一种检测超光滑表面粗糙度方法的初步研究

本文依据软Ｘ射线标量散射理论，给出了一种用软Ｘ射线全积分散射检测超光滑表面粗糙度ＲＭＳ值的方法，并设计和建立了测试装置，得到了新的测量结果     

正入射Mo/B_4C软X射线多层膜

采用Ｍｏ／Ｂ４Ｃ材料在短波长波段（λ＜１０．０ｎｍ）进行软Ｘ射线多层膜实验研究。在指定波长（８．０ｎｍ附近）处对多层膜进行结构设计，并制备出了周期结构准确的Ｍｏ／Ｂ４Ｃ多层膜样品。     

回火金属玻璃小角X射线散射强度的背底校正

提出校正回火金属玻璃（非晶合金）小角ｘ射线散射强度的背底误差的方法：将淬火态非晶合金的小角Ｘ射线散射强度作为在相同的实验条件下得到的回火非晶合金小角Ｘ射线散射强度的背底而予以扣除。并将这样扣除背底和用通常方法扣除背底得到的结果相比较，由前者得到的散射强度遵从Ｐｏｒｏｄ律，并进而得到Ｐｏｒｏｄ常数Ｋ_p＝４．６×１０^-2（ｎｍ^-3），积分不变量Q_s＝１．６３（ｎｍ^-2），比内表面Ｓ_p＝８４ｍ²／ｃｍ³，Ｐｏｒｏｄ半径Ｒ_p＝４．４ｎｍ用通常方法扣除背底后的散射强度不满足Ｐｏｒｏｄ规律。 关键词：     

类Ne锌X射线激光的实验研究

介绍了在“星光”装置上进行的类Ｎｅ锌Ｘ射线激光实验．激光器输出能量为１８０～２００），单脉冲泵浦时观测到２６．２ｎｍ、２６．７ｎｍ（Ｊ＝２—１）两条激光线，加预脉冲方式泵浦时观测到了２１．２ｎｍ（Ｊ＝０—１）、２６．２ｎｍ、２６．７ｎｍ（Ｊ＝２—１）和３１．４ｎｍ（Ｊ＝２—１）四条激光线。     

X射线散射法测量Wolter-I型掠入射望远镜的表面粗糙度（英文）

研究X射线散射法在软X射线掠入射望远镜反射镜的表面粗糙度测量中的应用。首先,在光滑表面近似和细光束条件下,根据Harvey-Shack表面散射理论得出反射镜的面形仅影响总反射光分布中的镜向部分,对散射部分的影响可以忽略不计;然后设计了X射线散射法测量Wolter-I型软X射线掠入射望远镜的表面粗糙度的实验方案,并且对引起系统误差的主要因素进行了分析,确定了进行仿真实验时的参数;最后用Zemax对实验方案进行了仿真。在空间频率高于28/mm时,表面粗糙度的仿真测量结果与真值吻合得非常好。本文研究结果显示:在光滑表面近似和细光束条件下,反射镜的面形仅影响表面粗糙度的低频部分的测量准确性,对高频部分测量准确性的影响可以忽略不计,利用X射线散射法可以准确测量软X射线掠入射望远镜的表面粗糙度。     

非晶PET纤维的分子链段取向分布的研究

用对称透射法,收集在室温下不同拉伸比的非晶聚酯（ＰＥＴ）纤维之二有Ｘ射线散射（ＷＡＸＳ）强度函数Ｉ（κ,α）,采用自编ＭＰＳ９６型全谱分峰程序,将不同方位角α测得的ＷＡＸＳ强度曲线上的４个非晶重叠峰进行分解,获得分子链间原子 射引起的２个峰为：ＫＡ＝０．１４１ｎｍ＾－１,ＫＢ＝０．１７２ｎｍ＾－１;分子链内原子 射引起的２个峰为;ＫＣ＝０．３１１ｎｍ＾－１,ＫＤ＝０．５５５ｎｍ＾－１,详细分析了     

1.06μm激光辐照金盘靶的软X光转换

在１．０６μｍ激光辐照金盘靶实验中，利用坪响应Ｘ光二级管探测器测量了软Ｘ光能量（０．１－１．５ｋｅＶ）角分布，得到了软Ｘ光转换效率。实验条件：激光波长λＬ＝１．０６μｍ，ＥＬ＝６０－５００Ｊ，τｐｍ≈８００ｐｓ，ｆ／１．７，ＩＬ＝１０＾１＾３－１０＾１＾４Ｗ／ｃｍ＾２。实验结果表明：软Ｘ光能量角分粗略呈α＋ｂｃｏｓθ分布，软Ｘ光转换效率随激光强度的增加而降低。当靶面激光焦斑直径２３５μｍ，激光强度     

金M带谱时空特性测量

给出了金Ｍ带发射的空间尺度和时间尺度。用晶体配软Ｘ光条纹相机测得三倍频激光与金平面靶相互作用金Ｍ带发射的时间尺度：ＥＬ＝４６Ｊ，τ＝５７１ｐｓ时，金Ｍ带发射持续时间（ＦＷＨＭ）～８５０ｐｓ。用狭缝配晶体谱仪测得金Ｍ带发射的空间尺度：λ＝１．０６μｍ，ＥＬ＝１０６Ｊ，τ＝５５０ｐｓ时，金Ｍ带发射的空间尺度（ＦＷＨＭ）为５７μｍ；λ＝０．３５μｍ，ＥＬ＝２５～３８Ｊ，τ＝４８０～５７０ｐｓ时，金Ｍ带发射的空间尺度（ＦＷＨＭ）为２７～３９μｍ。     

α—NiSO4.6H2O晶体磁园二色谱和吸收谱的研究

用磁园二色谱和光吸收谱对α－ＮｉＳＯ４．６Ｈ２Ｏ晶体进行了测量和研究，实验结果表明在λ＝１８５～３３００ｎｍ范围内存在一系列吸收结构，其中三个主要主要吸收带结构分别对应于晶体中Ｎｉ离子基态到有关激发态的ｄ－ｄ跃迁，对它们进行了初步指认，实验中观测到红带的λ＝６５４ｎｍ和λ＝７１３ｎｍ两结构间存在一系列弱的结构峰，它们主要与自旋轨道耦合相互作用结果有关，在磁园二色谱中还观测到λ＝５８５ｎｍ的强吸收峰     

北京同步辐射装置X射线漫散射实验站及准周期非晶多层膜的X射线非镜面散射研究

讨论了北京同步辐射装置的４Ｗ１Ｃ光束线和Ｘ射线漫散射实验站的技术特点．利用在漫散射实验站上获得的能量分辨率为４．４×１０－４、光斑大小为０．５ｍｍ（水平）×０．３ｍｍ（垂直）的聚焦单色Ｘ射线光束，研究了准周期非晶多层膜的Ｘ射线漫散射──非镜面散射．实验结果表明，准周期多层膜的漫散射强度分布在倒空间中与表面平行的条纹上并形成散射强度的调制．对散射强度调制进行的模拟计算得到相当满意的结果．     

Sr3SiO5:Eu2+材料光谱特性研究

采用高温固相法制备了用于白光LED的Sr3SiO5:Eu2+材料.研究了合成温度及Sr/Si对样品光谱特性及结构的影响.结果显示,随合成温度的升高或Sr/Si的减小,样品的主发射峰均产生了明显的红移,同时,样品的晶体结构也受到了影响.利用InGaN管芯激发Sr3SiO5:Eu2+材料,表现出显色性较好的白光发射光谱,色坐标为(x=0.348,y=0.326).     

Optical Limiting Effect of SiO_2 Gel Containing C_(60)

ＯｐｔｉｃａｌＬｉｍｉｔｉｎｇＥｆｆｅｃｔｏｆＳｉＯ＿２ＧｅｌＣｏｎｔａｉｎｉｎｇＣ＿（６０）￥ＸＩＡＨａｉｐｉｎｇ；ＺＨＵＣｏｎｇｓｈａｎ；ＧＡＮＦｕｘｉ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓａｎｄＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉｃｓ，Ａｃａｄ...     

Study on Laser Conditioning of Optical Coatings

ＳｔｕｄｙｏｎＬａｓｅｒＣｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇｏｆＯｐｔｉｃａｌＣｏａｔｉｎｇｓ￥ＺＨＡＯＱｉａｎｇ；ＦＡＮＺｈｅｎｇｘｉｕ；ＷＡＮＧＺｈｉｊｉａｎｇ（ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓａｎｄＦｉｎｅＭｅｃｈａｎｉｃｓ，Ｃｈｉｎｅｓ...     

Characterisation of sol-gel prepared (HfO2)x(SiO2)1-x (x=0.1, 0.2 and 0.4) by 1H, 13C, 17 O and 29Si MAS NMR, FTIR and TGA

The HfO2-SiO2 system is attracting interest as a possible new dielectric material in semiconductor devices. Knowledge of the location of hafnium within the silica network and the effect hafnium has on the structure will be central to the successful use of this material system in this application. Here, sol-gel techniques have been used to manufacture (HfO2)x(SiO2)1-x samples (x=0.1, 0.2 and 0.4, each heat treated at 250, 500 and 750 degrees C) and these have been characterised by magic angle spinning (MAS) NMR (1H, 13C, 17 O, 29Si), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and thermogravimetric analysis. 29Si MAS NMR showed that increasing the hafnia content decreases the connectivity of the silicate network, i.e. increases the range of differently connected SiO4 (Qn) units with more having increased numbers of non-bridging oxygens (i.e. lower n). FTIR and 17 O MAS NMR showed unequivocally that the x=0.4 sample phase-separated at higher temperatures, while in the x=0.1 sample the hafnium was homogeneously mixed into the SiO2 phase without any phase separation.     

利用共溅射方法实现硅基材料上的纳米Ge的可见光发射

如何实现硅基材料的发光,一直是很受重视的一个研究方向。以往是通过硅基外延生长直接带隙材料或锗硅超晶格的途径实现Si基材料发光。90年代初发倪的多孔硅发光[1],引起人们的广泛关注,对多孔硅的制备工艺、发光特性、机理和定性以及可能的应用等方面进行了广泛的研究。但至今尚没有阐明发光机理,而且多孔硅存在结构脆弱、对环境敏感、不易实现电注入等问题。     

制备温度对(Mg1-x-yBaxSry)1.95SiO4∶0.05Eu 荧光粉三元相图及色像图的影响研究

采用高温固相法分别在1 150,1 200和1 250 ℃制备(Mg_1-x-yBa_xSr_y)_1.95SiO₄∶0.05Eu荧光粉系列样品,通过XRD、PL和紫外发光照相记录,建立起组分-物相-色像对应关系,推导得到其三元色像图,并探讨制备温度对物相及色像影响。物相分析表明：(Mg_1-x-yBa_xSr_y)_1.95SiO₄∶0.05Eu荧光粉物相组成与组分间存在渐变性,从单组分点出发物相组成数目逐渐增多且各物相含量连续变化,在富Ba2+端形成Ba₂SiO₄相单相区;随着温度升高,Ba₂SiO₄单相区扩大(Mg2+(Sr2+)在1 150,1 200和1 250 ℃固溶度为20_at%(30_at%),30_at%(35_at%), 35_at%(40_at%)),混合相区同一组分点物相组元数减少(若该组分点包含α-Sr₂SiO₄和Ba₂SiO₄相则其含量增加)。光谱分析表明：同一样品在365 nm激发下比254 nm激发下绿光波段荧光发射强但红光光波段发射弱;荧光颜色和亮度也随组分、相组成呈渐变性,Ba₂SiO₄单相区为绿色荧光且随Sr2+和Mg2+固溶荧光亮度提高,在混合相区随着Ba2+含量减少荧光颜色由绿变红,红光区域随着Mg2+减少亮度逐渐减弱[如：(Mg_1-ySr_y)₂SiO₄∶Eu系列随y增大由亮红变成暗红];随着温度升高,Ba₂SiO₄单相区内荧光粉亮度整体提高且最亮荧光粉组分中Mg2+和Sr2+固溶度提高;混合相区荧光强度整体提高,且绿色荧光粉组分区域增大(如：在254 nm激发下,(Mg_1-xBa_x)_1.95SiO₄∶0.05Eu系列由红色变成绿色时x_{1 150 ℃}=0.5,x_{1 200 ℃}=0.4,x_{1 250 ℃}=0.3,(Ba_1-ySr_y)_1.95SiO₄∶0.05Eu系列由绿色变成红色时y_{1 150 ℃}=0.6,y_{1 200℃}=0.7,y_{1 250 ℃}=0.8,(Ba_x(Mg_0.2Sr_0.8)_1-x)_1.95SiO₄∶0.05Eu系列由红色变成绿色时x_{1 150 ℃}=0.5,x_{1 200 ℃}=0.4,x_{1 250 ℃}=0.3)。研究建立了(Mg_1-x-yBa_xSr_y)_1.95SiO₄∶0.05Eu粉体组分-结构(相)-制备(温度)-性能(荧光)对应关系;优选出(Mg_0.35Ba_0.6Sr_0.05)_1.95SiO₄∶0.05Eu/(Mg_0.6Sr_0.4)_1.95SiO₄∶0.05Eu等高效绿色/红色荧光粉;发现单相比混合相绿色荧光粉亮度高,固溶度提高有利于Ba₂SiO₄单相绿色荧光粉效率的提高;温度提高扩大了Ba₂SiO₄单相荧光粉、混合相区绿色荧光粉区域,且提高(Mg_1-x-yBa_xSr_y)_1.95SiO₄∶0.05Eu荧光粉整体亮度。由(Mg_1-x-yBa_xSr_y)_1.95SiO₄∶0.05Eu系列荧光粉得出的色像随组分、温度渐变规律可应用于其他组元荧光粉优选,对新发光材料的系统开发具有一定指导意义。     

溶胶—凝胶工艺提拉法制备二氧化硅增透膜

采用溶胶-凝胶工艺用提拉法在石英基片上制备了具有优良的光学特性、高激光损伤阈值和均匀性良好的多孔二氧化硅单层增透膜和“有机硅-SiO₂”双层增透膜系.考察了提拉速率对透射特性的影响,并比较了提拉法和液面下降法对所制备膜层的厚度的影响.透射光谱测量表明,在钕玻璃高功率激光的基频(1060nm)、倍频和三倍频等重要激光波长处均得到较为理想的增透,透射率达到99%以上.     

层间热处理对SiO2/ZrO2双层膜的影响

 以正硅酸乙酯和丙醇锆为前驱体,用溶胶-凝胶法在K9基片上提拉镀制SiO₂/ZrO₂双层膜。采用不同实验步骤制备了2个样品,样品1镀完SiO₂后直接镀ZrO₂ ,样品2镀完SiO₂经热处理后再镀ZrO₂。采用原子力显微镜、椭偏仪、紫外-可见分光光度计对薄膜进行表征。针对SiO₂/ZrO₂双层膜,考虑到膜间渗透的影响,采用３层Cauchy模型进行椭偏模拟,椭偏参数的模拟值曲线与椭偏仪的测量值曲线十分吻合,进而发现热处理可以使SiO₂/ZrO₂双层膜之间的渗透减少近23 nm,从而提高其峰值透射率。利用输出波长1.064 mm,脉宽8.1 ns的激光束对样品进行了损伤阈值的测试,用光学显微镜观察损伤形貌,结果发现两者损伤阈值分别为13.6 J/c2和14.18 J/cm²,均为膜的本征损伤。     

北京同步辐射软X光反射率计装置及其物理工作

介绍了安装在北京同步辐射装置上专门用于软X光多层膜研究的反射率计系统,给出了在该装置上测量得到的Al滤光片的软X光透射谱和Nb/Si多层膜的高角反射谱,用磁控溅射方法自制的Nb/Si多层膜样品在17.59um附近得到的反射率为32%.     

(Mg1-x-yBaxSry)1.95SiO4∶0.05Eu荧光粉的光谱研究及紫外激发色像图建立

采用高温固相法制备了新型(Mg1-x-yBaxSry)1.95SiO4∶0.05Eu荧光粉,其中包括3个二元碱土离子配比系列和3个代表性三元碱土离子配比系列(Ba不变而Mg/Sr比连续变化、Mg/Sr比不变而Ba含量连续变化)共计6个系列,并研究其光谱性能(激发谱和发射谱)、紫外(254和365 nm)发光照相记录及CIE值对应色像。借鉴三元相图的建立思路,由这些二元和代表性三元数据推导三元色像图,用于新型荧光粉的系统开发。所制备的荧光粉系列包括:Mg2SiO4-Sr2SiO4,Ba2SiO4-Sr2SiO4,Mg2SiO4-Ba2SiO4,Ba原子比含量为0.2(Mg/Sr原子比连续变化),Ba原子比含量为0.6(Mg/Sr原子比连续变化),Mg/Sr原子比为1/4(Ba原子比含量连续变化系列)。其对应的254 nm激发下光谱性能、发光照相记录、和CIE色像分析表明:Eu离子可以三价和二价形式存在于(Mg1-x-yBaxSry)2SiO4中;二元系列中(Mg1-xBax)2SiO4和(Ba1-ySry)2SiO4基体中随着Ba原子比的增加荧光粉逐渐由红(对应Eu3+5D0→7F1和5D0→7F2电子跃迁窄带发射)变绿(对应Eu2+4fn-15d→4fn电子跃迁发射宽带发射)且前者变化的更快;二元系列中(Mg1-ySry)2SiO4系列为红色荧光粉,且随着Sr含量增加红色发光增大;三元系列中(Bax(Mg0.2Sr0.8)1-x)2SiO4(Mg/Sr=1/4)随着Ba离子量增加荧光粉也逐渐由红变绿,其变化速度介于Mg/Sr比等于0(即Ba2SiO4-Sr2SiO4系列)和Mg/Sr比等于∝(即Ba2SiO4-Mg2SiO4系列);三元系列中(Ba0.2SryMg0.8-y)1.95SiO4为红色荧光粉,而(Ba0.6SryMg0.4-y)2SiO4随着Mg/Sr原子比增加逐渐由红转蓝绿光。365 nm激发下荧光发射的变化规律与254 nm激发下大体一致,但是同一样品在365 nm激发下其绿光波段发射要比254 nm激发要强且其红光波段发射要比254nm激发要弱,故(Mg1-xBax)2SiO4,(Ba1-ySry)2SiO4,(Bax(Mg0.2Sr0.8)1-x)2中对应的由红变绿时Ba含量分别为40at%,60at%,60at%(254 nm激发下60at%,80at%,70at%)且(Ba0.6SryMg0.4-y)2SiO4中由红变绿的Mg/Sr比为1/4(254 nm激发下为2/3)。据此建立Eu掺杂Ba2SiO4-Mg2SiO4-Sr2SiO4紫外激发色像图。借由色像图可知(Mg1-x-yBaxSry)1.95SiO4∶0.05Eu荧光粉紫外激发下发射光变化规律,即基体组分靠近Ba2SiO4端发射绿色而靠近Mg2SiO4或Sr2SiO4端发射红色,Mg/Sr比越大随着Ba原子的增加荧光粉的由红转绿的速度越快;同一样品在365 nm激发下其绿光波段发射要比254 nm激发要强且其红光波段发射要比254 nm激发要弱,(Mg1-x-yBaxSry)1.95SiO4∶0.05Eu荧光粉中当Ba>80at%,Mg>90at%(或Sr>80at%)荧光粉可分别用作高效绿色、红色荧光粉;此外,当组分为(Mg0.8Sr0.2)1.95SiO4∶0.05Eu,(Ba0.8Mg0.16Sr0.04)1.95SiO4∶0.05Eu是紫外激发下(254和365 nm)最好的红色和绿色荧光粉。