共查询到20条相似文献,搜索用时 453 毫秒
1.
用矩形单模TE10n(n=3,5)微波腔体成功地烧结得到了致密的Y-TZP陶瓷及Y-TZP/Al2O3复相陶瓷材料.材料的微波加热特性与其组分有关.Y-TZP含量高有利于提高样品的加热速率并降低加热所需时间.试样加热至600—800℃之后,需随时调整输入功率、短路活塞位置及可调偶合窗开启尺寸,以保持腔体谐振和最佳偶合状态,从而保持一定的升温速度和达到稳定的最终烧结温度.纯Y-TZP及含20Vol%Al2O3的Y-TZP/Al2O3陶瓷材料均可微波烧结至相对密度98%以上,而晶粒尺寸则分别不大于0.4和1.0μm.实验还发现,温度过高时,试样中心由于达到高于其表面的温度而发生过烧现象. 相似文献
2.
本文研究了Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统的亚固相关系和1550℃的等温面相关系。研究结果表明,Si2N2O可与小于15mol%的Al2O3形成O′-Sialon(O′s.s.)。2Y2O3·Si2N2O可与2Y2O3·Al2O3形成连续固溶体(Js.s.).在Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统的Si2N2O一端,Si2N2O与Y2O3会反应生成Si3N4和Y10[SiO4]6N2(H相)。因此在该系统中有四个四元相区:H-Si2N2O-O′s.s.-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-O′s.s.-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-Y2O3·Si2N2O-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-Y2O3·Si2N2O-Js.s..在1550℃等温面相图中,在近Al2O3-Si2N2O系统一边有一个很大的液相区。其低共熔组成为:Y2O3:2Si2N2O:2Al2O3,T=1450℃。 相似文献
3.
4.
在不同磁场H下 ,在 300~ 77K范围内测量了外延La2 /3 Ca1/3 MnO3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/Ms)2 + βexp(-E0/kBT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E0为磁极化子热激活能 ,约等于1 160kB,Ms 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论. 相似文献
5.
研究了Y1-xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ(x =0 ,0 .1 ,0 .2 ,0 .5 ,0 .8和 1 .0 )的Ra-man光谱、红外光谱,指出RSr2Cu2.7Mo0.3 O7-δ结构上与RBa2Cu3O7-δ有显著的差异,而伴随着Nd的掺入,晶体的微结构发生了变化 .结合电阻率和热电势的测量结果 ,我们讨论了这种微结构变化对载流子分布的影响和NdSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ不超导的原因,进而指出在高温超导体中广泛存在的稀土离子尺寸效应也是大稀土离子替代产生的晶体微结构变化的结果 相似文献
6.
利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。 相似文献
7.
在有40nm厚的PrBa2Cu3O7过渡层的(100)SrTiO3基片上生长了YBa2Cu3O7超薄膜,典型的厚度为2,6,10个原胞层.X射线衍射表明薄膜取向都是C轴垂直于膜面.原子力显微镜观察发现YBa2Cu3O7超薄膜具有层状和螺旋两种生长模式,并且在6个原胞层的生长阶段观察到螺旋位错,而类似的生长特征并没有出现在PrBa2Cu3O7过渡层中.实验结果表明,在 10个原胞层范围内,薄膜的超导转变温度和临界电流密度对厚度有很强的依赖关系. 相似文献
8.
《中国科学A辑》1989,32(9):937-942
在不同的退火温度下,由空气淬火方法制备出理想正交相和典型四方相的YBa2Cu3O7-δ。单相样品,以及结构介于两者之间的过渡相样品。从X光衍射、电阻温度关系、交流磁化率温度关系等实验结果我们得到了如下结论:(1)样品的结构随着淬火温度的逐渐降低而产生由四方相向正交相的过渡;(2)YBa2Cu3O7-δ四方相直至2.4K都是不超导的;(3)过渡体系样品中超导临界温度的高低依赖于样品结构的正交畸变程度;(4)本文中首次发现了不超导的四方相在100K附近结构相变可能存在的证据;(5)淬火温度较高的样品在高温区(>100K)的电导特性可以用样品中氧缺位的影响加以解释。 相似文献
9.
采用直流磁控溅射法在NdGaO3 ( 110 )衬底上制备了La2/3Ca1/3MnO3-δ外延单晶薄膜 .在 0~8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度TC 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H2 ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。 相似文献
10.
在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La2/3Ca1/3MnOz薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在Tp=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度Tp要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值MR=δR/RH=(R0-RH)R_H的极大值却发生在25K附近,而且该值基本上不随外磁场的大小而改变.当样品在700℃t氧气中退火30min后,零场下电阻峰值往高温方向移动到230K附近,表明薄膜的Curie温度升高了. 相似文献
11.
12.
本文提出了Si3N-Y2O3-La2O3三元系统的亚固(固相线下)相图。在此系统中,形成四个含固溶体的两相区和八个三相区。在富Si3N4区,发现存在一个新相:0.4Y2O3·0.6La2O3·3Si3N4,它于1550℃开始生成,随着温度升高,生成量增大,然而极难获得其纯单相。钇黄长石Y2O3·Si3N4可被La2O3取代形成有限固溶体,其固溶限为55mol%La_2O3,即0.45Y2O3·0.55La2O3·Si3N4。在Y-La-Si-O-N系统中,实验测得,具有同结构的三类含氮稀土硅酸盐,都分别形成连续取代固溶体。它们是:J相连续固溶体——2(Y,La)2O3·Si2N2O,K相连续固溶体——(Y,La)2O3·Si2N2O和H相连续固溶体——(Y,La)10(SiO_4)6N2。 相似文献
13.
14.
15.
本文报道了Ar和F离子注入对YBa2Cu3O7-x超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa2Cu3O7-x薄膜Tc,Jc和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,Tc和Jc随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×1013Ar/cm2时,样品发生金属一半导体相交。当注入剂量大于1.2×1013Ar/cm2时,样品的体超导性能基本上完全消失了,X射线衍射峰的强度也有所减弱,最终发生了晶态-非晶态相变,室温电阻率增加了好几个数量级。讨论了超导性能变化及金属一半导体相变的物理起因。 相似文献
16.
本文综合约20个 YBa2Cu3O7-4的元素替代体系的实验结果,发现:正交晶体结构、氧含量、铜的氧化价态,以及金属-半导体(绝缘体)相变都只是决定Tc的表观因素;存在着CuO2平面外和CuO2平面内两类元素替代效应.提出:高温超导体的迁移载流子浓度和CuO2平面内铜原子之间的动态、短程反铁磁关联程度是决定Tc的两个内禀因素.基于Bi系超导体中有关元素替代效应的实验事实,进一步提出上述结论对各种类型的高温氧化物超导体具有普遍性. 相似文献
17.
18.
本文采用X射线衍射,热学分析、超导电性测量等方法测定了La2O3-CuO,BaO-CuO,Y2O3-CuO二元系相图,BaO-La2O3-CuO,BaO-Y2O3-CuO三元系室温截面。在这两个三元系的富CuO区,存在BaxLa2-x CuO4(x≤0.07),BaLaCu2O5+δ,BaLa4Cu5O14+δ,BaLa2Cu2O6和Ba2YCu3O9-y,BaY2CuO9化合物。BaxLa2-x,CuO4(x≤0.07),BaLa4Cu5O14+δ,BaLaCu2O5+δ,BaLa2Cu2O6均属四方晶系,点阵常数分别为a=5.356,c=13.20;a=8.660,c=3.863;a=3.917,c=11.75;a=3.992,c=19.96.Ba2YCu3O9-y属正交畸变钙钛矿结构,a=3.892,b=3.824,c=11.64,空间群为Pmmm。BaY2CuO5具有正交结构,a=7.123,b=12.163,c=5.649;空间群为Pbnm。研究了组成与超导电性的关系,考查了烧结温度对Ba2YCu3O9-y化合物结构和超导电性的影响,并对超导电性产生的原因进行了讨论。 相似文献
19.