InAIAs／InGaAs／IIAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究

研究了si重δ掺杂In0．52Al0.48/In0.53Ga0.47As／In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应．研究表明，强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称．高迁移率系统中，粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运．因此，旧的理论模型不能用于拟合实验结果．由于最新的模型在实际拟合中过于复杂，一种简单可行的近似用于处理实验结果，并获得了自旋分裂能△。和自旋轨道耦合常数a两个重要的物理参数．该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas--SdH振荡分析获得的结果一致．高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明，发展有效的反弱局域理论模型，对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.     

高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子

利用化学束外延法制备了高迁移率的In_0.53Ga_0.47As/InP量子阱样品. 在样品的低温磁输运测试中, 观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass (SdH) 振荡和零场自旋分裂引起的拍频. 本文提出一种解析的方法, 即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱, 得到有效g因子的大小.     

AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究

首先把本征值方程投影到导带的子空间中, 进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α ₁, α ₂)和子带间自旋-轨道耦合系数η₁₂. 然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α ₁, α ₂和η₁₂, 并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献. 结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数, 子带间自旋轨道耦合系数η₁₂比Rashba自旋劈裂系数α ₁, α ₂小, 但基本在同一数量级.     

LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究

本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In_1-xGa_xAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev.     

Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型，建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上，采用全组态完全对角化方法，对Al₂O₃晶体中V³⁺的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明，V³⁺掺入Al₂O₃晶体后，上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al₂O₃:V³⁺晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上，研究了三角晶场下3d²离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现，自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的，微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.     

对称GaAs/Al0.3Ga0.7As双量子阱中激子的束缚能

在有效质量近似下采用简单的尝试波函数变分地计算了对称GaAs/Al_0.3Ga_0.7As双量子阱中激子体系束缚能，研究了体系束缚能随阱宽和垒宽的变化情况. 发现双量子阱中激子体系束缚能随阱宽变化同单量子阱情况类似，但束缚能的峰值出现在阱宽为10?左右，峰值位置小于单阱的情况；束缚能随垒宽的增加有一极小值，这与波函数向垒中的渗透有关.     

GaAs/AlxGa1-xAs球形量子点中的电子结构

详细讨论了GaAs/Al_xGa_1-xAs球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律，并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正. 另外，用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算，并对计算结果做了比较，发现它们符合的很好. 结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导.     

GeSi/Si多量子阱红外探测器波导结构的理论计算

本文采用传输矩阵的方法计算了Ge_xSi_1-x/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布,光场限制因子和有效吸收系数的影响,并给出了优化设计的结果.     

混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性

采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变In_xGa1-xAs_yP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期外延材料的芯片制作的LD,实现了TE和TM双偏振模激射.     

Tb0.3Dy0.7－xPrx(Fe0.9Al0.1)1.95合金的磁致伸缩、自旋重取向和穆斯堡尔谱研究

系统研究了室温下Tb_0.3Dy_0.7-xPr_x(Fe_0.9Al_0.1)_1.95 (x=0，0.1，0.2，0.25，0.3，0.35)合金中稀土元素Pr替代Dy对晶体结构、磁致伸缩、各向异性和自旋重取向的影响. 结果发现，x≤0.1时，Tb_0.3Dy_0.7-xPr_x(Fe_0.9Al_0.1)_1.95完全保持MgCl₂立方Laves相结构，0.1<x≤0.3，有杂相出现并且随Pr替代量逐渐增多；晶格常数a随Pr含量x的增加缓慢增大. 磁致伸缩测量发现，随着替代量x的增多磁致伸缩减小；x>0.2时超磁致伸缩效应消失. 然而，x=0.1时合金的磁致伸缩略大于没有替代的，而且磁致伸缩随磁场更易趋于饱和，说明Pr替代有助于降低磁晶各向异性. 内禀磁致伸缩λ₁₁₁随Pr替代量x的增加接近线性增加. 由相对磁化率随温度的变化关系可以看出，自旋重取向温度随Pr替代量的增多呈先增后降趋势，在x=0.1处出现极大值. 穆斯堡尔效应表明，随Pr含量的增加Tb_0.3Dy_0.7-xPr_x(Fe_0.9Al_0.1)_1.95合金中易磁化轴可能在{110}面上绕主对称轴作微小转动，发生自旋重取向. 与Al元素替代效应相比，Pr替代Dy对自旋重取向的影响相对较小.     

两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律

研究了低温(15K)和强磁场(0—13T)条件下, InP基In_053Ga_047As/In_052Al_048As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即ΔE₂₁=kω_c(其中k为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即ΔE₂₁=(2k+1)ω_c/2,填充因子出现奇数. 关键词： 053Ga_047As/In_052Al_048As量子阱')" href="#">In_053Ga_047As/In_052Al_048As量子阱 填充因子 磁输运     

应力导致InAs/In0.15Ga0.85As量子点结构中In0.15Ga0.85As阱层的合金分解效应研究

利用固源分子束外延技术，在In_0.15Ga_0.85As/GaAs量子阱生长了两个InAs/In_0.15Ga_0.85As量子点(DWELL)样品.通过改变其中一个InAs DWELL样品中的In_0.15Ga_0.85As阱层的厚度和生长温度，获得了量子点尺寸增大而且尺寸分布更均匀的结果.结合光致发光光谱(PL)和压电调制光谱(PzR)实验结果，发现该样品量子点的光学性质也同时得到 关键词： 合金分解效应 0.15Ga_0.85As量子点')" href="#">InAs/In_0.15Ga_0.85As量子点 光致发光光谱 压电调制光谱     

Intersubband transitions in Al0.82In0.18N/GaN single quantum well

The influence of the width of a lattice-matched Al_0.82In_0.18N/GaN single quantum well (SQW) on the absorption coefficients and wavelength of the intersubband transition (ISBT) has been investigated by solving the Schrödinger and Poisson equations self-consistently. The wavelength of 1—2 ISBT increases with L, the thickness of the single quantum well, ranging from 2.88 μm to 3.59 μm. The absorption coefficients of 1—2 ISBT increase with L at first and then decrease with L, with a maximum when L is equal to 2.6 nm. The wavelength of 1—3 ISBT decreases with L at first and then increases with L, with a minimum when L is equal to 4 nm, ranging from approximately 2.03 μm to near 2.11 μm. The absorption coefficients of 1—3 ISBT decrease with L. The results indicate that mid-infrared can be realized by the Al_0.82In_0.18N/GaN SQW. In addition, the wavelength and absorption coefficients of ISBT can be adjusted by changing the width of the SQW.     

Ferroelectric properties of bilayer structured Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/SrBi2Ta2O9 (PZT/SBT) thin films on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates

Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃ (PZT) thin films with large remanent polarization and SrBi₂Ta₂O₉ (SBT) thin films with excellent fatigue-resisting characteristic have been widely studied for non-volatile random access memories, respectively. To combine these two advantages_, bilayered Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃/SrBi₂Ta₂O₉ (PZT/SBT) thin films were fabricated on Pt/TiO₂/SiO₂/Si substrates by chemical solution deposition method. X-ray diffraction patterns revealed that the diffraction peaks of PZT/SBT thin films were completely composed of PZT and SBT, and no other secondary phase was observed. The electrical properties of the bilayered structure PZT/SBT films have been investigated in comparison with pure PZT and SBT films. PZT/SBT bilayered thin films showed larger remanent polarization (2P_r) of 18.37 μC/cm² than pure SBT and less polarization fatigue up to 1 × 10⁹ switching cycles than pure PZT. These results indicated that this bilayered structure of PZT/SBT is a promising material combination for ferroelectric memory applications.     

The improvement of Al2O3/AlGaN/GaN MISHEMT performance by N2 plasma pretreatment

This paper discusses the effect of N 2 plasma treatment before dielectric deposition on the electrical performance of a Al2O3 /AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor(MISHEMT),with Al2O3 deposited by atomic layer deposition.The results indicated that the gate leakage was decreased two orders of magnitude after the Al2O3 /AlGaN interface was pretreated by N 2 plasma.Furthermore,effects of N 2 plasma pretreatment on the electrical properties of the AlGaN/Al2O3 interface were investigated by x-ray photoelectron spectroscopy measurements and the interface quality between Al2O3 and AlGaN film was improved.     

纳秒级脉冲激光诱导Zn掺杂过程中GaN/Al2O3材料的温度分布及热形变解析分析

分析了纳秒级脉冲激光作用下GaN的激光诱导Zn的掺杂过程.利用简化的一维模型，给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al₂O₃材料温度分布的解析形式，得到了GaN材料表面温度与激光辐照时间的关系以及材料形变与深度的关系.在激光脉冲作用时，GaN材料表面的温度与辐照时间的平方根成正比.脉冲过后，材料温度分布梯度和热形变分布随深度发生变化，接近表面的温度梯度最大，热形变量也最大.而在连续脉冲作用时表面的温度呈锯齿状不断升高. 关键词： 激光诱导 2O₃')" href="#">GaN/Al₂O₃ 温度分布 热形变     

Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition

This paper reports that Al1 xInxN epilayers were grown on GaN template by metalorganic chemical vapor de-position with an In content of 7%-20%. X-ray diffraction results indicate that all these Al1 xInxN epilayers have a relatively low density of threading dislocations. Rutherford backscattering/channeling measurements provide the exact compositional information and show that a gradual variation in composition of the Al1 xInxN epilayer happens along the growth direction. The experimental results of optical reflection clearly show the bandgap energies of Al1 xInxN epilayers. A bowing parameter of 6.5 eV is obtained from the compositional dependence of the energy gap. The cathodoluminescence peak energy of the Al1 xInxN epilayer is much lower than its bandgap, indicating a relatively large Stokes shift in the Al1 xInxN sample.     

有机金属化学气相沉积法制备的Ni/Al2O3纳米复合材料的氢吸附

研究了通过有机金属化学气相沉积技术及单源分子前躯体方法制备的Ni/Al₂O₃纳米复合材料的氢吸附(存储). 在冷壁的有机金属化学气相沉积反应器中,通过降解Ni(acac)₂粉末基底上的[H₂Al(OtBu)]₂制备的Ni/Al₂O₃纳米复合材料. 通过X射线粉末衍射、扫描电镜、透射电镜以及能量色散型X射线荧光光谱等技术表征该复合材料. 采用自制Sievert's设备研究该复合材料的氢吸附(存储),可以储存约2.9%(重量比)的氢.     

哈斯勒合金Ni50Mn35In15的马氏体相变及其磁热效应

利用电弧炉熔炼了Ni₅₀Mn₃₅In₁₅多晶样品,根据磁性测量对其马氏体相变和磁热效应进行了系统研究.结果表明,随着温度的降低,样品在室温附近先后发生了二级磁相变与一级结构相变特征的马氏体相变,导致它的磁化强度产生突变. 同时通过低温下的磁滞回线的测量发现样品存在交换偏置行为,表明低温下马氏体相中铁磁和反铁磁共存. 此外,根据Maxwell方程,计算了样品在马氏体相变温度附近的磁熵变,当温度为309K,磁场改变5 T时,样品的磁熵变可达22.3J/kgK. 关键词： 哈斯勒合金 50Mn₃₅In₁₅')" href="#">Ni₅₀Mn₃₅In₁₅ 马氏体相变 磁热效应