纳米复合永磁Pr9Fe74Co12B5Snx(x=0,0.5)的磁化行为与磁黏滞性

用熔体快淬法制备了纳米复合永磁样品Pr9Fe74Co12B5与Pr9Fe74Co12B5Sn0.5,分析了样品的起始磁化、反磁化过程,测得样品的总磁化率、可逆磁化率以及样品的磁黏滞性.结果表明,两样品在室温下均表现为单一硬磁相磁化行为,在低温下表现为双相行为,且由于添加Sn后使晶粒均匀化从而导致样品低温下的双相行为更加明显.添加Sn后引起样品中软磁相含量和软磁相晶粒尺寸的增加,使磁化反转中可逆磁化部分增多,且使反磁化形核场降低.磁黏滞性研究表明,热激活体积与软磁相晶粒的大小有关.     

捕获场对Eu_(1-x)Ca_xCrO_3(x=0～0.3)零场冷磁性测量数据的影响

采用传统固相反应法制备了EuCrO3和Eu1-xCaxCrO3多晶样品,研究了其磁性质。实验结果显示,样品的零场冷磁化曲线的测量不具有重复性.在冷却过程中,由于超导磁体中残留捕获场的存在,样品中未被补偿的自旋磁矩被诱导沿捕获场方向择优取向,从而决定了零场冷磁化强度在磁相变温度以下的极性.样品在经历一个非完美零场冷却过程以后,得到的名义零场冷磁化曲线对捕获场具有很大的依赖性.     

具有不同交换偏置方向的外延FeGa/IrMn双层膜的磁各向异性与磁化翻转

采用磁控溅射方法在MgO(001)单晶衬底上制备了交换偏置分别沿着FeGa [100]和[110]方向的FeGa/IrMn外延交换偏置双层膜,研究了交换偏置取向对磁化翻转过程与磁化翻转场的影响.铁磁共振场的角度依赖关系的测量与拟合,表明样品存在不同取向的四重对称磁晶各向异性、单向交换磁各向异性和单轴磁各向异性的叠加.矢量磁光克尔效应测量表明交换偏置沿着[100]方向的样品在不同磁场方向下表现矩形、非对称和单边两步磁滞回线;交换偏置沿着[110]方向的样品在不同磁场方向下表现单边两步和双边两步磁滞回线.考虑不同交换偏置方向的畴壁形核和位移模型,能够很好地解释磁化翻转路径随磁场方向的变化规律和拟合磁化翻转场的角度依赖关系,表明交换偏置方向的改变使得畴壁形核能发生显著变化.     

厚度诱导的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜剩余应力及临界电流变化

本文通过脉冲激光沉积法制备了不同厚度(80nm、320nm、1000nm和2000nm)的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜,对它们的剩余应力和临界电流特性进行了对比研究.通过系列的激光显微Raman光谱和磁化曲线测量分别获得了薄膜剩余应力和磁化临界电流密度(Jc)对薄膜厚度的依赖关系.结果显示超导薄膜内剩余应力越小,Jc越高.对于中等厚度的薄膜样品(320nm和1000nm),其膜内剩余应力较小,同时由其特征的磁通匹配场大小推知在该厚度范围内的样品具有较高的线性缺陷密度,从而显示出较高的Jc值.     

Y_(1-x)Gd_xCrO_3(x=0～0.3)的负磁化和磁化反转行为研究（英文）

用固相反应法制备了Y1-xGdxCrO3和YCrO3多晶样品,并对样品的磁特性进行了研究.100Oe的场冷和零场冷热磁曲线均出现了负磁化及磁化反转行为.这一行为来自于Gd3+和Cr3+的反铁磁相互作用且可以用Gd3+的顺磁效应来解释.随着冷却场的增大,场冷负磁化行为逐渐被抑制,当冷却场与拟合所得的内场大小一致时,负磁化行为消失.也就是说,当外场小于内场时,负磁化行为将会出现,反之则消失.     

纳米复合永磁Pr9Fe74Co12B5Snx(x=0, 0.5)的磁化行为与磁黏滞性

用熔体快淬法制备了纳米复合永磁样品Pr₉Fe₇₄Co₁₂B₅ 与Pr₉Fe₇₄Co₁₂B₅Sn_0.5，分析了样品的起始磁化、反磁化过程，测得样品的总磁化率、可逆磁化率以及样品的磁黏滞性.结果表明，两样品在室温下均表现为单一硬磁相磁化行为，在低温下表现为双相行为，且由于添加Sn后使晶粒均匀化从而导致样品低温下的双相行为更加明显.添加Sn后引起样品中软磁相含量和软磁相晶粒尺寸的增加，使磁化反转中可逆磁化部分增多，且使反磁化形核场降低.磁黏滞性研究表明，热激活体积与软磁相晶粒的大小有关. 关键词： 纳米复合永磁 磁化反转 磁粘滞     

La_(1-x)Ca_xCrO_3(x=0～0.335)的反常负磁化行为研究

采用溶胶-凝胶法制备了La_(1-x)Ca_xCrO_3(x=0~0.335)多晶样品,并研究其磁性.La_(1-x)Ca_xCrO_3的奈尔温度随掺钙量的增加而降低,在零场冷却模式下外加磁场为10Oe时,La_(1-x)Ca_xCrO_3样品的磁化率-温度曲线均出现负磁化现象,这是该体系中负磁化现象的首次报道.La_(0.665)Ca_(0.335)CrO_3在50K下的磁化率数值远高于其他样品,且其负磁化行为随着外场强度增大而被抑制,说明体系可能同时存在铁磁性相与抗磁性相,外加磁场较低时,铁磁信号被抑制,呈现出温度依赖的负磁化行为;外加磁场较高时,铁磁性信号与负磁性信号叠加,呈现出反铁磁转变特性.     

反铁磁耦合硬磁-软磁-硬磁三层膜体系的不可逆交换弹性反磁化过程

采用一维原子链模型研究了反铁磁耦合的硬磁/软磁/硬磁三层膜体系的反磁化过程. 研究结果表明,当考虑了软磁层的磁晶各向异性能后,软磁层厚度和界面交换耦合强度的改变都有可能导致软磁层的交换弹性反磁化过程由可逆过程转变为不可逆过程. 对软磁层很薄的体系,其反磁化过程是典型的可逆交换弹性反磁化过程. 然而,当软磁层厚度超过某一临界厚度t_c时,反磁化过程转变为不可逆的交换弹性反磁化过程. 软磁-硬磁界面交换耦合强度A_sh对反磁化行为也有很大的影响. 对于软磁层厚度小于临界厚度t_c的体系,也存在一个临界界面交换耦合强度A_sh^c. 当A_sh大于A_sh^c时,软磁层的反磁化过程是可逆的交换弹性反磁化过程;而当A_sh小于A_sh^c时,这一过程变为不可逆. 给出了体系的可逆与不可逆交换弹性反磁化过程随软磁层厚度和界面交换耦合强度变化的磁相图. 同时还研究了偏转场随软磁层厚度的变化关系. 关键词： 反铁磁耦合三层膜 交换弹性反磁化过程 反磁化机理 磁相图     

GdFeCo/AIN/TbFeCo薄膜的变温磁化性能研究

用磁控溅射法制备了GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜.振动样品磁强计和克尔磁滞回线测试装置的测试结果表明:25℃不加外磁场时GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜读出层(GdFeCo)的极向克尔角为零,读出层呈平面磁化;125℃不加外场时读出层的克尔角最大(O.54°),读出层的磁化方向为垂直磁化;随着温度增高,读出层由平面磁化转变为垂直磁化,在75℃到125℃温度范围内读出层磁化方向很快从平面磁化转变为垂直磁化.对磁化过程的机理研究表明:饱和磁化强度和有效各向异性常量影响读出层磁化方向的转变过程,但主要受读出层饱和磁化强度的影响;在较高温度时读出层的磁化强度较小,退磁场能较小,在静磁耦合作用下,使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变.制备的GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜适合作CAD-MSR记录介质.     

Mo掺杂La_(0.7)Ca_(0.2)Ba_(0.1)Mn_(1-x)Mo_xO_3体系的磁电性质

本文采用固相反应法制备了高价态离子Mo掺杂的La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xMoxO3(x=0,0.01,…,0.06)多晶样品,研究了Mo掺杂对样品的结构、磁性和磁电阻的影响.X射线衍射谱证实所有样品均为具有正交对称性的钙钛矿结构.零场冷却(ZFC)和加场冷却(FCH=0.01T)下其磁化～温度(M～T)曲线的测量表明样品随温度降低发生了从顺磁(PM)到铁磁(FM)的相变,T相似文献   

磁化水技术在电感耦合等离子体-原子发射光谱法中的应用

考察了被测元素谱线强度随磁感应强度的变化情况.在优化磁感应强度0.24T条件下,研究了搅拌条件下样品溶液磁化时间对谱线强度及信背比的影响.经过测量自来水样品中元素Zn、Fe、Mg(I、I)、Si、V谱线强度表明,在对水样品进行搅拌磁化时,所测元素的谱线强度及信背比均有所增大;当水样品被磁化处理3h,上述元素的谱线强度分别比未磁化时增加了42.2%、97.9%、10.4%、10.1%、81.2%和28.8%,而且元素Zn、Fe、Si和V的信背比也分别增加了13.8%、86.9%、64%和28.8%,有利于降低光谱分析检出限.     

快淬Nd3.6Pr5.4Fe83Co3B5薄带的反磁化行为和磁黏滞性

用电弧熔炼法制备了Nd_3.6Pr_5.4Fe₈₃Co₃B₅合金铸锭,然后利用熔旋快淬法在铜辊转速V=20m/s下制备了Nd_3.6Pr_5.4Fe₈₃Co₃B₅薄带.快淬带主要由软磁相α-Fe和Nd₂Fe₁₄B型的硬磁相组成.采用直流退磁剩磁曲线方法分析了样品在反磁化过程中的可逆与不可逆磁化部分,并研究了软磁相和硬磁相的反磁化行为,得到样品的不可逆磁化形核场H_no约为440kA/m.同时研究了样品的磁黏滞性,结果表明由于软磁相的存在使得热激活体积较大. 关键词：     

GdFeCo/AlN/TbFeCo薄膜的变温磁化性能研究

用磁控溅射法制备了GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜。振动样品磁强计和克尔磁滞回线测试装置的测试结果表明 :2 5℃不加外磁场时GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜读出层 (GdFeCo)的极向克尔角为零 ,读出层呈平面磁化 ;12 5℃不加外场时读出层的克尔角最大 (0 .5 4°) ,读出层的磁化方向为垂直磁化 ;随着温度增高 ,读出层由平面磁化转变为垂直磁化 ,在 75℃到 12 5℃温度范围内读出层磁化方向很快从平面磁化转变为垂直磁化。对磁化过程的机理研究表明 :饱和磁化强度和有效各向异性常量影响读出层磁化方向的转变过程 ,但主要受读出层饱和磁化强度的影响 ;在较高温度时读出层的磁化强度较小 ,退磁场能较小 ,在静磁耦合作用下 ,使GdFeCo读出层的磁化方向发生转变。制备的GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜适合作CAD MSR记录介质     

Co掺杂的ZnO稀磁半导体块体的退火热处理研究

采用固相反应法制备了Zn_0.95Co_0.05O块体样品,并对其进行了不同方式的退火处理.实验表明在锌气氛中500℃退火的样品表现出铁磁性,而在真空中退火的样品却没有磁性,进一步,在锌气氛中1100℃退火的样品虽然表现出铁磁性,但其铁磁性来源于样品在锌气氛中1100℃退火过程中产生了1%左右的Co金属团簇杂质相.另外,在低温时所有样品都表现出较大的正磁电阻,认为正磁电阻效应是由于s-d电子交换相互作用引起的自旋劈裂造成的,而高场时出现的负磁电阻效应则可能归因于磁场 关键词： Co掺杂ZnO X射线衍射 铁磁性 磁电阻     

用三角波电流励磁改进交流磁滞回线实验

改进了交流磁滞回线实验的励磁方法。研制了三角波电流交流恒流源驱动励磁线圈励磁,使软磁环形样品被交流磁化双向交替达到饱和,磁化场H的波形仍为三角波。维持三角波电流的周期和幅值不变,可使H变化的波形和变化的速率不变,可在H匀速变化的条件下观测样品的交流磁滞回线;能在磁化场相同的条件下观测不同样品的交流磁滞回线;还可直接观测样品的微分磁导率曲线。     

相对论简并电子气体的磁化

中子星内部的致密电子是高度简并的相对论气体, 其输运性质与中子星磁或热的观测现象密切相关, 被认为是中子星磁场的主要载体. 外磁场中电子的朗道能级是分立的且高度简并的, 与无外场时的能量差决定 了系统的磁化程度, 用量子统计的方法可计算理想相对论电子气体的磁化率. 结果表明弱场条件下的磁化率在数量级上接近白矮星的10^-3. 强磁场下的磁化呈现出类似在某些低温金属中出现的de Haas-van Alphen 震荡效应, 高次谐频的震荡幅度有可能超出临界磁化时的磁化率. 表明中子星内部有可能存在非稳定的磁化过程, 发生类似气液转化的一级相变过程, 出现两种磁化共存的稳定态或过冷磁化的亚稳态(若不同磁化态间存在表面能). 从亚稳态向稳定态的突然转化可能与磁星的辐射有关, 可以解释在磁星巨闪过程中观测到的额外辐射问题.     

交换偏置系统中的反铁磁磁化与自旋波

采用自由能变分法研究了铁磁/反铁磁双层膜系统在反铁磁层存在净磁化下的自旋波谱.本模型中铁磁薄层具有单轴磁晶各向异性和立方磁晶各向异性,反铁磁层仅具有单轴磁晶各向异性,但厚度有限,推导出了系统铁磁共振频率的表达式.结果表明：系统的自旋波谱分光学模和声学模两种,其中光学模仅在反铁磁层存在净磁化时得到激发.自旋波谱可按外磁场强度的变化情况分为强弱两支;区分强磁场和弱磁场的临界场依赖于铁磁/反铁磁间的交换作用,反铁磁层的磁化强度以及反铁磁层的厚度等.交换偏置场对光学模的影响明显于声学模,而反铁磁的净磁化和其厚度对系统的影响紧密联系,难以区分.但当反铁磁层净磁化很小可忽略时,系统只存在声学模激发. 关键词： 铁磁/反铁磁双层膜 反铁磁层净磁化 光学模 声学模     

磁性纳米线反磁化过程的截椭球链模型

依据实际的纳米线形貌，提出了描述磁性纳米线反磁化过程的截椭球链模型.基于此模型，推导了纳米线反磁化过程中不可逆磁化的临界场和矫顽力在一致转动和对称扇形模式下的表达式.同时，还研究了椭球间接触角、单轴磁晶各向异性、外场与链轴方向夹角、截椭球个数和椭球形状因子对临界场和矫顽力的影响.利用该模型解释了镍纳米线的反磁化过程可能是对称扇形的模式. 关键词： 截椭球链模型 反磁化 一致转动 对称扇形     

用三角波电流励磁改进交流磁滞回线实验简

改进行了交流磁滞回线实验的励磁方法。研制了三角波电流交流恒流源驱动励磁线剖励磁．使软磁环形样品被交流磁化双向交替达到饱和,磁化场H的波形仍为三角波。维持三角波电流的周期和幅值不变．可使H变化的波形和变化的速率不变。可在H匀速变化的条件下观测样舳的交流磁滞回线;能在磁化场相同的条件下观测不同样品的交流磁滞回线;还可直接观测样品的微分磁导率曲线。     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体磁弛豫

我们用振动样品磁强计研究了多晶和熔融织构 YBa_2Cu_3O_(7-δ)样品磁弛豫特性.发现在液氮温度77K 下,两种样品的零场冷磁化强度 M 仍随时间 t 呈对数衰减.表明 P.W.Ander-son 的经典磁通蠕动理论在该温度下适用于高 T_c 氧化物超导体.实验还给出了磁弛豫S=-((?)M)/((?)lnt)随外场的变化关系.对于多晶样品,当外场 B>B~*(穿透场),S 正比于 B~(-α),文中对这一关系进行了解释.