La_(1-x)Ca_xCrO_3(x=0～0.335)的反常负磁化行为研究

采用溶胶-凝胶法制备了La_(1-x)Ca_xCrO_3(x=0~0.335)多晶样品,并研究其磁性.La_(1-x)Ca_xCrO_3的奈尔温度随掺钙量的增加而降低,在零场冷却模式下外加磁场为10Oe时,La_(1-x)Ca_xCrO_3样品的磁化率-温度曲线均出现负磁化现象,这是该体系中负磁化现象的首次报道.La_(0.665)Ca_(0.335)CrO_3在50K下的磁化率数值远高于其他样品,且其负磁化行为随着外场强度增大而被抑制,说明体系可能同时存在铁磁性相与抗磁性相,外加磁场较低时,铁磁信号被抑制,呈现出温度依赖的负磁化行为;外加磁场较高时,铁磁性信号与负磁性信号叠加,呈现出反铁磁转变特性.     

横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究

在有效场理论和切断近似框架内，选择自旋S=1的二维方格子，研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为，重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了i>T-D_x空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下，负晶场方向存在临界温度的峰值，正方向可出现重入现象.晶场比率取+0.5和-0.5时，磁有序相范围缩小，特别是晶场比率取-0.5时，随晶场浓度的降低，临界温度峰值从横向晶场负方向渡越到正方向.固定某一负晶场值，不同晶场比率的磁化行为有明显差异.同时与纵向稀疏晶场Ising模型结果进行有意义的比较. 关键词： 横向随机晶场Ising模型 相图 磁化行为     

捕获场对Eu_(1-x)Ca_xCrO_3(x=0～0.3)零场冷磁性测量数据的影响

采用传统固相反应法制备了EuCrO3和Eu1-xCaxCrO3多晶样品,研究了其磁性质。实验结果显示,样品的零场冷磁化曲线的测量不具有重复性.在冷却过程中,由于超导磁体中残留捕获场的存在,样品中未被补偿的自旋磁矩被诱导沿捕获场方向择优取向,从而决定了零场冷磁化强度在磁相变温度以下的极性.样品在经历一个非完美零场冷却过程以后,得到的名义零场冷磁化曲线对捕获场具有很大的依赖性.     

纳米复合永磁Pr9Fe74Co12B5Snx(x=0,0.5)的磁化行为与磁黏滞性

用熔体快淬法制备了纳米复合永磁样品Pr9Fe74Co12B5与Pr9Fe74Co12B5Sn0.5,分析了样品的起始磁化、反磁化过程,测得样品的总磁化率、可逆磁化率以及样品的磁黏滞性.结果表明,两样品在室温下均表现为单一硬磁相磁化行为,在低温下表现为双相行为,且由于添加Sn后使晶粒均匀化从而导致样品低温下的双相行为更加明显.添加Sn后引起样品中软磁相含量和软磁相晶粒尺寸的增加,使磁化反转中可逆磁化部分增多,且使反磁化形核场降低.磁黏滞性研究表明,热激活体积与软磁相晶粒的大小有关.     

Mo掺杂La_(0.7)Ca_(0.2)Ba_(0.1)Mn_(1-x)Mo_xO_3体系的磁电性质

本文采用固相反应法制备了高价态离子Mo掺杂的La0.7Ca0.2Ba0.1Mn1-xMoxO3(x=0,0.01,…,0.06)多晶样品,研究了Mo掺杂对样品的结构、磁性和磁电阻的影响.X射线衍射谱证实所有样品均为具有正交对称性的钙钛矿结构.零场冷却(ZFC)和加场冷却(FCH=0.01T)下其磁化～温度(M～T)曲线的测量表明样品随温度降低发生了从顺磁(PM)到铁磁(FM)的相变,T相似文献   

纳米复合永磁Pr9Fe74Co12B5Snx(x=0, 0.5)的磁化行为与磁黏滞性

用熔体快淬法制备了纳米复合永磁样品Pr₉Fe₇₄Co₁₂B₅ 与Pr₉Fe₇₄Co₁₂B₅Sn_0.5，分析了样品的起始磁化、反磁化过程，测得样品的总磁化率、可逆磁化率以及样品的磁黏滞性.结果表明，两样品在室温下均表现为单一硬磁相磁化行为，在低温下表现为双相行为，且由于添加Sn后使晶粒均匀化从而导致样品低温下的双相行为更加明显.添加Sn后引起样品中软磁相含量和软磁相晶粒尺寸的增加，使磁化反转中可逆磁化部分增多，且使反磁化形核场降低.磁黏滞性研究表明，热激活体积与软磁相晶粒的大小有关. 关键词： 纳米复合永磁 磁化反转 磁粘滞     

紧聚焦角向偏振分数阶涡旋光诱导磁化场特性

基于理查德-沃尔夫矢量衍射理论和逆法拉第效应, 首次推导出紧聚焦角向偏振分数阶涡旋光诱导磁化场表达式, 分析出角向偏振分数阶涡旋光诱导磁化场可近似等效为有限个相邻整数阶涡旋角向偏振光诱导磁化场与其交叉诱导磁化场的加权叠加. 数值模拟了紧聚焦条件下不同分数阶涡旋角向偏振光诱导磁化场的分布特性. 模拟结果表明角向偏振分数阶涡旋光诱导磁化场呈非对称分布. 当取分数阶涡旋拓扑荷α∈ [0.5, 1.5]时, 随着涡旋拓扑荷的增加, 磁化场横向平面分布出现分裂现象, 同时还引起磁斑垂直于光轴方向的自移效应. 当α = 0.5 或 1.5 时, 磁斑中心最大偏移量达0.24λ; 当分数阶涡旋拓扑荷α∈ (2, 3]时, 磁化场横向平面分布分裂出 2 个强度热点, 强度分布环径逐渐变大. 当分数阶涡旋拓扑荷趋于α = 3整数时, 磁化横向平面分布也趋于圆对称性分布. 特别有趣的是, 当分数阶涡旋拓扑荷取半整数, 尤其大于 3 时, 磁化场强度热点数与其包围的暗点数均与涡旋阶数存在正相关关系, 其中热点数为α - 0.5, 暗点数为α - 1.5. 这些研究结果将可应用于全光磁记录和磁性粒子的捕获与操控等.     

固相反应法制备的Gd0.7Sr0.3MnO3粉末的磁学特性

利用固相反应法制备了用Sr部分替换GdMnO3中Gd的锰基钙钛矿氧化物Gd0.7Sr0.3MnO3.X射线衍射表明其晶体结构为正交晶系,空间群为Pnma.通过测量样品在零场冷却和加场冷却下的磁化强度及磁化率随温度的变化曲线,得出样品显示亚铁磁特性,Mn和Gd两个子晶格相互反平行.根据居里-外斯定律得知其居里温度为61 ...     

ErFeO3单晶反常负磁化和补偿温度点性研究

通过光学浮区法生长了直径为6mm,长度约为75mm的晶体,结构分析表明实验样品呈单相的正交钙钛矿结构,并通过劳厄定向仪对ErFeO3晶体进行了定向.系统测量了ErFeO3晶体a,c方向的热磁曲线和不同温度下的磁化曲线.结果表明,随着温度的降低,在98～86K范围该体系经历了从Г4(Gx,Fz)相到Г2(Gz,Fx)相的自旋重取向转变.在ErFeO3体系中,由于Er离子磁矩反平行于Fe离子磁矩分子场,在46K附近,在a方向上Er的反向磁矩大于Fe离子磁矩,导致出现负磁化和磁化补偿点现象.随着外加测量场的增强,a轴向上的负磁化被抑制,补偿温度点向高温移动.     

纳米晶永磁Pr8Fe87B5反磁化机理研究

用熔体快淬法制备了Pr2Fe14B/α-Fe纳米复合永磁样品.测量了样品的起始磁化、反磁化过程、矫顽力和剩磁与外场的关系，以及样品的磁粘滞性.经分析认为材料的矫顽力主要由非均匀的钉扎机理决定，但由于交换硬化的软磁相的可逆转动使得这种反磁化机理不同于单相永磁材料的钉扎行为.磁粘滞性表明热激活主要源于硬磁相的不可逆磁化行为. 关键词： 纳米复合永磁 矫顽力 剩磁 磁粘滞     

Y替代对过渡金属氧化物YbCrO_3体系反常磁化特性的影响

为澄清过渡金属稀土铬氧化物YbCrO3体系中存在反常负磁化现象的物理机制,本文报道了作者通过非磁性离子Y于A位替代对过渡金属稀土铬氧化物YbCrO3体系中存在的反常负磁化特性影响的系统研究结果.实验表明,Y离子的掺杂有效抑制了母相低温下场冷测试模式中的负磁化现象,提高了零场冷测试模式中的负磁化现象出现的阈值场,证明YbCrO3体系中的负磁化现象主要起源于A位稀土离子的顺磁效应.     

Gd和Ti共掺杂对BiFeO_3矫顽力和剩余磁矩的影响(英文)

通过快速液相烧结法制备了BiFeO3、Bi0.9Gd0.1FeO3和Bi0.9Gd0.1Fe0.95Ti0.05O3(BGFTO)块材.x射线衍射和拉曼散射光谱表明Gd和Ti共掺杂后的BGFTO样品产生结构相变.共掺杂样品BGFTO室温下的铁磁性得到显著提高,矫顽力达到1.51T,剩余磁矩为0.175emu/g.磁性得到显著提高的根本原因是共掺杂引起元素替换导致了体系中的螺旋磁结构被抑制.A位和B位共掺杂是引发BiFeO3自发磁化的最有效的方法.     

快淬Nd3.6Pr5.4Fe83Co3B5薄带的反磁化行为和磁黏滞性

用电弧熔炼法制备了Nd_3.6Pr_5.4Fe₈₃Co₃B₅合金铸锭,然后利用熔旋快淬法在铜辊转速V=20m/s下制备了Nd_3.6Pr_5.4Fe₈₃Co₃B₅薄带.快淬带主要由软磁相α-Fe和Nd₂Fe₁₄B型的硬磁相组成.采用直流退磁剩磁曲线方法分析了样品在反磁化过程中的可逆与不可逆磁化部分,并研究了软磁相和硬磁相的反磁化行为,得到样品的不可逆磁化形核场H_no约为440kA/m.同时研究了样品的磁黏滞性,结果表明由于软磁相的存在使得热激活体积较大. 关键词：     

一维钻石链反铁磁Ising模型磁化的模拟

采用Monte Carlo模拟方法对自旋为1/2的一维钻石链反铁磁Ising系统的磁化行为进行研究.在这个系统中,反铁磁的交换作用和三角结构导致存在自旋阻挫.重点研究不同的反铁磁自旋交换作用对系统磁行为和自旋构型的影响.模拟磁化曲线中M=M_S/3磁化平台,得到平台宽度随不同的自旋交换相互作用强弱的变化关系,以及出现磁化平台时格点的自旋构型;给出亚稳态存在的条件及亚稳态时的微观构型.研究磁滞回线随温度的变化关系.结果表明,随着温度的升高,磁滞回线逐渐减小,最终消失.     

熔融织构生长法制备的Y—Ba—Cu—O块材的直流磁化性质研究

通过改变温度梯度和降温速率等制备条件,研究了影响熔融织构生长法制备的 Y-Ba-Cu-O 块材性质的因素.在较为理想条件下制备的样品,其劈裂面的 X-射线衍射表明有很好的晶胞 c 轴垂直于劈裂面的取向.我们测量了场冷和零场冷过程的磁化与温度的关系,并研究了该样品在不同厚度时的磁滞迴线,发现 ΔM(ΔM=M+-M~-,M~+,M~-分别为升场和降场过程的磁化)正比于样品厚度,从而表明在该样品内建立了 Bean 模型所描述的临界态.另外在外磁场 150T 下77K 时,其磁临界电流密度达到6750A/cm~2.     

反铁磁耦合硬磁-软磁-硬磁三层膜体系的不可逆交换弹性反磁化过程

采用一维原子链模型研究了反铁磁耦合的硬磁/软磁/硬磁三层膜体系的反磁化过程. 研究结果表明,当考虑了软磁层的磁晶各向异性能后,软磁层厚度和界面交换耦合强度的改变都有可能导致软磁层的交换弹性反磁化过程由可逆过程转变为不可逆过程. 对软磁层很薄的体系,其反磁化过程是典型的可逆交换弹性反磁化过程. 然而,当软磁层厚度超过某一临界厚度t_c时,反磁化过程转变为不可逆的交换弹性反磁化过程. 软磁-硬磁界面交换耦合强度A_sh对反磁化行为也有很大的影响. 对于软磁层厚度小于临界厚度t_c的体系,也存在一个临界界面交换耦合强度A_sh^c. 当A_sh大于A_sh^c时,软磁层的反磁化过程是可逆的交换弹性反磁化过程;而当A_sh小于A_sh^c时,这一过程变为不可逆. 给出了体系的可逆与不可逆交换弹性反磁化过程随软磁层厚度和界面交换耦合强度变化的磁相图. 同时还研究了偏转场随软磁层厚度的变化关系. 关键词： 反铁磁耦合三层膜 交换弹性反磁化过程 反磁化机理 磁相图     

高T_c氧化物Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y大块超导体的磁化和H_(c1)

高T_c氧化物 Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y(x=0.2,0.3,0.4,0.5)大块超导体的 Meissner 效应表明存在110K 和85K 两个超导相,并且以110K 相为主,抗磁转变起始于103K 附近.不同样品在77.3K 的磁化实验表明,当 x≤0.3时,H_(Cl)≈28Oe,当 x>0.3时,H_(cl)=25Oe.x=0.3的样品在不同温度下的磁化实验结果表明,在 T=77.3—95K 之间,H_(Cl)与 T 成线性关系,且 dH_(Cl)/dT=-1.07Oe/K.两个超导相的存在导致磁化曲线峰的拉宽,且拉宽程度与85K 相所占的比例有关.     

高T_c氧化物Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y大块超导体的磁化和H_(c1)

高T_c氧化物 Bi_(2-x)Pb_xSr_2Ca_2Cu_3O_y(x=0.2,0.3,0.4,0.5)大块超导体的 Meissner 效应表明存在110K 和85K 两个超导相,并且以110K 相为主,抗磁转变起始于103K 附近.不同样品在77.3K 的磁化实验表明,当 x≤0.3时,H_(Cl)≈28Oe,当 x>0.3时,H_(cl)=25Oe.x=0.3的样品在不同温度下的磁化实验结果表明,在 T=77.3—95K 之间,H_(Cl)与 T 成线性关系,且 dH_(Cl)/dT=-1.07Oe/K.两个超导相的存在导致磁化曲线峰的拉宽,且拉宽程度与85K 相所占的比例有关.     

相对论简并电子气体的磁化

中子星内部的致密电子是高度简并的相对论气体, 其输运性质与中子星磁或热的观测现象密切相关, 被认为是中子星磁场的主要载体. 外磁场中电子的朗道能级是分立的且高度简并的, 与无外场时的能量差决定 了系统的磁化程度, 用量子统计的方法可计算理想相对论电子气体的磁化率. 结果表明弱场条件下的磁化率在数量级上接近白矮星的10^-3. 强磁场下的磁化呈现出类似在某些低温金属中出现的de Haas-van Alphen 震荡效应, 高次谐频的震荡幅度有可能超出临界磁化时的磁化率. 表明中子星内部有可能存在非稳定的磁化过程, 发生类似气液转化的一级相变过程, 出现两种磁化共存的稳定态或过冷磁化的亚稳态(若不同磁化态间存在表面能). 从亚稳态向稳定态的突然转化可能与磁星的辐射有关, 可以解释在磁星巨闪过程中观测到的额外辐射问题.     

轨道重构对LaTi_(1-x)Mn_xO_3磁性质的影响

详细研究了锰掺杂量为x=0.1,0.3,0.5的LaTiO3样品中轨道重构对磁性质的影响.氧含量过掺杂的母体LaTiO3未出现任何转变,但在锰掺杂的样品中80K附近出现明显的磁性质转变行为.锰掺杂量x=0.1的样品在温度小于45K低场情况下,伴有磁化强度的涨落,表明了在材料中电子相分离的出现.随着锰掺杂量的增加,通过对Ti 3+离子t2 g轨道的有序的影响进而增强了体系的反铁磁成分.