硅—二氧化硅超晶格：探索硅基发光材料的一条新途径

理论上认为，由于Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中硅层（阱层）的电子和空穴都受到极强的量子限制效应，硅层能带有可能从体硅的间接带隙转变为直接带隙，从而发光效率大大提高．实验上，在非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格中观察到在可见光波段的室温光致发光和明显的量子限制效应现象．晶体Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格研究也取得了初步的结果．     

非晶Si/SiO2超晶格结构的交流电致发光

设计并用磁控溅射方法制备了非晶Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格结构,以高纯多晶Ｓｉ为靶材,当以Ａｒ＋Ｏ２为溅射气氛时,得到ＳｉＯ２膜,仅以Ａｒ为气氛时,得到Ｓｉ膜。重复地开和关Ｏ２气,便交替地得到ＳｉＯ２和Ｓｉ膜。衬底在靶前往返平移,改变平移的速度或者改变溅射的功率,可以控制膜的厚度。通过透民镜的照片可以看出ＳｉＯ２和Ｓｉ膜具有均匀的周期结构,用低角Ｘ－射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表     

反应离子镀光学薄膜的微观结构分析

用反应离子镀方法制备了ＴｉＯ２单层膜及ＴｉＯ２／ＳｉＯ２多层膜，用透射电子显微镜分别观察了由反应离子镀方法及传统蒸镀法二种不同工艺制得的ＴｉＯ２单层膜及ＴｉＯ２／ＳｉＯ２多层膜的断面结构，并对ＴｉＯ２单层膜进行了喇曼分析和卢瑟福背散射分析。     

非晶纳米发光材料(Y,Eu)_2O_3-SiO_2发射光谱的分析研究

ＥＸＡＦＳ测定表明ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备的纳米非晶（Ｙ，Ｅｕ）２Ｏ３－ＳｉＯ２发光材料中，发光中心Ｅｕ３＋的局域环境和晶态Ｘ２型Ｙ２ＳｉＯ５Ｅｕ中Ｅｕ３＋离子的局域环境相似．以此结构为依据，用Ｍ．Ｆ．Ｒｅｉｄ的方案计算了晶场迭加模型中的能级参数及光谱强度参数，并得到了与实验结果基本一致的理论光谱图     

一种评估液晶显示器件中使用的SiO2膜层性能的新方法

玻璃基片上的ＳｉＯ２膜已在液晶显示器件制造业中得到了广泛应用，ＳｉＯ２膜性能在很大程度上决定了液晶显示器件的化学稳定性及使用寿命，ＳｉＯ２膜致密性及膜厚可由Ｐ－蚀刻法测量出。本文提出了一种评估液晶显示器件中使用ＳｉＯ２膜层性能的简便而又快捷的方法。     

在小硅化物SiX~m（X＝Be、B、C、N、O、F、Ne，m＝～4－＋2）中分子成键倾向的从头算研究

此文用从头计算法，在ＨＦ、ＭＰ２、ＭＰ３水平下，使用基组６—３１Ｇ、６—３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分子ＳｉＸｍ（Ｘ＝Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电子相关效应，并考虑了不同基函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频率在ＨＦ、ＭＰ２、ＭＰ３水平上都呈现出明显的规律性，通过与实验上存在的稳定分子ＳｉＯ相比较，可以预言ＮＳＩｉ－和ＳｉＦ＋比其它分子有较明显的成键可能性，所以，ＮＳｉ－和ＳｉＦ＋有可能形成稳定的分子。     

一种稳定性得到改善的电流变液

用ＳｉＯ２／Ｐ（ＭＭＡ－ＭＡＡ）微囊复合颗粒与甲基硅油混合并加入适量的添加剂所制成的流体具有电流变效应; 其稳定性相对于由微米ＳｉＯ２、纳米ＳｉＯ２ 制成的电流变液有较大的改善．     

玻璃基片上SiO_2膜层厚度的测量方法

钠钙玻璃基片在液晶显示器件（ＬＣＤ） 等制造业中得到了广泛的应用。为防止基片中的碱金属离子扩散到器件的工作介质中,进而影响其化学稳定性和使用寿命,一般要在基片表面镀上一定厚度的ＳｉＯ２ 膜层,以便起到阻挡层的作用。基于Ｐ 蚀刻剂对ＳｉＯ２ 膜层和基片有显著不同的蚀刻速度,提出了一种测量玻璃基片上的ＳｉＯ２ 膜层厚度的方法,即：利用表面轮廓仪,在测量三个不同的蚀刻数据后,计算出ＳｉＯ２ 膜层的厚度。以用射频溅射法制备的ＳｉＯ２ 膜层为样品进行了测量,具体的实验数据证实了该方法的可靠性和有效性     

PbZr0.53Ti0.47O3/SiO2/Si复合薄膜的取向生长及铁电性研究

利用超薄的ＳｉＯ２做缓冲层,用脉冲激光沉积法在Ｓｉ（１００）上制备了具有良好铁电性的高度（１００）取向的ＰＺＴ薄膜．通过对不同条件下在ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）上生长的ＰＺＴ薄膜的研究,分析了ＳｉＯ２厚度、沉积温度、退火时间对ＰＺＴ性能的影响     

呼之欲出的新一代MOS栅极电介质材料

传统的ＳｉＯ２栅极电介质材料无法克服ＭＯＳ年特征尺度缩小带来的量子隧穿效应的影响,作为进上步提高微电子器件集成度的途径,利用新一代具有高介电常数的栅极电介质材料取代ＳｉＯ２的研究工作已经展开,文中介绍了此类材料抑制隧穿效应的原理和其应当满足的各项性能指标,并对目前几种主要的研究方案,如几种高介电常数金属氧化物、硅酸盐及其迭层结构的研究状况和优缺点给予也简要评述。     

在小硅化物SiX^m（X=Be,B,C,N,O,F,Ne,m=～4—＋2）中分子成…

此文用从头计算法，在ＨＦ，ＭＰ２，ＭＰ３水平下，使用基组６－３１Ｇ，６－３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分析ＳｉＸ＾ｍ（Ｘ＝Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｆ，Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电相关效应，并考虑了不同其函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频     

低压驱动薄膜电致发光特性及其机理的研究

采用低电阻率为Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３复合层制备了出低压驱动Ｚｎｓ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，它的阈值电压在４０Ｖ以下，当驱动电压为６０Ｖ，频率为５０Ｈｚ，发光亮度在２００ｃｄ／ｍ＾２以上，这种器件具有其独特的亮度－电压特性和电荷存储量－电压特性，利用空间电荷限制电流模型分析了发光层中空间电荷，电场强度在这种低压驱动电致发光器件发光层中的分布特性，并对低压驱动薄膜电致发光机理，亮度     

电场对Au—Ag薄膜结构影响的AFM和VAXPS研究

利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和变角Ｘ射线光电子谱（ＶＡＸＰＳ）技术研究了Ａｕ－Ａｇ／ＳｉＯ２体系在直流电场作用下，Ａｕ，Ａｇ电迁移的特点及所引起的薄膜结构的变化，观察到较低温度下Ａｕ，Ａｇ聚集状态的显著变化，发现电迁移过程中Ａｕ－Ａｇ薄膜与ＳｉＯ２基底之间存在界面化学反应，膜层中Ａｕ，Ａｇ，Ｓｉ等元素的化学状态发生了相应的变化，这些结构表明ＳｉＯ２表面上Ａｕ－Ａｇ复合薄膜电迁移不只是一个水平方向的扩     

一类新颖含C60复合材料的合成及其光限制效应的研究

报道了在Ｃ６０与ＮＨ２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３中的胺基反应生成Ｃ６０－ＮＨ２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３物质后引入ｒ－缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷「ＣＨ２ＯＣＨＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３，３－Ｇｌｙｃｉｄｏｘｙｐｒｏｐｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ，简称ＫＨ５６０」与二甲基二乙氧基硅烷「（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２，Ｄｉｅｔｈｏｘｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ     

YSZ／Si上溅射BSCCO超导膜的生长机理分析

本研究了利用ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层在Ｓｉ衬底上单靶偏轴溅射Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ高温超导薄膜的工艺条件，给出了ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜的性能测试结果，并根据电镜分析结果，提出了ＢＳＣＣＯ薄膜的螺旋柱状生长机理。     

PEG200改性SiO_2溶胶制备光学增透膜的研究

采用ＴＥＭ、ＳＤＰ 等分析手段对ＰＥＧ２００ 改性的ＳｉＯ２ 溶胶制备参数与光学增透膜的性质进行了研究。结果表明：ＰＥＧ２００ 改性后的ＳｉＯ２ 溶胶簇团粒度分布与交联状况发生显著变化,形成不同的网络结构特征,由此影响膜层的光学增透性能。     

在硅酸盐矿物,玻璃和熔体中Si和Al的配位与局部结构：K—边 …

本文采用步辐射的ＳｉＫ－边Ｘ－射线吸收近边结构（ＸＡＮＥＳ）谱研究了Ｓｉ在ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＳｉＯ２－Ｐ２Ｏ５的低压磷硅酸盐玻璃中结构与配位,以及Ｓｉ的配位几何随玻璃中Ｐ２Ｏ５含量而变化：同步辐射的Ａｌ Ｋ－边ＸＡＮＥＳ谱研究了Ａｌ在铝硅酸盐成分为ＮａＡｌＳｉ２Ｏ６－ＮａＡｌＳｉ３Ｏ８的玻璃和熔体中的配位和局部结构,并提供了直接的实验证据该成分的玻璃体系中由于压力的变化所诱导Ａｌ配位的     

等离子体辅助沉积HfO_2/SiO_2减反、高反光学薄膜

本文报导了用等离子体辅助（Ｐｌａｓｍａ－ＩＡＤ）沉积技术沉积ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反及高反光学薄膜。在波长１０６４ｎｍ处，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２减反膜透过率大于９９．５％，ＨｆＯ２／ＳｉＯ２高反膜反射率大于９９．５％。     

紫外激光SiO2减反膜的制备

介绍溶胶－凝胶制备ＳｉＯ２减反膜的溶液配制，基片清洗和膜层制备过程，利用正硅酸乙酯的碱性催化水解，通过浸入移液法在石英透镜的表面涂敷一层多孔ＳｉＯ２减反膜，涂膜后石英透镜的透过率在３５０ｎｍ波长处达到９８．０％以上。     

掺铒SiO_x的光致发光特性

利用分子束外延设备生长了掺铒ＳｉＯｘ，观察到铒掺入的同时Ｏ的掺入效率也得到提高．铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度．测量了铒在ＳｉＯｘ中的光致发光特性，结果表明掺铒的ＳｉＯｘ的发光强度从１８Ｋ到３００Ｋ仅下降了约１／２，这说明Ｅｒ掺在ＳｉＯｘ中是一种降低发光强度的温度淬灭效应的途径，最后讨论了温度淬灭的机制．