GaSb/AlSb/GaAs应变层结构的分子束外延生长

本文以反射式高能电子衍射(RHEED)和其强度振荡为监测手段,在半绝缘GaAs衬底上成功地生长GaSb/AlSb/GaAs应变层结构,RHEED图样表明,GaSb正常生长时为Sb稳定的C(2×6)结构,AlSb为稳定的(1×3)结构,作者观察并记录GaSb,AlSb生长时的RHEED强度振荡,并利用它成功地生长10个周期的GaSb/AlSb超晶格,透射电子显微镜照片显示界面平整、清晰,采用较厚的AlSb过渡层及适当的生长条件,可在半绝缘GaAs衬底上生长出质量好的GaSb外延层,其X射线双晶衍射半峰宽小于 关键词：     

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)结合化学衍生法分析杂环新化合物的结构

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)分析了难挥发的杂环新化合物咪唑啉硫氰酸盐及其三种衍生物,确认出很强的氢离化及银离化准分子离子峰,通过对各种衍生物谱图的对照分析,确认出较强的含有结构特征的碎片离子峰,并对该化合物在离子轰击下的裂解规律作了分析,支持了对该新化合物结构的鉴定.     

用飞行时间二次离子质谱法分析模塑料成分

用飞行时间二次离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）结合银离化的方法研究了集成电路封装中常用的环氧模塑料的两种主要成分：邻甲酚环氧树脂和线型酚醛树脂。测得ｎ＝０～４的环氧树脂分子及相应的水解成分和ｎ＝１～７的酚醛树脂分子。碎片离子中除了芳香化合物的特征碎片外,还有反映树脂结构的碎片。通过对环氧树脂银离化碎片离子的分析,推断中间苯环上的侧链是最可能断裂的     

飞行时间二次离子质谱结合X-射线光电子能谱分析化学清洗后残留的表面有机物

用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)结合X射线光电子能谱,分析了用化学方法清洗后银片上残留的未知有机物.TOF-SIMS与XIPS提供的互补的表面信息显示,中分子量以上的有机物主要是几种链长22～27碳原子、碳链饱和度很高的多酮类化合物,可能还有一些多酯类化合物.这些有机物中的C=O基团易于采取氧原子指向金属基体表面的取向,通过带部分负电荷的氧原子与金属基体镜像力的作用而增强粘附.     

用低能离子溅射剥层和高能离子背散射组合方法进行薄膜原位分析

介绍了将离子枪组合于卢瑟福背散射分析靶室中构成Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ／ＲＢＳ原位分析实验装置,用低能离子溅射剥层与高能离子背散射组合对薄膜样品进行成分和深埋层分析方法．给出了对样品分析的三个例子．对Ａｕ／Ｓｉ样品的分析着重讨论了Ａｕ在Ａｒ＋溅射剥层时的溅射速率;对Ｓｉ／Ｇｅ Ｓｉ／Ｓｉ和ＷＳｉｘ／ＳｉＯ２／Ｓｉ样品的深埋层分析,提高了样品分析的深度分辨率．讨论了这一Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ／ＲＢＳ组合分析方法的优缺点和在薄膜材料研究中可能的应用 关键词：     

聚甲氧基硅氧烷及其功能化产物研究Ⅰ.制备

通过正硅酸甲酯(TMOS)在酸性条件下的部分水解缩合反应制备了不同分子量的聚甲氧基硅氧烷(PMOS)，详细讨论了水与TMOS的摩尔比(r)对PMOS结构和性能的影响。用丙烯酸-2-羟乙酯(HEA)通过酯交换反应使PMOS的部分甲氧基变为丙烯酰氧乙氧基，从而得到可进行热聚合或光聚合反应的功能化聚甲氧基硅氧烷PAMOS，讨论了影响酯交换反应的各种因素。     

LiNi0.8-xAlxCo0.2O2制备与电极性能的研究

采用高温固相反应法合成具有良好层状结构的LiNi0.8-xAlxCo0.2O2。研究发现，LiNi0.71Al0.02Co0.2O2材料经20次循环弃放电后，其放电容量仍达152mAh/g，是首次放电容量的97.4%。通过XRD结构测量、慢扫描循环伏安测试和电极经多次循环后其交流阻抗测试的对比，表明对LiNiO2进行Al和Co共掺杂，增强了材料层状结构的稳定性，有效地抑制了Li^ 嵌入脱出过程中材料的相转变，其充放电性能、耐过充性和循环性能都得到明显改善，热分析测试表明，在高脱锂状态下共掺杂材料的热稳定性也有所提高。     

无机-有机杂化聚合物电解质的制备与电化学性能

以有机改性聚硅氧烷为单体加入液态电解质通过紫外光辐射固化制备了无机有机杂化聚合物电解质.含有丙烯酸酯端基的有机改性聚硅氧烷单体是通过正硅酸甲酯(TMOS)的水解缩合反应产物与丙烯酸2羟乙酯(HEA)进行脱甲醇反应合成的.它是一种多官能团单体,其结构通过核磁共振氢谱(1HNMR)分析、红外光谱(FTIR)分析及二氧化硅分析进行了表征,分子式可表达为SiO1.143(OH)0.016(OCH3)1.339(OCH2CH2OCOCHCH2)0.357.无机有机杂化聚合物电解质的电化学性能通过交流阻抗和循环伏安法进行了表征.其离子电导率随着液态电解质含量的增大而提高,当液态电解质含量为85wt%时,电导率在22℃为5.5×10-3Scm-1,在-23℃也能达到1.1×10-3Scm-1.界面电阻经过开始2天的增大后达到稳定,电化学稳定窗口超过5.0V,不锈钢电极上锂的电化学沉积与剥离循环可逆性很高.     

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)结合化学衍生法分析杂环新化合物的结构

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)分析了难挥发的杂环新化合物咪唑啉硫氰酸盐及其三种衍生物, 确认出很强的氢离化及银离化准分子离子峰, 通过对各种衍生物谱图的对照分析, 确认出较强的含有结构特征的碎片离子峰, 并对该化合物在离子轰击下的裂解规律作了分析, 支持了对该新化合物结构的鉴定。     

表面残留有机沾污物的TOF－SIMS及XPS研究

飞行时间次级离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）结合Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析了用化学方法清洗后、银片上残留的未知的有机物。结果显示，有机沾污物主要是一些含１８～３０碳原子、碳链饱和度很高的酮类和酯类化合物；个别有机物可能是硬脂酰胺。这种结构特点使有机物中的Ｃ＝Ｏ基团易于采取氧原子指向基体表面的取向，通过带部分负电荷的氧原子与金属基体镜像力的作用而增强粘附。ＴＯＦ－ＳＩＭＳ二维离子像显示有机沾污物在银片表面上呈极稀薄的均匀分布。