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本文研究了Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统的亚固相关系和1550℃的等温面相关系。研究结果表明,Si2N2O可与小于15mol%的Al2O3形成O′-Sialon(O′s.s.)。2Y2O3·Si2N2O可与2Y2O3·Al2O3形成连续固溶体(Js.s.).在Y2O3-Al2O3-Si2N2O系统的Si2N2O一端,Si2N2O与Y2O3会反应生成Si3N4和Y10[SiO4]6N2(H相)。因此在该系统中有四个四元相区:H-Si2N2O-O′s.s.-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-O′s.s.-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-Y2O3·Si2N2O-Si3N4,H-3Y2O3·5Al2O3-Y2O3·Si2N2O-Js.s..在1550℃等温面相图中,在近Al2O3-Si2N2O系统一边有一个很大的液相区。其低共熔组成为:Y2O3:2Si2N2O:2Al2O3,T=1450℃。 相似文献
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本文采用X射线衍射,热学分析、超导电性测量等方法测定了La2O3-CuO,BaO-CuO,Y2O3-CuO二元系相图,BaO-La2O3-CuO,BaO-Y2O3-CuO三元系室温截面。在这两个三元系的富CuO区,存在BaxLa2-x CuO4(x≤0.07),BaLaCu2O5+δ,BaLa4Cu5O14+δ,BaLa2Cu2O6和Ba2YCu3O9-y,BaY2CuO9化合物。BaxLa2-x,CuO4(x≤0.07),BaLa4Cu5O14+δ,BaLaCu2O5+δ,BaLa2Cu2O6均属四方晶系,点阵常数分别为a=5.356,c=13.20;a=8.660,c=3.863;a=3.917,c=11.75;a=3.992,c=19.96.Ba2YCu3O9-y属正交畸变钙钛矿结构,a=3.892,b=3.824,c=11.64,空间群为Pmmm。BaY2CuO5具有正交结构,a=7.123,b=12.163,c=5.649;空间群为Pbnm。研究了组成与超导电性的关系,考查了烧结温度对Ba2YCu3O9-y化合物结构和超导电性的影响,并对超导电性产生的原因进行了讨论。 相似文献
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本文提出了Si2N2O-AlN-Y2O_3系统的亚固相图,并修正了O’-β’Sialon在Y-Si-Al-O-N系统中的相关系。在Si-Al-O-N系统中,Si3N4和O’ss(x=0.3)之间应有结线,它把O’-β’二相区分割成为两个相容性三角区:Si3N4-Si2N2O-O’ss(x=0.3)和Si3N4-β’ss(z=0.8)-O’ss(x=0.3)。 Si3N4-O’ss(x=0.3)-YAG-H相,在1550℃时形成为一相容性四面体区。如果加热到1700℃,而后于1200—1300℃退火热处理,则H相消失,相容性区变成为Si3N4-O’ss(x=0.3)-YAG-Y2Si2O7。 Si3N4-Si2N2O-O’ss(x=0.3)-Y-2Si2O7(或H),Si3N4-O’ss(x=0.3)-YAG-Y2Si2O7(或H)和Si3N4-βss(z=0.8)-O’ss(x=0.3)-YAG,这三个相容性区的确定,对开发制造O’-β’Sialon二相陶瓷有实用意义。 相似文献
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用Si3N4,SiO2和Al2O?作原料,以Y2O?为添加剂,研究了O’-β’所在的四个相容性区中组成,于1400—1800℃之间,O’和β’的形成动力学。O’于1400℃开始生成,1600℃达到最大形成量。高于1600℃,O’减少乃至消失。研究发现,O’的这种不稳定性,并非自身热分解的结果。Al含量的增加,液相出现和β’的形成,才是导致O’-Sialon溶解而消失的原因。 此外,认为Si3N4-O’(x=0.3)-Y2Si2O7-YAG相容性区,是在制备具有合理的O’-β’平衡相组成的复相陶瓷时,可供实际选用的组成区。 相似文献
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研究了R2O3-AIN-AI2O3(R=Ce,Pr,Nd和Sm)三元系固相线下的相关系及R2O3-AIN-AI2O3系统在1700℃的等温截面.发现存有一个组成为RAl12O18N的新相,其结构同β—Al2O3.本文对其它轻稀土元素可否形成新相也作了探讨.发现从La到Eu(除了Pm未测外)都能在组成RAl12O18N处形成含N的β-Al2O3相.经测定它们的单相区范围为:当R=Nd和Sm时,含Nβ-Al2O3相只发生在RAl12O18N组成处;而其它稀土的含Nβ-Al2O3相的组成都扩大到纯氧化物一端,即R2O3:11Al2O3处.经测定RAl12O18N的晶胞常数(a=5.557和c=22.00)几乎不随R而变化.1700℃时,在Nd2O3-Nd2AlO3N-NdAlO3三角形区域中存有一个很大液相区. 相似文献
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用矩形单模TE10n(n=3,5)微波腔体成功地烧结得到了致密的Y-TZP陶瓷及Y-TZP/Al2O3复相陶瓷材料.材料的微波加热特性与其组分有关.Y-TZP含量高有利于提高样品的加热速率并降低加热所需时间.试样加热至600—800℃之后,需随时调整输入功率、短路活塞位置及可调偶合窗开启尺寸,以保持腔体谐振和最佳偶合状态,从而保持一定的升温速度和达到稳定的最终烧结温度.纯Y-TZP及含20Vol%Al2O3的Y-TZP/Al2O3陶瓷材料均可微波烧结至相对密度98%以上,而晶粒尺寸则分别不大于0.4和1.0μm.实验还发现,温度过高时,试样中心由于达到高于其表面的温度而发生过烧现象. 相似文献
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《中国科学A辑》1989,32(9):937-942
在不同的退火温度下,由空气淬火方法制备出理想正交相和典型四方相的YBa2Cu3O7-δ。单相样品,以及结构介于两者之间的过渡相样品。从X光衍射、电阻温度关系、交流磁化率温度关系等实验结果我们得到了如下结论:(1)样品的结构随着淬火温度的逐渐降低而产生由四方相向正交相的过渡;(2)YBa2Cu3O7-δ四方相直至2.4K都是不超导的;(3)过渡体系样品中超导临界温度的高低依赖于样品结构的正交畸变程度;(4)本文中首次发现了不超导的四方相在100K附近结构相变可能存在的证据;(5)淬火温度较高的样品在高温区(>100K)的电导特性可以用样品中氧缺位的影响加以解释。 相似文献
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利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。 相似文献
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本文研究了Y替代Ca对Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO2层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d9态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO2层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d9L态)对应于超导体. 相似文献
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本文用差热分析、X射线物相分析及点阵常数的精确测定等方法,研究了新化合物——Sr2CdWO6的相变,证明该化合物在807℃±5℃存在一级位移型相变.低温相a-Sr2CdWO6属正交晶系,空间群为Pmm2,室温时点阵常数为a=8.1673,b=5.7436,c=5.8188.测量密度Dm=7.01g/cm3,单位晶胞内具有2个化学式量.高温相β-Sr2CdWO6属于立方晶系,空间群为Fm3m,在860℃时的点阵常数为a=8.201,z=4.本文还用X射线多晶衍射方法分别测定了上述a-Sr2CdWO6和β-Sr2CdWO6的晶体结构,并研究了相交机理和畸交度. 相似文献
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采用直流磁控溅射法在NdGaO3 ( 110 )衬底上制备了La2/3Ca1/3MnO3-δ外延单晶薄膜 .在 0~8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度TC 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H2 ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。 相似文献