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相似文献
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1.
对下列含MoFe3S4 单元的μ2-OR或μ2 -SR桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究:(Et4 N)3[Mo2Fe6 S8Cl6 (OMe)3 ](1),(Et4 N)3 [Mo2 Fe6 S8 (SPh)6 (OMe)3 ](2),(Bu4N)3 [Mo2Fe6S8 (SPh)6 (OMe)3 ](3),(Et4N)3 [Mo2Fe6S8 (SBut)6(OMe)3](4),(Et4N)3 [Mo2Fe6S8 (SPh)9 ](5)。通过这系列簇合物特征振动频率和结构参数及与线型Mo-Fe-S簇合物红外光谱的比较,对其νM o-μ2O(R) ,νM o-μ2S(R),νM o-S,νFe-S,νFe-SR,νFe-Cl 进行了归属。对其中两条途径的亲电诱导效应及Δν(即νM o-S-νFe-S)与Fe→Mo 电荷迁移的关系进行了探讨。最后,讨论了桥联双类立方烷与线型Mo-Fe-S簇合物红外光谱的共性和差异。  相似文献   

2.
对下列含MoFe3S4单元的μ2-OR或μ2-SR桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究:(Et4N)3「Mo2Fe6S8Cl6(OMe)3」(1),(Et4N)3「Mo2Fe6S8(SPh)6(OMe)3」(2),(Bu4N)3「Mo2Fe6S8(SPh)6(OMe)3」(3)(Et4N)3「Mo2Fe6S8(SBu^t)6(OMe03」(4)m,(Et4N)3「Mo2Fe6S8(SPh)9」  相似文献   

3.
夏海平  朱从善 《光学学报》1997,17(12):634-1637
报道了在C60与NH2(CH2)3Si(OC2H5)3中的胺基反应生成C60-NH2(CH2)3Si(OC2H5)3物质后引入r-缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷「CH2OCHCH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)3,3-Glycidoxypropltrimethoxysilane,简称KH560」与二甲基二乙氧基硅烷「(CH3)2Si(OC2H5)2,Diethoxydimethylsilane  相似文献   

4.
陆庆宁  S.  C 《化学物理学报》1998,11(4):317-320
应用^31PNMR技术研究了双膦配体1,3-(Et2PCH2)2C5H4和cis-(Pt(PEt3)2Cl2)的反应过程,并对反应产物进行了元素分析和核磁表征,得到的结果表明,该双膦配体容易和cis-(Pt(PEt3)2Cl2)发生金属环化反应,所选用的初始反应物应有利于和双膦配体形成一个中间(过渡状态)使苯环上的C-H键被活化,这是金属环化反应得以顺利进行的关键,据此提出了可能的反应途径。  相似文献   

5.
本文报道了分立簇「Mo3S7(dtp)3I」1及它的四聚物{「Mo3SU(dtp)3」4I}.{(HgI3)4.K}2(dtp=S2P(OC2H5)^-2的IR,Raman和UV-Vis光谱,并讨论分立的「Mo3S7(dtp)3I」在四聚后这些光谱的变化。  相似文献   

6.
本文报道了6种取代苯胺基亚胺二茂铁类化合物R-N=CH-Fe(-Fe为二茂铁基,R为-C6H4X,(X=H,4-Br,4-OH,2-CH3,4-COOH)及4-NHC6H4NO2)的Mossbauer谱数据,其化学位移分别为(mm.s^-1):0.323,0.332,0.338,0.324,0.315和0.310。其四极矩分裂值分别为(mm.s^-1):2.263,2.285,2.287,2.21  相似文献   

7.
应用 ̄1HNMR技术推定了新合成的二(3-取代X基-2,4-戊二酮).N-甲基乙二胺合钴(Ⅲ)配合物:[Co(Xacac)_2(Me-en)]ClO_4(X=CH_3、Cl、NO_2)的Δ(R)∧(S)和Δ(S)∧(R)异构体的空间构型,测定了各配合物异构体手性配位氮原子上的重氢化速率常数k_D值(34.0℃).结果表明,取代基X对k_D值有着显著影响。  相似文献   

8.
介绍了高纯二氧化锆中痕量杂质元素Fe,Na,Si,Ti的ICP-AES测定方法。样品以浓H2SO4及(NH4)2SO4溶解,采用空白背景校正法消除基体Zr的光谱干扰,以基体匹配法补偿基体效应。各元素平均回收率为95%-106%,相对标准偏差为1.3%-3.0%。  相似文献   

9.
本实验测定了新型钼(钨)-铁-硫簇合物(1)(Et4N)[MoFe2(μ3-S)2(CO)8(S2CNEt2)和(2)(Et4N)[WFe2(μ3-S)2(CO)8(S2CNEt2]的穆斯堡尔谱和晶体结构。它们分子中的两个铁原子是等价的,所以都只的一组对称的四极分裂双峰。这个结果与单晶结构分析一致。经计算机拟合后的穆斯堡尔参数(77K时)为:对于(1),化学位移δ=0.08±0.004mm/s,四  相似文献   

10.
本文用ESR方法考察了Cp_2Zr(H)Cl与RNCS(R=C_6H_5,c-C_6H_(11),n-C_4H_9)的反应的过程,结果表明,在这类反应过程中,Zr-H键发生均裂,中心金属锆经过+4─→+3─→+4的价态变化,反应通过自由基机理进行.  相似文献   

11.
本文用电化学现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)技术研究了MTU在HClO4、H2SO4和HNO3介质中分别与一种或两种无机阴离子的共吸附行为,发现ClO-4、SO2-4和NO-3等弱吸附无机阴离子均能被MTU诱导物理吸附在其质子化了的氨基(NH+3)上,这三种无机阴离子被MTU诱导物理吸附的强弱顺序是:在电极电位位于-0.2V~-0.7V区间时,SO2-4>ClO-4>NO-3,在电位位于-0.8V~-1.2V区间时,ClO-4>SO2-4>NO-3。  相似文献   

12.
铁酸盐的水热氧化晶化法制备及其生成条件研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了空气氧化M^2+(M=Mn、Fe、Co、Ni)和Fe^2+的碱性悬浮液制备铁酸盐MFe2O4的条件,考察了原料配比、pH值、氧化温度、氧化时间对生成MFe2O4的影响。利用XRD及SEM检测氧化过程中沉淀物的形态和结构表明,在343 ̄358K和R=2OH^-/(M^2+Fe^2+)=1.0、M^2/Fe^2+=0.5(摩尔比)下用300mL/h的空气氧化Mx/3Fe1-x/3(OH)2悬浮液  相似文献   

13.
利用循环伏安法研究了膦硫混配原子簇化合物Co6S8「P(OCH3)3」6的电化学行为,结果表明Co6S8「P(OCH3)3」6在CH2Cl2训可观察到三个可逆氧化还原过程,其电子转移过程为;Co6S8「p(och3)3」6-=^(-E,+E)Co6S8「P(COH303」6y0=(^-e,+e)Co6S8「P(OCH3)3」6^+=^(-e,+e)Co6S8「P(OCH3)3」6^2+并探讨了其电  相似文献   

14.
用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子 H 与被 C2 H2 吸附的 Si(100) 界面的相互作用.结果显示,在 Si(100) 界面上, Si— Si 二聚化键和 C2 H2 中的 C— C 键被 H 原子打开,它们分别形成 Si— H, C— H 键.用 A M1 量子化学方法,计算了 C2 H2 和 C2 H4 在 Si(100) 上的吸附结构,指出了 C2 H2 在 Si(100) 上的吸附位置,进一步讨论了金刚石在 Si 异质外延初始阶段的形核机制.计算结果显示:在原子 H 的作用下,可以显著地降低反应的活化能,有利于 C H3 的产生和 C H3 向 Si 衬底的键连.计算结果与实验相符合.  相似文献   

15.
本文研究了对苯二胺及其衍生物,CD-2,CD-3,CD-4,和TMPPD的还原型和化型在小金属银颗粒表面的作用。它们的还原型吸附在小银簇表面不能产生表面增强Raman散射(SERS)效应,但它们的氧化型吸附在小金属银颗粒表面,给出稳定的SERS谱图。文中重点讨论了CD-2的情况。实验表明,CD-2的半氧化产物(半醌自由基)通过离域键与小银簇进行作用。本文也讨论了小银簇在催化反应过程中的生长。  相似文献   

16.
此文用从头计算法,在HF,MP2,MP3水平下,使用基组6-31G,6-31+G对SiO的等电子分析SiX^m(X=Be,B,C,N,F,Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电相关效应,并考虑了不同其函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频  相似文献   

17.
耿哲  陈庆华 《波谱学杂志》1996,13(5):425-428
报道了光学纯5-(1-Meng氧基)-3,4-二取代2(5H)-呋喃酮的^1H NMR和^13C NMR数据,研究了不同取代基对结构以及核磁参数的影响。  相似文献   

18.
含R2dtc配体和V=O基的金属簇红外光谱研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文报道两类含R2dtc配体的金属簇的红外光谱特点及某些规律,含R2dtc的立方簇合物在400-500cm^-1有较宽而弱的吸收,可归结于M-μ3S振动。M-Sdtc在330-380cm^-1,C-N振动在1470-1510cm^-1。二甲基dtc配体立方的v(C-N)与v(C=S)比值他二烷基dtc立方烷的相应振动分别蓝移和红移,可归结于甲基超共轭效应所致。「V2Cu2S4(R2dtc)2(PhS)2」^2-和「VCu4S4(R2dtc)n(PhS)4-n」^3-(n=0,1,2)的M-μ3S振动分别出现在480和465cm^-1,可作为区别两类化合物的一个指标。另一类含(R2dtc)2V2O2(μ-S)2单元的金属簇中,V-O伸缩频率在844-970cm^-1范围内,(Et4N)「V2S2O3(Et2dtc  相似文献   

19.
此文用从头计算法,在HF、MP2、MP3水平下,使用基组6—31G、6—31+G对SiO的等电子分子SiXm(X=Be、B、C、N、P、Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电子相关效应,并考虑了不同基函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频率在HF、MP2、MP3水平上都呈现出明显的规律性,通过与实验上存在的稳定分子SiO相比较,可以预言NSIi-和SiF+比其它分子有较明显的成键可能性,所以,NSi-和SiF+有可能形成稳定的分子。  相似文献   

20.
本用第一原理的LDF-LMTO-ASA方法,以超元胞Ba4Bi4O12,(Ba3K)BiO12,(BaK)Bi2O6,(BaK3)Bi4O12,K2Bi2O6五种“样本”计算由于Bi^+3和Bi^+5二种价态以及K掺杂引起各芯态能级化学位移的变化,“样本”的电子结构与实验相符,即Ba4Bi4O12是g=-2.0eV的半导体,(Ba3K)Bi4O12j Eg=1.6eV其价带顶有不量空穴的半导体,  相似文献   

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