混晶（Rb_xK_（1－x））_2SnCl_6的相变研究

用非极性喇曼散射光谱研究了混晶（Ｒｂ_ｘＫ_（１－ｘ））_２ＳｎＣｌ_６性质随组份（０＜ｘ＜１）及温度（１０Ｋ＜Ｔ＜３００Ｋ）的变化。发现在纯Ｋ_２ＳｎＣｌ_６晶体中用Ｒｂ￣＋部分替代Ｋ￣＋后，将降低原Ｋ_２ＳｎＣｌ_６的相变温度Ｔｃｌ。当混晶中Ｒｂ￣＋成份超过极限浓度（ｘ＞０．７）后，该相变就被抑制。不同组份样品的同一喇曼模频率，随Ｒｂ￣＋的增加，向低频方向移动。用平均力常数拟合给出很好的理论解释。     

〔（NH_4）_xK_（1－x）〕_2SnCl_6混晶的喇曼散射研究

本文用喇曼散射的方法研究了六氯锡化钾铵混晶系列样品［（ＮＮ_４）_ｘＫ_（１－ｘ）］_２ＳｎＣｌ_５（ｘ＝０，０．０５，０．１，０．１５，０．２，０．２５，０，３，１）从室温到７７Ｋ的行为，首先观察到了其外振动模的双模行为，并且还发现了其一内模Ｔ_（２ｇｉｎｔ）的宽度随铵离子浓度ｘ的增加而增加，相变温度Ｔｃ却随铵离子浓度的增加而迅速下降，下降速率约为ｄＴ_ｃ／ｄｘ＝－６００Ｋ／ｍｏｌ，这一行为是由于正四面体的ＮＨ_４￣＋离子对正八面体的ＳｎＣｌ_６￣（２－）离子团的转动产生阻碍而引起。内模Ｔ_（２ｇｉｎｔ）的宽度变化也是由于铵离子的转动影响以及由它引起的晶格畸变所导致。双模行为来自于强烈的集团效应。     

稀磁半导体Zn1—xMnxSe外延膜的反射的光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能谱测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在０〈ｘ〈０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当ｘ〉０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ＾２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰     

Rb3C60超导薄膜的电输运性质

在成功制备Ｃ６０外延薄膜的基础上，我们又尝试了碱金属Ｒｂ对该膜的掺杂。结果表明，从室温至８０Ｋ左右，Ｒｂ３Ｃ６０薄膜的电阻温度系数大于０，并近似符合公式：ρ（Ｔ）＝ａ＋ｂＴ＾２，与单晶样品一致。但是，当温度低于８０Ｋ以后，出现了弱的对数局域。在５Ｋ、零场下，样品的Ｊｃ值一般为１０＾３－１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，且有如下规律：Ｊｃ（Ｔ）＝Ｊｃ（０）（１－Ｔ／Ｔｃ）＾ａ，α＝１．３－２．０。此外，我们还测     

Bi2.2Sr1.8Ca1.05Cu2.15—xNaxO8＋y超导电性研究

本介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其中ｘ＝０．７，Ｔｃ０达到９２．５Ｋ。在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０＾３Ａ／ｃｍ＾２量级。     

直接激光气化法产生气相MnCl2团簇的研究

报道了５３２ｎｍ激光气化ＭｎＣｌ２．４Ｈ２Ｏ固体产生气相团簇，（ＭｎＣｌ２）ｎＭｎ＾＋，（ＭｎＣｌ２）ｎＭｎＣｌ＾＋（ＭｎＣｌ２）ｎＣｌ＾－（ｎ＝１～１２），以及溶剂化的团簇ＭｎＣｌ＾＋（ＭｎＣｌ２）ｎ（Ｈ２Ｏ）ｍ（ｎ＝１～７，ｍ〈６）的机理，通过用飞行时间质谱考察团簇物尺寸大小与激光能量，激光与脉冲加速电场之间延迟的等关系，认为这些团簇是通过气相化学反应逐步生长的，并提出了正负团族离子产生的可能     

CH^35Cl3和CH^35Cl2^37Cl分子V=3的傅里叶变换光谱研究

采用傅里叶变换光谱技术（ＦＴＳ）记录了ＣＨ＾３５Ｃｌ３和它的同位素分子ＣＨ＾３５Ｃｌ２＾３７Ｃｌ的Ｖ＝３的高分辨光谱，由于０．０２ｍ＾－１分经不足以分辨Ｋ结构，我们将所观察到的谱线近似归属为Ｋ＝０的转动能级，归属了ＣＨ＾３５Ｃｌ３岔子４〈Ｊ〈７３，ＣＨ＾３５Ｃｌ＾３７Ｃｌ分子６〈Ｊ〈５３的转动级。最后采用最小二乘法拟合，得到了关于Ｊ的转动常数和振动带心。     

低补偿度n－Hg＿（1－x）Cd＿xTe的磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌｆｒｅｅｚｅ－ｏｕｔ），即首先必须在很低的温度下将导带电子冻出到施主态上。相变后的温度激活输运行为可以表示成Ｒ＿Ｈ（Ｔ）＝Ｒ＿（Ｈ０）ｅｘｐ［ａ／ｋＴ］，它实际上反映了磁冻结在施主上的电子，随温度的升高，逐步热激发到导带的过程，从磁致ＭＩＴ后的激活能初步推知，导带下存在两个浅施主能级。     

THE SUPERCONDUCTIVITY IN Al-DOPEDY_(1-x)Al_xBa_2Cu_3O_y

本文系统地分析了在Ｙ１－ｘＡｌｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０～０．７）中用Ａｌ替代Ｙ的替代效应．我们发现当ｘ＜０．４时，Ａｌ主要替代在Ｙ位，引起结构畸变，从而导致氧含量的减少和Ｏ－Ｔ相变，转变温度随Ａｌ含量增加而下降．当掺杂量大于０．４，Ａｌ开始占据Ｃｕ（１）和Ｃｕ（２）位，样品变为四方结构，Ｔｃ迅速下降．ＸＰＳ分析表明，Ａｌ的位置依赖于掺杂量，随掺杂浓度的增加Ａｌ依次替代Ｙ，Ｃｕ（１），Ｃｕ（２）．同时我们观察到Ｔｃ和ＣｕＯ２平面间相互作用的正比关系．     

六氯铅铵晶体相变的拉曼散射研究

在５Ｋ～３００Ｋ温度范围内对六氯铅铵晶体进行了拉曼散射测量，该晶体在Ｔｃ＝７８Ｋ发生从立方结构（Ｏ＾５４）至三方结构（Ｃ＾２３ｉ）的二级相变，ＰｂＣｌ＾２－６八面体Ａ１ｇ模和ＮＨ＾＋４四面体Ａ１模的拉曼频移在Ｔｃ时出现极大值，八面体Ｔ２ｇ模，四面体Ｔ２模和外振动Ｔ２ｇ模在Ｔｃ以下发生连续分裂，另外在Ｔｃ以下观测到对应于高温相ＰｂＣｌ＾２－６八面体Ｔ１ｇ模的软模。     

发光体Mg2Y8—x—y（SiO4）6O2：Eux^3^＋,Biy^3^＋的形成过程及发光…

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕｘ＾３＾＋，Ｂｉｙ＾３＾＋（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ，ＩＲ，ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ＾３＾＋和Ｂｉ＾３＾＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在     

硫化Mo—K—Rh／Al2O3表面物种的XPS研究

假定单一物种的ＸＰＳ峰形为高斯形，对钼，硫和铑峰进行理论拟合，计算各状态物种表面原子浓度，它们的存在形式各为ＭｏＳ２，富硫环境的ＭｏＳ２＋ｘ，未完全硫化还原的Ｍｏ＾６＋和Ｍｏ＾５＋，Ｓ＾６＋，单质Ｓ＾０或Ｓｎ，Ｓ＾２－和富硫环境中的硫钼结构成（Ｓ－Ｓ）＾２－硫链和Ｒｈ＾ｎ＋（ｎ＝３，２，１，０）。分析发现，催化剂加铑使钼易被硫化还原，铑钼作用可以稳定Ｒｈ＾ｎ＋的存在。     

低补偿度n-Hg1-xCdxTe的磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为

报道了ｘ＝０．２１４组份、低补偿度（Ｋ《１）ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ晶体在０．３─３０Ｋ温度范围，０─７Ｔ强磁场下的横向磁阻、电子霍耳迁移率、霍耳系数测量结果，观测到了磁致金属－绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为。分析实验数据，提出：低补偿度、组份：ｘ＝０．２附近的ｎ－Ｈｇ_1-xＣｄ_xＴｅ，磁致金属－绝缘体相变（ＭＩＴ）发生的机理是载流子在浅施主杂质态上的磁冻结；发生磁冻结的前提是热冻出（ｔｈｅｒｍａｌ ｆｒｅｅｚｅ 关键词：     

La2O3—BaO系复氧化物的现场拉曼光谱研究

对于Ｌａ０．２Ｂａ０．８－ｘＣａｘ（Ｏ，ＣＯ３）其中ｘ＝０．０、０．２、０．４、０．６氧化物在９７３Ｋ及甲烷氧化偶联（ＯＣＭ）条件下，无Ｃａ＾２＋的样品可用表面ＢａＣＯ３和（ＬａＯ）２ＣＯ３的Ｒａｍａｎ谱及８１０ｃｍ＾－１附近的Ｏ２＾２－特征峰来表征；含Ｃａ＾２＋的样品，则表现了混合碳酸盐（Ｃａ，Ｂａ）ＣＯ３的特征，还有位于１１３５ｃｍ＾－１（ｗ）和８１０ｃｍ＾－１（ｗ）的Ｏ２＾－、Ｏ２＾２－瞬时     

铁酸盐的水热氧化晶化法制备及其生成条件研究

研究了空气氧化Ｍ＾２＋（Ｍ＝Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）和Ｆｅ＾２＋的碱性悬浮液制备铁酸盐ＭＦｅ２Ｏ４的条件，考察了原料配比、ｐＨ值、氧化温度、氧化时间对生成ＭＦｅ２Ｏ４的影响。利用ＸＲＤ及ＳＥＭ检测氧化过程中沉淀物的形态和结构表明，在３４３￣３５８Ｋ和Ｒ＝２ＯＨ＾－／（Ｍ＾２＋Ｆｅ＾２＋）＝１．０、Ｍ＾２／Ｆｅ＾２＋＝０．５（摩尔比）下用３００ｍＬ／ｈ的空气氧化Ｍｘ／３Ｆｅ１－ｘ／３（ＯＨ）２悬浮液     

（La2／3Ca1／3）（Mn（3—x）／3Gax／3）O3体系巨磁电阻效应和电特性的研究

采用固态反应法制备了（Ｌａ２／３Ｃａ１／３）（Ｍｎ（３－ｘ）／３Ｇａｘ／３）Ｏ３（ｘ＝０．００，０．１０，０．１５，０．２０，０．３０）体系的系列样品。通过系统地测量其零场和１．６特斯拉（Ｔ）磁场下样品的电阻率－温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系，发现随Ｇａ＾３＋替代量的增加其磁电阻率峰和电阻率峰均向低温方向移动，磁电阻率峰值增大，并伴生磁电阻率峰展宽效应。作者认为，上述结果是由于Ｇａ＾３     

Bi2Sr2Ca(Cu1-xMnx)2Oy单晶的结构与超导电性

用自助熔剂法制备了Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ（Ｃｕ１－ｘＭｎｘ）２Ｏｙ（ｘ＝０．０１,０．０５,０．０８,０．１０）单晶。单晶的ｃ轴长度随Ｍｎ含量的增加而减小。Ｒ－Ｔ曲线测量表明,零电阻温度Ｔｃ随ｘ的增大面逐渐下降。对Ｍｎ掺杂量较高的一些单晶,发现其Ｒ－Ｔ曲线在１０５Ｋ左右有一陡降,表明Ｍｎ掺杂量较高的单晶中可能有微量的Ｂｉ２２２３相成分存在。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。     

Gd掺杂对Bi2Sr2Ca1—xGdxCu2Oy单晶载流子浓度和各向异性电阻率？…

系统地研究了Ｇｄ掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１－ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ单晶超导电性及各向异性电阻率的影响。Ｔｃ满足Ｔｃ／Ｔｃ,ｍａｘ＝１－８２．６（ａｘ＋ｂ）＾２,并随Ｇｄ含量的增加而下降,这是由于Ｇｄ掺杂引起载流子浓度减小所导致。在ｘ≥０．１９时,ρａｂ（Ｔ）在Ｔｃ随近有类半导体行为,ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ含量的增大而增大。ρｃ（Ｔ）呈半导体行为,并可用唯象公式ρｃ（Ｔ）＝（ａ／Ｔ）ｅｘｐ（△／Ｔ）＋ｂＴ＋     

Bi_（2．2）Sr_（1．8）Ca_（1．05）Cu（2．15－x）NaxO_

本文介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其小ｘ＝０．７．Ｔｃ０达到９２，５Ｋ．在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０３Ａ／ｃｍ２量级．