耦合实现电场驱动磁翻转是多铁性材料领域的重要方向，有望用于大幅降低自旋电子学器件的能耗，并为解决日益增长的数据处理用电问题提供一种新方案。在过去几年，纯电控磁研究经历了曲折历程，取得一系列重要突破，包括纳米复合异质结构筑、应变耦合驱动电控180°磁翻转、界面磁交换耦合实现低电压驱动180°磁翻转，以及电场调控斯格明子磁性拓扑态等，为进一步开发超低能耗磁电存储或逻辑器件奠定了基础。文章聚焦于面向磁电信息器件的纯电场调控磁翻转，并简要回顾近十年来这一分支领域的发展历程和重要进展，梳理该领域目前所面临的问题并展望未来研究方向。