非双交换作用巨磁电阻材料FeCr2-xGaxS4的输运行为

FeCr2S4是不存在双交换作用和Jahn-Teller畸变的巨磁电阻材料,本文用不变价的非磁性的Ca部分地替代Cr,发现体系的居里温度和出现巨磁电阻的峰值都向高温移动.实验上指出Ga替代减弱了Cr离子之间的自旋耦合,体系的铁磁性增强,使极化子载流推向高温区,低于居里温度退局域的裸子运动在磁性半导体中,所以巨磁电阻效应一直保留到远低于居里温度的温区.     

Nd0.5Pb0.5-xSrx (Mn, Fe)O3的局域结构畸变和磁输运性质的研究

通过X光衍射，穆斯堡尔谱和输运性质的测量研究了掺杂Fe的Nd0.5Pb0.5-xSrxMnO3样品的结构和磁输运性质。x光衍射和穆斯堡尔谱都表明了样品随Sr的增多结构畸变减小。Sr的掺杂同时也降低了室温时的电阻率并使磁电阻增大。由于在样品中Mn3+ 与 Mn4+的比率是一样的，也就意味着具有相同的双交换作用。所以Sr对样品性质的改变可以认为是由于晶格畸变所产生的。由于Jahn-Teller 效应而产生的Mn(Fe)O6八面体的局域结构畸变可以局域电子。由我们的实验可以看到在居里温度Tc以上，除了双交换作用之外，Jahn-Teller 效应对于输运性质也起了重要作用。     

La2/3Ca1/3MnO3薄膜的光致电阻率变化特性

射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3纳米薄膜(LCMO).该薄膜发生FM-PM相变的转变点温度为Tc≈308K(近似为电阻峰值温度Tp);在不同温度下的光电导性质实验表明所制备的LCMO薄膜在连续激光作用时低温段(TTc时,ΔR/R＜0,即光电导效应.调制激光脉冲光响应实验发现,光致信号强度和温度及偏置电流之间存在非线性关系:光致电阻率增大信号极大值为偏置电流的二次函数,而极大值对应的温度和偏置电流成线性关系,同时,光响应有一个截止温度,并且存在最佳光响应偏置电流和温度条件.分析认为LCMO薄膜的光致电阻率变化特性和材料的eg↓自旋电子的状态以及与此相应的小极化子的形成有关.     

Er低掺杂(0.0≤x≤0.20)对La0.67Sr0.33MnO3输运行为的影响

通过测量M-T曲线和ρ-T曲线,研究了Er低掺杂(0.0≤x≤0.20)对La0.67Sr0.33MnO3磁电性质的影响.发现La位被更小的稀土离子Er替代,居里温度Tc和磁化强度M都会降低,这被认为是由于A位离子半径减小导致更大的Mn-O-Mn键的畸变,从而削弱了双交换作用,同时稀土离子的局域磁矩会对体系的物理性质产生作用.在FM相主要是单磁子散射起作用,表现为金属型导电,可以用公式ρ=ρ0 AT2拟合,但在低温下偏离了T2关系, 这是由于Er离子的局域磁矩对载流子散射产生较大贡献的缘故; 在相变温区是PM相的小极化子与FM相的单磁子两种输运性质的共存.     

电子关联对顺式聚乙炔中双极化子附近局域振动模的影响

用自洽迭代的方法研究了顺式聚乙炔中双极化子的能谱及其附近的局域振动模.结果发现:1)在顺式聚乙炔中,双极化子的电子束缚态数目和位置仅取决于耦台参数λ和电子相互作用U,这类似于反式聚乙炔;参数t_l(消除基态二度简并)虽不能改变电子局域态的个数,但影响了双极化子附近局域模的数目.2)电子相互作用不仅使局域模的频率发生了漂移,而且增加了局域模的个数,这不同于反式,3)局域模的局域性随耦合参数λ以及电子相互作用U的增加而增强,随参数(?)的增大而减弱.     

Heusler合金Cu2VAl磁性及输运性质的研究

对Heusler合金Cu2VAl多晶甩带样品进行了磁性与输运性质方面的研究.实验发现Cu2VAl在温度T为210K附近发生铁磁-顺磁相变,为弱铁磁体.输运性质的测量表明在7.2K时电阻因局域杂质超导相变而发生突变,电子和声子之间的散射是主要的散射机理.居里温度Tc以下存在侧跃导致的反常霍尔效应,并且7K附近的相变导致霍尔电阻率发生异常.     

La(Fe,Si)_(13)化合物的居里温度机制

NaZn13型La(Fe,Si)13化合物随Si含量增加,相变性质由一级过渡为二级,化合物晶胞体积收缩,饱和磁化强度降低,居里温度升高.其居里温度与晶胞体积之间的关系不能用Bethe-Slater曲线给出合理的解释.本文利用添加间隙原子碳调节La(Fe,Si)13化合物晶胞体积和居里温度的方法,系统研究了该化合物居里温度与晶胞体积之间的关系.结果发现二者之间的变化规律遵循Jaccarino-Walker模型,即仅有5%甚至更少的3d电子被认为是真正的巡游电子,其余的3d电子仍是局域的.以极化的巡游电子为媒介,局域电子之间产生类似于Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida的长程相互作用,相互作用的符号和大小与距离呈周期性震荡.随Si含量的增加,La(Fe,Si)13化合物巡游电子数目增加,化合物的居里温度由晶胞体积和巡游电子的浓度共同决定.     

聚噻吩中双电子极化子附近的二维局域振动模

将聚噻吩的一维SSH孤子模型推广到二维平面,研究了聚噻吩双电子极化子附近的二维局域振动模.计算结果表明双电子极化子附近存在15个局域振动模,其中4个奇宇称模与4条强红外吸收谱线1020,1120,1200,1323cm^-1相对应,4个偶宇称模恰与4条Raman吸收峰700,1047,1175,1220cm^-1一致. 关键词：     

耦合双量子点的磁序与电子结构

耦合双量子点中电子间静电相互作用对电子在系统中隧穿效应具有重要影响.考虑电子隧穿,交换及Hubbard关联作用后,在单态近似下,本文求解了耦合双量子点二电子问题,讨论了铁磁基态及Mott局域化态出现的条件。这里的结果表明电子的隧穿不利于铁磁基态的形成,Hubbard关联越强越有利于Mott局域化态的形成,并且在交换作用下Mott局域化态会转变为铁磁基态. 此外,外场可以诱导磁序相的改变。     

碘掺杂聚对苯撑的EPR和σdc

本文对聚对苯撑及其掺碘的样品进行了电子顺磁共振和直流电导率的研究,并分别给出了σdc和EPR谱室温线宽ΔHpp对碘浓度N(I)的变化关系。由于掺杂而诱导的单极化子和双极化子态之间产生极化子跃迁,利用这种跃迁过程解释了此材料的导电性质。从电子顺磁共振的实验结果发现,电子顺磁共振信号与掺碘浓度呈现一种新的现象。试图探讨未掺杂及掺杂的聚对苯撑材料中自旋产生的原因。我们提出了在掺碘后的聚对苯撑材料中,由于碘在材料中以不同形式存在,影响单极化子和双极化子的形成,导致单极化子态和双极化子态之间相互转化的概念。