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1.
蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH3掺杂研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究。  相似文献   
2.
本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev。  相似文献   
3.
LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
刘宝林  杨树人 《光子学报》1994,23(4):313-318
本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev.  相似文献   
4.
殷景志  王新强  杜国同  杨树人 《光子学报》2000,29(11):1021-1023
本文对张应变GaAs层引入使InAs/Inp量子点有序化排列的机制进行了分析.为提高InAs/Inp自组装量子点特性提供了理论依据.  相似文献   
5.
为了进一步研究聚合物溶液驱替岩心微孔道中残余油的流动规律,探索驱替液弹性对残余油变形的影响规律,进一步研究黏弹性驱替液对岩心微孔道中残余油的驱替机理,运用非牛顿流体力学理论建立流动方程,采用数值计算方法求解残余油的变形。计算结果表明:随着We数的增大,残余油的前进角逐渐增大,后退角逐渐减小,变形指数逐渐增大,起始阶段变形指数按照线性规律增加,后成抛物线型增加。较高的浓度或分子量的聚合物溶液都会显著地增加其弹性,使得残余油产生显著的变形,更有利于残余油的运移或剥离,从而验证了数值计算所得的结果——弹性可增大残余油的变形,提高驱油效率,进一步提高原油采收率,这就是聚驱提高原油采收率的水动力学机理。  相似文献   
6.
LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
刘宝林  杨树人 《发光学报》1993,14(4):387-390
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm[1],而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1~1.8μm内任意波长发射[2],并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm~1.65μm[3],因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。  相似文献   
7.
退火对ZnO薄膜结构及发光特性的影响   总被引:9,自引:6,他引:3  
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的,由其X光衍射得知,生长过程中分段退火和最后退火在薄膜中分别引入了张应力和压应力。通过对样品光致发光光谱研究表明:分段退火样品在380nm附近出现了单一激子发射峰,而最后退火样品却出现了与应变有关的Γ5和Γ6两激子发射峰,同时在两者的光致发光光谱中与深能级有关的荧光峰都未出现。  相似文献   
8.
分析了应变外延层中非应变盖层厚度和在应变层上下界面的失配位错数目差对净应力的影响 ,对现有的单结点和双结点位错模型的净应力的表达式进行了修正 ,得到一个能将单、双结点模型统一起来且对任意盖层厚度都适用的表达式 .从而进一步完善了描述应变外延层中失配位错的产生和运动机制的理论  相似文献   
9.
等离子体增强MOCVD法生长ZnO薄膜   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用等离子体增强MOCVD法生长出 ZnO薄膜,用X射线衍射谱观察到位于 2θ34.56°处(0002)的衍射峰,表明ZnO沿c方向呈柱状生长.通过荧光光谱,观察到来自于激子的高强度的近带边紫外光发射(375um).紫外发射光强度与深能级复合发射光强度比高达 193,显示出材料的高质量,并通过原子力显微镜加以验证.为了实现高阻ZnO薄膜,利用高温富氧分段退火和用N2 气进行掺氮两种方法生长高阻ZnO薄膜.结果表明,电阻率由0.65 Ω·cm分别升高到1100 Ω·cm(分段退火)和5×104Ω·cm(掺氮).进一步比较发现,掺氮的样品不仅电阻率高,而且光荧光特性好,显示出更高的薄膜质量.  相似文献   
10.
In this paper, the GaN based epitaxial wafer is fabricated on big 1 mmx1 mm chips, and packaged with a special technology. At working current 350 mA and working voltage 3.74 V, the full viewing angle, the axial brightness and the output integral power of the 465 nm LED can reach 125? 210, 000 cd/m2 and 1.5 1m, respectively. The LED with such good performances has promising application potential in the fields of display, traffic and the development of solid-state white light source.  相似文献   
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