套管法Nb_3Al前驱线中Nb/Al界面扩散反应过程

利用套管法制备了Nb-Al七芯前驱体线材,并通过等温热处理的方式分别在700~1500℃对其进行热处理,研究了Nb-Al二元体系在其界面处的反应成相过程.研究发现700℃热处理的样品在其界面处只形成了NbAl3反应层;800~900℃热处理的样品界面处又形成一层Nb:Al≈1:1新反应层;随着热处理温度的增加到1000℃,界面处出现Nb2Al反应层,并随热处理温度的增加Nb2Al反应层的厚度增加;1400℃和1500℃热处理的样品中开始观察到了少量的Nb3Al相,磁性测量表明1400℃和1500℃条件下热处理样品的起始超导转变温度分别为14K和15.8K,说明套管法制备的Nb-Al前驱体线材在1400℃以上热处理可以获得Nb3Al超导相,但由于Nb3Al相中的Al含量偏离理想化学计量比,导致其超导转变温度偏低.     

Hg掺杂对BaPb1-xBixO3超导体中Pb和O的化学环境的影响

采用XPS方法对BaPb1-xBixO3超导体以及Hg掺杂BaPb1-xBixO3超导体进行了对照研究,结果表明当Hg取代Pb后,位于18eV和22eV的价带的强度发生变化并与样品的超导转变温度相关联,O1s和Pb4f谱峰也随Hg掺入而发生位移,说明随Hg的掺入BaPb1-xBixO3超导体的化学环境发生改变.     

La1-x／2Pr1-x／2SrxCuO4的电输运性质和超导电性

La1-x/2Pr1-x/2SrxCuOy(LPSCO)多晶样品采用传统的固相反应法制备.X射线衍射表明:LPSCO具有典型的空穴搀杂的T-214相的结构.磁化率测量显示:Sr搀杂在0.05≤x≤0.30范围内具有超导转变;Tc随x的增大呈抛物线形式变化,且在x=0.18时达到最大值28K.电阻的测量显示:随搀杂量的增大,系统呈现从绝缘到半导体,最后到金属的导电行为的变化;在欠掺杂区,正常态电阻温度关系符合ρ(T)=ρ0 αT-ClnT;而在过掺杂区,对数项消失.本文从替代所引起的晶体结构和载流子特性变化解释了Sr掺杂样品的电输运行为和超导特性.     

拓扑绝缘体Bi_2Te_3的热膨胀系数研究

利用低温X射线衍射研究了Bi2Te3晶体的线热膨胀系数.结果表明:拓扑绝缘体Bi2Te3晶体的线热膨胀系数α||和α⊥表现为各向异性,并遵从不同的温度依赖关系.反映a-a平面内的膨胀系数α⊥在较宽的温区内服从Debye关系,而反映垂直于a-a平面方向的膨胀系数α||在100 K左右就开始出现与Debye模型在定性上的差别.利用Debye模型并结合Bi2Te3晶体的面内和层间原子之间的键合特性对α||和α⊥所表现出的不同温度依赖特性进行了解释.     

跨音叶栅流场中Euler方程的对角化隐式算法

本文在非因式分解隐式通量分裂有限面积法的基础81提出了一种单向隐式对角化算法,并给出了相应的固壁边界条件的一种精确的隐式处理方法.数值结果表明,这种方法是高效率的。     

5d电子掺杂的SmFe_(1-x)Ir_xAsO铁基超导体的合成及物性

通过在SmFeAsO中Fe位上掺入5d过渡金属Ir,得到了一种新的铁基超导体SmFe1-xIrxAsO,当x=0.05时,样品表现出超导电性,超导转变温度为8K,当x=0.15时,超导转变温度达到最大值17.3K.X射线衍射结果表明所有样品均属四方ZrCuSiAs-type结构,SEM结果表明SmFe1-xIrxAsO样品具有片层状形貌特征.随着Ir掺杂量的增大,晶格参数a增大而c减小,结合EDX数据,表明Ir掺入了SmFeAsO晶格当中.     

激光真空传输通道及光学舱应力补偿技术

介绍了真空通道应力补偿结构的基本工作原理;研究了大温差环境下,激光束长距离真空传输通道的真空负压应力和热胀冷缩应力的自适应补偿技术和光学舱结构变形抑制技术;在整个光学系统上,开展了现场安装调试和真空负压应力考核,并进行环境温差变化情况下的光路传输稳定性试验验证。试验结果表明：解决了超长激光束真空传输通道在真空负压和大温差环境下的真空负压应力和热胀冷缩应力的自适应补偿问题和光学舱结构变形抑制问题;实现了传输通道真空负压应力自动平衡;消除了真空负压应力造成的光束漂移;实现了大温差环境下的真空负压通道结构热胀冷缩应力的自由释放;达到了光路长时间保持稳定的实际效果。     

5kW氧碘化学激光器研制

描述了研制的5kW氧碘化学激光器的系统组成和工作方式，并给出了调试的实验结果。研制该激光器主要用于超扩段性能优化研究和光腔气动参数对激光能量提取影响的研究，因此该装置各单元尽可能采用较成熟技术，系统组成主要包括单重态氧发生器、超音速喷管阵列、光学谐振腔、超扩段、供气系统、控制系统、真空系统、冷却系统。     

对化学氧碘激光器中O2(1Δg)气相传输温度的研究

本文在对O2(1Δg)最佳气相传输温度计算的分析基础上,从防止O 2(1Δg)在经过渡段的淬灭、气流温度对氧碘混合程度和对氧碘化学反应效率的影响三个方面进行了讨论,指出了获得最佳O2(1Δg)气相传输温度的途径.同时还讨论了实现激光器低温运行提高出光功率的可行性.     

不同反应温度对Hg掺杂MgB2样品的影响

利用固相反应法分别在700℃和850℃制备了Mg1.05-x(Hg)xB2多晶样品,其中x=0,1%,2.5%,5%,7.5%,10%.X射线衍射结果显示,随着掺入量的增加,700℃制得的样品杂相较多,且MgB2的量随x的增大而减少.而在850℃下制备的样品只出现了少量的氧化镁和高硼相.与Ag和Pb掺杂样品不同,晶格常数随掺杂量的增大而增大.Hg掺杂导致MgB2晶格常数变大的同时,也使得MgB2的超导转变温度下降,从而使得其超导临界电流密度下降.