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本文报道了Ar和F离子注入对YBa2Cu3O7-x超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa2Cu3O7-x薄膜Tc,Jc和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,Tc和Jc随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×1013Ar/cm2时,样品发生金属一半导体相交。当注入剂量大于1.2×1013Ar/cm2时,样品的体超导性能基本上完全消失了,X射线衍射峰的强度也有所减弱,最终发生了晶态-非晶态相变,室温电阻率增加了好几个数量级。讨论了超导性能变化及金属一半导体相变的物理起因。 相似文献
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在有40nm厚的PrBa2Cu3O7过渡层的(100)SrTiO3基片上生长了YBa2Cu3O7超薄膜,典型的厚度为2,6,10个原胞层.X射线衍射表明薄膜取向都是C轴垂直于膜面.原子力显微镜观察发现YBa2Cu3O7超薄膜具有层状和螺旋两种生长模式,并且在6个原胞层的生长阶段观察到螺旋位错,而类似的生长特征并没有出现在PrBa2Cu3O7过渡层中.实验结果表明,在 10个原胞层范围内,薄膜的超导转变温度和临界电流密度对厚度有很强的依赖关系. 相似文献
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利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。 相似文献
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《中国科学A辑》1989,32(9):937-942
在不同的退火温度下,由空气淬火方法制备出理想正交相和典型四方相的YBa2Cu3O7-δ。单相样品,以及结构介于两者之间的过渡相样品。从X光衍射、电阻温度关系、交流磁化率温度关系等实验结果我们得到了如下结论:(1)样品的结构随着淬火温度的逐渐降低而产生由四方相向正交相的过渡;(2)YBa2Cu3O7-δ四方相直至2.4K都是不超导的;(3)过渡体系样品中超导临界温度的高低依赖于样品结构的正交畸变程度;(4)本文中首次发现了不超导的四方相在100K附近结构相变可能存在的证据;(5)淬火温度较高的样品在高温区(>100K)的电导特性可以用样品中氧缺位的影响加以解释。 相似文献
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研究了Y1-xNdxSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ(x =0 ,0 .1 ,0 .2 ,0 .5 ,0 .8和 1 .0 )的Ra-man光谱、红外光谱,指出RSr2Cu2.7Mo0.3 O7-δ结构上与RBa2Cu3O7-δ有显著的差异,而伴随着Nd的掺入,晶体的微结构发生了变化 .结合电阻率和热电势的测量结果 ,我们讨论了这种微结构变化对载流子分布的影响和NdSr2Cu2.7Mo0.3O7-δ不超导的原因,进而指出在高温超导体中广泛存在的稀土离子尺寸效应也是大稀土离子替代产生的晶体微结构变化的结果 相似文献
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系统研究了在LaAlO3 ,SrTiO3 和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长和电输运特性 ,测定了薄膜的电阻 温度关系 .研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性 ,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征 ;在LaAlO3 衬底上在700℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能 ;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理 . 相似文献
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测量了(YBa2Cu3O7)24/(PrBa2Cu3O7)2 多层膜在强磁场下的超导转变展宽 .这种YBa2Cu3O7层间具有耦合 退耦合的临界绝缘层PrBa2Cu3O7厚度以及由 3D向 2D过渡的YBa2Cu3O7层厚度的多层膜 ,其不可逆场遵守H ∝ ( 1-t)μ关系 ,其 μ值约为1 ,介于3D( μ =3/2 )和2D( μ =1 /2 )之间 .磁通运动的热激活能的结果表明 ,对于H∥c和H⊥J的磁场位形 ,遵守U∝lnH关系 ,即磁通涡旋处于2D区 .而对于H∥ab和H⊥J ,H∥ab和H∥J两种磁场位形 ,激活能U随磁场的增加而线性减小 ,表明磁通涡旋处于3D态 .讨论了上述维度变化的可能物理机制 . 相似文献
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本文综合约20个 YBa2Cu3O7-4的元素替代体系的实验结果,发现:正交晶体结构、氧含量、铜的氧化价态,以及金属-半导体(绝缘体)相变都只是决定Tc的表观因素;存在着CuO2平面外和CuO2平面内两类元素替代效应.提出:高温超导体的迁移载流子浓度和CuO2平面内铜原子之间的动态、短程反铁磁关联程度是决定Tc的两个内禀因素.基于Bi系超导体中有关元素替代效应的实验事实,进一步提出上述结论对各种类型的高温氧化物超导体具有普遍性. 相似文献
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本文研究了Y替代Ca对Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO2层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d9态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO2层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d9L态)对应于超导体. 相似文献
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对新概念指导下而设计的 (La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体进行了119Sn MÖssbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,MÖssbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn4+价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn2 +离子 .Sn4+离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La2 CuO4母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 . 相似文献
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研制了一种高Tc超导薄膜/砷化镓场效应器件混合的微波振荡器,整个电路采用微带电路形式,制备在一片10mm×15mm的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜上。该振荡器采用共源和栅结串联反馈电路结构,以GaAs MESFET(NE72084)为负阻元件,利用高品质因数的超导微带谐振器作为稳频元件。通过提高谐振器的品质因数和调节它与MESFET的耦合强度,降低了振荡器的相位噪声。相位噪声在偏离载频(10.6GHz)为10kHz时达到-87dBc/Hz。 相似文献
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研究了R2O3-AIN-AI2O3(R=Ce,Pr,Nd和Sm)三元系固相线下的相关系及R2O3-AIN-AI2O3系统在1700℃的等温截面.发现存有一个组成为RAl12O18N的新相,其结构同β—Al2O3.本文对其它轻稀土元素可否形成新相也作了探讨.发现从La到Eu(除了Pm未测外)都能在组成RAl12O18N处形成含N的β-Al2O3相.经测定它们的单相区范围为:当R=Nd和Sm时,含Nβ-Al2O3相只发生在RAl12O18N组成处;而其它稀土的含Nβ-Al2O3相的组成都扩大到纯氧化物一端,即R2O3:11Al2O3处.经测定RAl12O18N的晶胞常数(a=5.557和c=22.00)几乎不随R而变化.1700℃时,在Nd2O3-Nd2AlO3N-NdAlO3三角形区域中存有一个很大液相区. 相似文献
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能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa2Cu2Ox高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu+发光中心,是跃迁过程1A1g(3d10)-1Eg和~3Eg(3d94s1)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu2+发光中心,是由于自由离子光谱项2D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu3+发光中心,其481cm-1和551cm-1声子对说明了312cm-1处声子对与电子系统是强耦合。 相似文献
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通过YBa2Cu3x)SnxO7+y体系样品的结构参数、XPS和Mssbauer谱、电阻-温度关系、氧含量以及热分解温度的综合测量,发现:Sn在该体系中替代了Cu的位置并保持4价状态;在x<0.4范围内Sn替代Cu对晶体结构没有影响,引起Tc的变化也极小;Sn替代Cu使体系的氧含量增加,并明显地影响了Cu的价态,使Cu呈现+3价,实验在结构、氧缺位及电子态方面为认识超导电性的起源提供了一些重要信息,在综合分析实验结果的基础上,本文提出:金属原子与氧原子间的耦合程度决定了体系的超导电性。 相似文献