高分辨电子显微镜研究α-Si_3N_4晶格缺陷

对于用MgO和LiF作为添加剂以热压法制备的α-Si_3N_4进行高分辨电子显微镜观察时,发现结构缺陷。观察到在三晶粒晶界处有分相现象,这表明晶界玻璃相化学成分不均匀。在晶粒中,由晶格变形和(100)晶面位移所引起应力区域时有发现。在有些区域晶格变形是如此严重,以致晶胞的六方对称性都失掉了。晶格的形变可借助于(100)晶面间距与正常值6.771A的偏离加以衡量。用高分辨电子显微镜,我们发现α-Si_3N_4存在辐射损伤,这可能是由于α-Si_3N_4晶胞形变引起的。与β-Si_3N_4相比,α-Si_3N_4在热力学上不够稳定,根据我们的观察,对于热压方法制备的氮化硅,α相比β相有更多的结构缺陷。这表明,这一现象可能是由α-Si_3N_4晶格易于形变引起的。     

铋钙锶铜氧高温超导体的纳米结构特点

利用X衍射,X能量散射谱(EDS)和高分辨电子显微镜研究了3种Bi-Ca-Sr-Cu-O体系的超导材料及其纳米结构特点。除了具有a=5.41,b=5.44和c=30.8的正交晶胞作为基本结构A₁之外,还发现了3个与钙钛矿结构有关的结构类型:A₀,A₃和A₄。进而,并大量发现一个很显著的结构现象:A₁结构与那些钙钛矿有关的结构(A₀,A₂和A₄)发生共生长。     

合成的氯代磷灰石与人牙釉质晶体显微结构特征比较

本文着重刻划了合成的氯代磷灰石与人牙釉质显微结构特征的比较。通过大量的电子显微镜和能量色散谱的研究,断定尽管在原子水平上它们的结构非常相似,但显微结构方面确有相当大的差异,主要表现在晶粒形状、晶粒尺寸、晶粒取向、晶界等。辐射损伤和结构缺陷彼此也是不同的。大量的观察揭示合成的磷灰石具有比人牙釉质结构缺陷少和晶界干净。     

某些陶瓷的晶界

用高分辨电子显微镜观察、研究了某些陶瓷的晶界。结果表明:在小于5°小角度晶界的Si_3N_4中无玻璃相存在,玻璃相只存在于大角度晶界中间。大量非晶相存在降低材料高温强度。但是,通过选择较好的添加剂和使玻璃相晶化均可改善Si_3N_4陶瓷的高温力学性能。在β″—Al_2O_3和YBa_2Cu_3O_(7-x)陶瓷中,晶界的情况不同于Si_3N_4陶瓷,这里即使在大角度晶界上亦可以不存在玻璃相。     

高TcYBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7超晶格的微结构分析

利用高分辨透射电子显微镜对高T_c YBa₂Cu₃O₇/PrBa₂Cu₃O₇(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO₂面的二维超导电性时,临界温度T_c和临界电流密度J_c的变化不仅与二维CuO₂面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。     

高分辨电子显微镜研究α-Si3N4晶格缺陷

对于用MgO和LiF作为添加剂以热压法制备的α-Si₃N₄进行高分辨电子显微镜观察时,发现结构缺陷。观察到在三晶粒晶界处有分相现象,这表明晶界玻璃相化学成分不均匀。在晶粒中,由晶格变形和(100)晶面位移所引起应力区域时有发现。在有些区域晶格变形是如此严重,以致晶胞的六方对称性都失掉了。晶格的形变可借助于(100)晶面间距与正常值6.771?的偏离加以衡量。用高分辨电子显微镜,我们发现α-Si₃N₄存在辐射损伤,这可能 关键词：