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| C3N4的制备与结构分析——I.Si衬底上的样品 | |
| 引用本文： | 王恩哥,陈岩,郭丽萍,陈峰.C3N4的制备与结构分析——I.Si衬底上的样品[J].中国科学A辑,1997,40(1):49-53. |
| 作者姓名： | 王恩哥 陈岩 郭丽萍 陈峰 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 北京 100080 |
| 摘 要： | 采用偏压辅助热丝化学气相沉积方法,在Si衬底上合成晶态β-和a-C3N4材料.并观察到过渡层C3-xSixNy的形成.同时提出“晶格匹配选择生长条件”,对由C3N4六棱柱单晶棒组成的花状晶团的生长机理给出了定性的解释。 |
| 关 键 词： | C3N4六棱柱单晶棒 C-Si-N过渡层 生长模型 |
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