硅的低温电学性质

本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10¹²—1×10²⁰cm^-3含硼或磷(砷)Si的电学性质。对一些p-Si样品用弱场横向磁阻法及杂质激活能法进行了补偿度的测定,并进行了比较。从霍尔系数与温度关系的分析指出,对于较纯样品,硼受主能级的电离能为0.045eV,磷施主能级为0.045eV,在载流子浓度为10¹⁸—10¹⁹cm^-3时发现了费米简并,对载流子浓度为2×10¹⁷—1×10¹⁸cm^-3的p-Si及5×10¹⁷—4×10¹⁸cm^-3的n-Si观察到了杂质电导行为。从霍尔系数与电导率计算了非本征的霍尔迁移率。在100°—300°K间,晶格散射迁移率μ满足关系式AT^-a,其中A=2.1×10⁹,α=2.7(对空穴);或A=1.2×10⁸,α=2.0(对电子)。另外,根据我们的材料(载流子浓度在5×10¹¹—5×10²⁰cm^-3间),分别建立了一条电阻率与载流子浓度及电阻率与迁移率的关系曲线,以提供制备材料时参考之用。     

80—500°K间InSb的电导率、霍尔效应及磁阻效应

文中报导了80—500°K间n型及p型InSb的电导率、霍尔系数及磁阻效应的测量,所用样品的杂质含量(补偿后)为4×10¹³—7×10¹⁷cm^-3。由结果的分析得出InSb的本征载流子浓度、禁带宽度及电子迁移率等数值,讨论了电子的散射机构以及强磁场下磁阻与磁场强度成一次方正比关系的可能原因。     

高压下Li掺杂p型ZnO固溶体的表征

报道了利用ZnO和Li₂O混合物在5GPa, 1200 ℃—1500 ℃条件下, 制备Li掺杂p型ZnO(记作ZnO: Li)固溶体的过程. 研究发现, 高压下温度对于ZnO: Li固溶体的导电类型以及结构具有较大的影响. 其中在1500 ℃条件下烧结的ZnO: Li(Li的掺杂量4.5%)表现出良好的p型电学性能, 其电阻率为3.1× 10^-1Ω·cm, 载流子浓度为3.3× 10¹⁹cm^-3, 迁移率为27.7cm²·V^-1·s^-1. 通过实验及理论计算确定了其受主能级为110meV, 讨论了压力对p型ZnO的形成和电学性能的影响.     

金原子团簇的分频散射光谱研究

液相金原子团簇是一种非线性光学介质.它在580nm处产生一个最强共振散射峰.当激发波长为290nm(1.03×10¹⁵Hz)时,液相金原子团簇在580nm(1/2×1.03×10¹⁵Hz)和870nm(1/3×1.03×10¹⁵Hz)分别产生一个1/2分频和1/3分频散射峰;当激发波长为580nm(5.02×10¹⁴Hz)时在290nm(2×5.02×10^-14Hz)和870nm(2/3×5.02×10¹⁴Hz)分别产生一个2倍频和2/3分频散射峰;当激发波长为870nm(3.34×10¹⁴Hz)时在580nm(3/2×3.34×10¹⁴Hz)和290nm(3×3.34×10¹⁴Hz)分别产生一个3/2分频和3倍频散射峰.分频散射和倍频散射峰与共振散射峰具有相似的散射行为.从激励光与液相金原子团簇相互作用的运动方程出发,根据傅氏变换理论,较好地解释了液相金原子团簇产生的一些非线性散射光谱.     

AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性

对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量，测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×10⁴cm²·V^-1·s^-1和9.3×10¹²cm^-2，且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变，变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下，观察到量子霍尔效应，Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡在磁场约为3T时出现，证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析，推出量子散射时间为0.23ps，比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长，说明引入AlN层可以有效减小合金散射，进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.     

高光洁度玻璃基片的表面散射和体散射测量

 提出了一种利用总积分散射（TIS）测量K9玻璃基片表面散射和体散射的实验方法。首先采用磁控溅射技术在基片表面沉积厚度为几十nm的金属Ag薄膜，然后将基片的表面和体区分开考虑，通过TIS测得了基片上下表面的均方根粗糙度， 进而求得基片的总散射和表面散射，最后计算得到了体散射。分别利用TIS和原子力显微镜（AFM）测量了3个样品上表面所镀Ag膜的均方根粗糙度，两种方法所得的均方根粗糙度的数值相差不明显，差值分别为0.08，0.11和0.09 nm, 表明TIS和AFM的测量结果相一致。利用该方法测得3块K9玻璃基片的总散射分别为6.06×10^-4，5.84×10^-4和6.48×10^-4，表面散射介于1.25×10^-4~1.56×10^-4之间，由此计算得到的体散射分别为3.10×10^-4，3.30×10^-4和3.61×10^-4。     

基于沉淀工艺制作四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极的研究

采用沉淀法制备四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极，将阴极和荧光屏封装起来抽真空并对屏施加电压，测试阴极的发射电流和荧光屏的发光亮度.利用沉淀法制备出面积为(13×15) cm²的阴极，测试结果表明，硅酸钾体积百分比在50×10^-3—83×10^-3范围，硝酸钡浓度在50×10^-4—77×10^-4 M范围，四脚氧化锌的浓度在82×10^-4—12×10^{-3相似文献}   

磷在硅表面氧化层中的扩散

用示踪原子方法,研究了磷(Na₂HP³²O₄)在p型硅表面氧化层中的扩散。硅单晶的电阻率为5—6欧姆·厘米。氧化层是在高温下水汽中生长的,其厚度为0.5—0.6微米,是用灵敏度为10^-5克/刻度的微量天平测定的。发现在1245℃时氧化层的生长规律服从X^1.85=1.4×10^-2t,其中X为氧化层的厚度,单位为微米;t为氧化层的生长时间,单位为分钟。其红外吸收的测量结果与文献中的数据基本一致。扩散是在充满空气的封闭石英管中进行的,扩散温度为700—1250℃,扩散时间从4分钟到5小时。实验结果表明,磷在SiO₂层中的浓度分布不能直接用菲克第二定律描述,它可以看成是一个均匀分布和一个遵守菲克第二定律的分布的迭加。按后一种分布得到在700—1200℃范围内的扩散系数的温度依赖关系:D=1.9×10^-9exp(-1.1/kT)厘米²/秒。均匀分布部分的浓度为(1—8)×10¹⁹原子/厘米³。大中对所用方法和所得结果作了简单讨论.     

Cl/HN3/I2全气相化学激光体系的化学动力学模拟计算

 对Cl/HN₃/I₂产生NCl(a)/I激光的过程进行了化学动力学计算，主要考察了Cl,HN₃和I₂的初始粒子数密度及其配比对小信号增益系数的影响。结果发现,当温度为400K, 初始Cl粒子数密度为1×10¹⁵，1×10¹⁶和1×10¹⁷cm^-3时,小信号增益系数分别达到1.6×10^-4,1.1×10^-3和1.1×10^-2cm^-1，获得最佳小信号增益系数的HN₃和I₂的初始粒子数密度分别为初始Cl粒子数密度的1～2倍和2%～4%。同时，对Cl，HN₃和I₂配比对小信号增益系数和增益持续时间的影响进行了讨论。     

克里奇中间体CH2OO与CF3CF=CF2反应的动力学研究

本文使用OH激光诱导荧光方法研究了结构最简单的克里奇中间体CH₂OO和CF₃CF=CF₂的反应动力学. 在压强为10 Torr条件下，测量了温度在283，298，308和318 K的反应速率常数，分别为(1.45±0.14)×10^-13，(1.18±0.11)×10^-13，(1.11±0.08)×10^-13和(1.04±0.08)×10^-13 cm³·molecule^-1·s^-1. 根据阿伦尼乌斯方程，获得该反应的活化能为(-1.66±0.21) kcal/mol. 在6.3∽70 torr压力范围内，未观察到该反应的速率常数存在压力相关.     

Electrical Characterization of Deep Trap Properties in High-k Thin-Film HfO2 Dielectric

Deep-trap properties of high-dielectric-constant （k） HfO2 thin films are investigated by deep-level transient spectroscopy and capacitance-voltage methods. The hole traps of the HfO2 dielectric deposited on a p-type Si substrate by sputtering are investigated in a metal-oxide-semiconductor structure over a temperature range of 300-500K. The potential depth, cross section and concentration of hole traps are estimated to be about 2.5eV, 1.8 ×10^-16 cm^2 and 1.0 × 10^16 cm^-3, respectively.     

Hole-phonon scattering in zinc doped GaSb

The phonon thermal conductivity values in Zn-doped GaSb are explained for hole concentrations ranging from 2 × 10¹⁷ to 4 × 10¹⁹ cm^-3. The concentration dependence of thermal conductivity above 3 × 10¹⁸ cm^-3 is similar to other doped materials and is explained by considering the scattering of phonons by free electrons (holes) given by Ziman and Kosarev and applying the screening effects suggested by Crossby and Grenier. The density-of-states effective mass is kept constant and the dilatation deformation potential is found to increase with hole concentration. For impurity concentrations less than 3 × 10¹⁸ cm^-3, the thermal conductivity is found to increase with hole concentration. Since this concentration region is below the metal-insulator transition, the theory of scattering of phonons by holes bound to the impurity atoms explains the conductivity results. The values of acceptor hole radius and deformation potential constants are in agreement with the experimental values.     

N离子注入富氧ZnO薄膜的p型导电及拉曼特性研究

采用射频磁控溅射法在富氧环境下制备ZnO薄膜, 继而结合N离子注入及热退火实现薄膜的N掺杂及p 型转变, 借助霍尔测试和拉曼光谱研究了N离子注入富氧ZnO薄膜的p型导电及拉曼特性. 结果表明, 在 600 ℃温度下退火120 min可获得性能较优的p-ZnO: N薄膜, 其空穴浓度约为2.527×10¹⁷ cm^-3. N离子注入ZnO引入了三个附加拉曼振动模, 分别位于274.2, 506.7和640.4 cm^-1. 结合电学及拉曼光谱的分析发现, 退火过程中施主缺陷与N受主之间的相互作用对p-ZnO的形成产生重要影响.     

p型ZnO薄膜的制备及特性

采用射频磁控溅射在Si片上制备ZnO薄膜，通过离子注入对样品进行N掺杂，在不同温度下进行退火并实现了p型转变.用扫描电子显微镜、X射线衍射和Hall测量对薄膜进行了表征，结果表明薄膜具有良好的表面形貌和高度c轴择优取向，退火后p型ZnO薄膜的最高载流子浓度和最低电阻率分别为1.68×10¹⁶cm^-3和41.5Ω·cm.讨论并分析了退火温度和时间对ZnO薄膜p型转变的影响.     

p型锑化铟中的噪声

测量了几个高纯的p型InSb样品在液氮温度下的噪声频谱,一般由产生复合噪声及调制噪声组成,前者与热平衡载流子浓度p₀的二次方成反比,后者与p₀成反比。因此,材料愈纯,产生复合噪声所占的比重就愈大。产生复合噪声的数值与频谱与已有的理论符合。由此频谱可确定多数载流子寿命τ,得到τp₀≈1.1×1O⁹秒/厘米³,并给予理论解释。     

GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长

本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED强度振荡,并利用它成功地生长10个周期的GaSb/AlSb超晶格,透射电子显微镜照片显示界面平整、清晰,采用较厚的AlSb过渡层及适当的生长条件,可在半绝缘GaAs衬底上生长出质量好的GaSb外延层,其X射线双晶衍射半峰宽小于 关键词：     

α-Al2O3单晶中Fe3+离子的电子顺磁共振

本文对α-Al₂O₃单晶体中Fe³⁺离子在室温下,X波段进行了电子顺磁共振研究,发现Fe³⁺离子实际上占据四种磁性不等价晶位。在同一氧离子层间的两种晶位上的Fe³⁺离子具有相同的自旋哈密顿参量,而不同氧离子层间的晶位上的Fe³⁺离子具有不同的自旋哈密顿参量,两种自旋哈密顿参量为:(1)g_‖=2.001,g_⊥=2.003,D=1679 关键词：     

掺铍GaAs量子阱的光致荧光

测量了掺铍的,阱宽约为10nm的GaAs量子阱在4.2K的光致荧光。掺杂浓度分别为1×10¹⁷和5×10¹⁸cm^-3。测量结果表明:对于无规掺杂,局域在阱中心的铍的状态密度与导带电子从n=1量子能级到阱中心中性铍的跃迁概率的乘积大于对应于介面铍的乘积。另外,实验结果也表明:当掺杂浓度升高时,由于带隙收缩的影响,阱中心铍的电离能减小。     

电子极化对氟化钙离子晶体的弹性系数、压电系数和介电常数的影响

本文用黄昆的方法计算了电子极化对氟化钙离子晶体的弹性系数c₁₂-c₄₄的偏离的贡献,以及对静电与光学介电常数差的影响,其结果在数量级和方向上与实验结果符合。