La0.7Ca0.3MnO3/MgAl2O4复合样品的电输运特性

我们用传统的固相反应法制备了(La0.7Ca0.3MnO3)1-x(MgAl2O4)x复合样品.通过XRD分析发现在此系列复合样品中La0.7Ca0.3MnO3和MgAl2O4两相共存;电阻率温度关系分析表明MgAl2O4的引入没有改变母体相在温度TP1处本征的金属-绝缘体转变峰,但使复合样品在较低温度TP2处出现另外一个电阻率峰值.有趣的是,随着MgAl2O4掺量的增加,在低掺量时,TP2向低温偏移很快;但在高掺量时,TP2向低温偏移较慢.     

钙钛矿结构La1-xSrxCoO3(x=0.7,0.8,0.9,1.0)样品的铁磁相变和绝缘-金属转变

利用固相反应法及溶胶凝胶法我们制备了多晶La1-xSrxCoO3(x=0.7,0.8,0.9,1.0)样品.X射线衍射谱表明,La1-xSrxCoO3样品呈ABO3型钙钛矿结构,晶格常数随着x的增加而增大.与钙钛矿结构的锰氧化物类似,电阻率随温度变化以及磁化强度随温度变化的关系强烈依赖于掺杂浓度.x=0.7和0.8的样品在低温下显示铁磁性,而x=0.9和1.0的样品磁化强度随温度变化没有显示铁磁转变.电阻率随温度的变化似乎与磁化率测量相对应,在x=0.8和0.9样品之间存在绝缘-金属转变.     

La_(0.7-x)Gd_xSr_(0.3)MnO_3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)的TCR研究(英文)

研究了La位Gd掺杂对La0.7-xGdxSr0.3MnO3(x=0.20,0.30,0.40,0.50)体系的电阻温度系数(TCR)的影响.实验结果表明:Gd掺杂将引起电阻率曲线的急剧变化,导致出现大的TCR;而且随Gd掺杂的增加,TCR在x=0.30出现峰值,然后随掺杂量增加逐步降低.体系出现大的TCR,来源于Gd掺杂引起的额外磁性耦合.     

稀土掺杂(Sm、Gd、Dy)对La0.7Sr0.3MnO3室温磁电阻效应的增强

用固相反应法制备了La0.7-xSmxSr0.3MnO3,La0.7-xGdxSr0.3MnO3和La0.7-xDyxSr0.3MnO3(x=0.00,0.10,0.20,0.30)系列样品.通过M～T曲线,ρ～T曲线,研究了用稀土离子替代La对La0.7Sr0.3MnO3居里温度Tc和磁电阻的影响.结果表明:稀土离子掺杂是改变钙钛矿锰氧化物居里温度和增强MR的有效途径;适量掺杂可以在室温附近产生大的磁电阻.     

La1-xAgxMnO3和La1-xNaxMnO3的对比研究

本文研究了La1-xNaxMnO3和La1-xAgxMnO3结构、磁性、电输运等.特别是研究了La0.8Na0.2MnO3的内耗特性.XRD研究发现La1-xNaxMnO3和La1-xAgxMnO3的结构均为R3C,但是不同的是对于La1-xAgxMnO3,当x>0.25时有Ag单质吸出.从磁化强度随温度的变化看出所有的样品都在室温或室温以上有顺磁到铁磁的转变,而且随着掺杂量的增加,居里温度也在增加.电输运研究发现对于La1-xNaxMnO3,x=0.15的电阻率最小,随掺杂量增大电阻率增大;x≥0.15的样品中存在电阻双峰.而对于La1-xAgxMnO3电阻率随掺杂量增加而减小;x<0.2的样品中存在电阻双峰.在La0.8Na0.2MnO3的内耗测量中发现了具有相变峰特征的内耗双峰.我们认为这种电阻双峰和内耗双峰来源于样品中存在A位空位,导致了样品中存在电子相和磁相的不均匀,即相分离.就是在样品存在着铁磁相和反铁磁相共存.     

Ba 掺杂对LaCrO3 物性的影响

通过固相反应法制备了具有钙钛矿结构的La1-xBaxCrO3 (0≤x ≤0.3)多晶样品, 利用X 射线衍射对其晶体结构进行表征, 并对X 射线衍射数据进行了精修, 获得La1-xBaxCrO3 系列样品的晶体结构数据, 测量了所有样品在低温下的磁化强度和电阻率, 随着Ba 含量的增加, 反铁磁转变温度降低, 在反铁磁转变温度以下, 反铁磁性与铁磁性共存,La1-xBaxCrO3 在低温下的电阻率表现出半导体特性, 随Ba 含量的增加电阻率降低.     

多晶La0.7Sr0.3MnO3的低温输运性质和磁电阻效应

详细研究了由纳米晶粒组成的块体多晶La_0.7Sr_0.3MnO₃(LSM)的电阻率和磁电阻效应,以及它们的温度依赖性.随着温度从室温降低,电阻率(ρ)在250K附近存在一最大值,低于该温度后,样品表现为金属导电特性,随后在50K附近存在一极小值.也就是说在低于50K的温度范围内,随着温度降低ρ反而升高,表现为绝缘体性的导电特性.经研究发现,这种随温度降低ρ反而增加的现象与隧穿效应的理论模型(lnρ∝T^-1/2)符合得很好 关键词： 0.7Sr_0.3MnO₃')" href="#">多晶La_0.7Sr_0.3MnO₃ 隧道效应 隧道磁电阻效应     

(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格间隔的La0.7Sr0.3MnO3三明治结构制备及表征

采用射频磁控溅射的方法在SrTiO3(001,基片上制备了(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格间隔的La0.7Sr0.3MnO3三明治结构.X射线衍射分析证明(La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n具有明显的超晶格结构.电流垂直于薄膜表面测得的电阻-温度关系表明.La0.7Sr0.3MnO3)m(BiFeO3)n超晶格薄膜在290 K有金属-绝缘体转变,略低于单层La0.7Sr0.3MnO3薄膜的转变温度.电流在0.01-10 mA范围内,观察到薄膜的峰值电阻随电流增大而减小,峰值变化率远大于单层La0.7Sr0.3MnO3薄膜,且随着超晶格周期厚度的增加而增大.低温下,电流-电压曲线表明其导电机制应主要为空间载子限制,且显示较大的电压偏置,表现出肖特基结的特性.     

La0.7Ca0.3MnO3中的双交换作用与小极化子效应

本文研究了La0.7Ca0.3MnO3多晶样品的输运性质、电子顺磁共振(EPR)谱随温度的变化规律.实验发现,材料电阻率、热电势在居里温度附近各形成一个尖锐的峰,而在居里温度上、下有着完全不同的变化规律,EPR谱结果也与之完全吻合.可以认为在居里温度以下双交换作用使eg电子退局域而减小电阻率;而在居里温度以上由Jahn-Teller晶格畸变形成的小极化子使eg电子局域化而增大电阻率.进而证实是双交换作用和小极化子效应共同导致了CMR效应的出现.     

高压合成La填充型CoSb3方钴矿热电材料及其电输运性能

 采用高温高压手段,在压力3.5 GPa、温度900 K的条件下,成功合成出La填充型方钴矿热电材料La_xCo₄Sb₁₂（0相似文献   

失碳倍半萜内酯晶体结构测定

失碳倍半萜内酯的分子式为C₁₄H₂₀O₃,属正交晶系,空间群为D₂⁴-P2₁ 2₁ 2₁。晶胞参数为α=7.526(3)?,b=24.642(10)?,c=6.887(2)?。晶胞内分子数z=4,计算密度D_x=1.23(g·cm^-3。用RASA-IIS四圆衍射仪收集衍射强度数据。用直接法(MULTAN-80)测定晶体结构时曾遭遇失败,改善了起始套衍射点的指标分布后,才获得正确结构解。用准对角矩阵最小二乘法修正了结构参数,对全部独立可观察点,R=0.059。由差值Fouruer综合获得了全部氢原子坐标。最后就原起始套失败的原因和新选起始套的依据作了必要的分析。 关键词：     

二氢沉香呋喃倍半萜的2D NMR研究

利用¹H-¹³C相关(¹H-¹³C COSY)谱对1β-乙酰氧基-2β(α-甲基丁酰氧基)-6α-羟基-8β,9α-二苯甲酰氧基-β-二氢沉香呋喃(A),和1β-乙酰氧基-2β(α-甲基丁酰氧基)-6α-羟基-8β(β-呋喃甲酰氧基)-9α-苯甲酰氧基-β-二氢沉香呋喃(B)的¹³C NMR谱化学位移进行了全指定,利用¹H-¹H远程相关(¹H-¹H COSYLR)谱确定了化合物A和B中6-Ha和7-He,8-He和9-He的弱偶合,以及7-He和9-He的弱W型远程偶合.     

黄河矿超结构的测定

黄河矿是在我国发现的一种钡铈氟碳酸盐新矿物,其理想化学式为BaCe[Fl(CO₃)₂],本矿物属三方晶系,利用四圆衍射仪收集强度数据,测得α=b=5.070(±0.003)?,c=38.408(±0.005)?,空间群为R3m. z=6,本文在前人工作的基础上,对该矿物进行了较为精确的测定,最后的偏离因子R=0.041。本文还对黄河矿赝结构及超结构的关系作了探讨,与前人工作进行了对比,对类似矿物的修正方案提出看法,对个别实验数据作了讨论。 关键词：     

氯代通关素晶体结构测定

氯代通关素分子式为C₂₃H₃₃O₅Cl。结晶属单斜晶系,空间群为C₂²P2₁,晶胞参数a=15.782(7)?,b=8.454(4)?,c=8.074(4)?,β=101.08(21)°,晶胞内分子数z=2。用PW-1100四圆衍射仪收集衍射强度数据,独立衍射点为2097个。用直接法(MULTAN-78)测定晶体结构,结构参数的修正采用准对角矩阵最小二乘法,R为0.075。由差值Fourier图获得氢原子位置,两个甲基上的氢原子则呈现位置无序性质。氯代通关素分子保持了通关素分子的构象特征,B环与C环,C环与D环明显地呈现顺式联结。 关键词：     

α-氯代桂皮酰另丁胺晶体结构测定

α-氯代桂皮酰另丁胺(反式异构体)的分子式为C₁₃H₁₅ONCl,属正交晶系,空间群为P_bca,a=18.842(0.006)?,b=14.076(0.006)?,c=10.077(0.003)?,晶胞内分子数z=8。用RASA-IIS四圆衍射仪收集衍射强度数据,独立的可观察衍射点929个。用直接法(MULTAN-80)测定其结构。以全部可观察点强度数据用准对角矩阵最小二乘法修正结构参数,R=0.088. 关键词：     

热阴极电离真空计的线性理论

从繁流放电理论可直接导出热阴极电离真空计的特性方程,证明通常的概念即在热计的电子流i_e一定时其离子流i₊与压强P成正比的关系,只在离子流甚小于电子流时才能成立。在被测气体的压强较高时,离子流和压强之间呈现下列指数关系: i₊/i_e=1-e^{(-(K₁P-K₂P2))}(K₁及K₂为常数),且随着压强的增长而逐步趋于饱和。进一步的推导则得出,当容许测量误差为1％时,热计的线性上限(临界压强)为P_c=0.22/Г,此处Г为热计的灵敏度。这种理论可以容易地解释近年来一些实验工作者例如Nottingham,Schultz,Goto,Hinzpeter等的实验结果。此外我们还使用了特殊设计的“封闭式”电离计作实验,得到的结果和理论预计十分符合。这种电离计本身则可用作10^-7～0.6托的宽程量具。 关键词：     

稠苯芳杂环及其烷基质子化学位移的计算

本文提出了予测稠苯芳杂环及其烷基链上质子化学位移的计算方法。 将稠苯芳杂环化合物用凯库勒式表示,计算式为为需考虑的苯环内的乙烯基效应。σ_mi,ci为各苯环的环流效应。σ_1,Hc为各芳杂环的屏蔽效应,对杂环上质子它就是该单独芳杂环上相应质子的δ值,对苯环上质子要将它分解为各结构因素的效应,即:σ_1,He=(1/2)^d-1δ_x=y(或σ_z)+σ_c-c·σ_m,H. σ_x-y与σ_z为杂原子或其基团的屏蔽效应,σ_c=c为存在于芳杂环中的乙烯基的效应,σ_m,Hc为芳杂环的环流效应,d为对不同质子所考虑的键数。有取代基时需考虑取代基的效应。计算环上烷基质子的公式为:δ=σ_p,CH3+ασ_c,CH3+βσ_t,CH3+σ_l,G σ_l,G为稠苯芳杂环基的某级效应。     

二甲亚砜硝酸铕的晶体结构

二甲亚砜硝酸铕Eu(NO₃)₃·4DMSO晶体属单斜晶系。空间群为C_2/c-C⁶_2h。晶胞参数a=14.806(9)?,b=10.948(3)?,c=15.335(4)?,β=108.07(7)°晶胞内分子数z=4。用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点数为2270个。用重原子法解晶体结构。结构参数用全矩阵及方块矩阵最小二乘法修正,最后R因子为0.069。铕离子由10个氧原子配位。铕和配位氧之间的距离:Eu—O_DMSO=2.38?,Eu—O_(NO3)=2.61?。 关键词：