多晶LaB6阴极的脉冲热发射特性

 采用多晶LaB₆材料制成平板二极管阴极，阳极采用钼材料，阴极采用热传导与热辐射加热，加热体为石墨。实验研究了不同阴极温度、不同真空度下的脉冲发射特性，并对热发射稳定性进行了分析。结果表明： 在动态真空系统中， 阴极发射面积为0.012 1 cm²， 工作真空度为2×10^-4 Pa， 阴极温度分别为1 600， 1 650和1 700 ℃，在脉冲宽度为40 ms、重复频率为107 Hz的条件下，最大脉冲发射电流密度分别为34.0，44.0和53.8 A/cm²; 2×10^-4，5×10^-4和2×10^-3 Pa压强下的发射能力没有明显的差异;脉冲宽度的变化不影响发射电流密度的变化。     

等离子体屏蔽和稀疏波对冲量耦合系数的影响

 利用脉冲Nd:YAG激光作用在铝、铜靶上，研究了不同入射激光能量下冲量耦合系数和离焦量之间的关系，以及不同功率密度情况下冲量耦合系数和光斑直径的关系。实验表明铝靶在入射激光脉冲能量由75.8 mJ增加到382.3 mJ时，冲量耦合系数峰值对应的最佳离焦量由－10 mm处远离焦点向透镜方向移到－18 mm，而对应的激光功率密度仅由2.0×10⁹ W/cm²增加到3.9×10⁹ W/cm²；铜靶实验规律和铝靶类似。等离子体屏蔽的吸收作用导致了冲量耦合系数达到最大值后迅速降低。铝靶在入射激光功率密度由0.7×10⁹ W/cm²增大到1.0×10¹⁰W/cm²时，冲量耦合系数随光斑直径增大而增大，对应变化斜率由5.2×10^-5N·s/（mm·J）增大到49.2×10^-5N·s/（mm·J），表明了稀疏波对冲量耦合系数的削弱作用随入射激光功率密度增加而增加，随光斑直径增大而减小。     

飞秒激光激发空气电离的阈值研究

报道在脉宽50fs—22ps，波长800nm脉冲激光作用下的空气电离阈值的研究结果.利用探测等离子体发光信号的方法，实验测量了激发空气电离所需的阈值激光强度.结果表明，当激光脉冲宽度从50fs增加到22ps时，阈值光强I_th从8.7×10¹⁴W/cm²下降到2.7×10¹³W/cm²；I_th经历了由迅速降低逐渐发展为缓慢降低的过程.在50fs—1p     

用光学记录速度干涉仪测量自由面速度

 建立了一套光学记录速度干涉仪系统(ORVIS)，用于测量强激光产生的冲击波状态方程中的自由面速度。该光学记录速度干涉仪系统的时间分辨率为179 ps，可以测量自由面速度随时间变化的整个过程。在天光KrF高功率准分子激光装置上进行激光打靶实验，激光波长248.4 nm，脉冲宽度25 ns，最大输出能量158 J。在激光功率密度为6.24×10¹¹W·cm^-2的条件下，测得厚20 μm铁膜的自由面速度可达3.86 km/s；在激光功率密度为7.28×10¹¹W·cm^-2条件下，100 μm铝膜（靶前有100 μm的CH膜作为烧蚀层）的自由面速度可以达到2.87 km/s。     

克里奇中间体CH2OO与CF3CF=CF2反应的动力学研究

本文使用OH激光诱导荧光方法研究了结构最简单的克里奇中间体CH₂OO和CF₃CF=CF₂的反应动力学. 在压强为10 Torr条件下，测量了温度在283，298，308和318 K的反应速率常数，分别为(1.45±0.14)×10^-13，(1.18±0.11)×10^-13，(1.11±0.08)×10^-13和(1.04±0.08)×10^-13 cm³·molecule^-1·s^-1. 根据阿伦尼乌斯方程，获得该反应的活化能为(-1.66±0.21) kcal/mol. 在6.3∽70 torr压力范围内，未观察到该反应的速率常数存在压力相关.     

用Z-扫描技术研究卟啉铜偶合TiO2/SiO2有机-无机材料的非线性吸收特性

应用溶胶-凝胶技术, 成功地把5,10,15,20-四(4-磺酸苯基)卟啉铜掺杂到SiO₂/TiO₂无机凝胶中, 制备成有机-无机复合材料. 采用开孔Z-扫描技术, 使用波长532 nm、脉宽7ns的YAG脉冲激光为光源, 测定了不同浓度卟啉铜掺杂的SiO₂/TiO₂凝胶Z-扫描曲线. 应用Z扫描理论对获得的曲线进行分析与理论拟合, 得到复合材料的非线性吸收系数. 这些非线性吸收是由材料中卟啉铜的单聚体与二聚体的反饱和吸收所引起. 研究表明, 随着掺杂浓度的增大, 复合材料的非线性吸收明显增强. 掺杂浓度为1.11×10^-4 (A2), 1.48×10^-4 (A3)与3.01×10^-4 mol/L (A4)凝胶的非线性吸收系数分别为1.705×10^-11, 1.892×10^-11和4.854×10^-11 m/W. 讨论了单聚体与二聚体的浓度变化对非线性吸收的影响. 随着掺杂浓度的增加, 凝胶中二聚体与多聚体含量的增加, 导致非线性吸收系数的增大. 同时测定了无机材料对该光源的抗激光损伤阈值为～5 J/cm².     

AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性

对使用金属有机物汽相沉积法生长的AlGaN/AlN/GaN结构进行的变温霍尔测量，测量结果指出在AlN/GaN界面处有二维电子气存在且迁移率和浓度在2K时分别达到了1.4×10⁴cm²·V^-1·s^-1和9.3×10¹²cm^-2，且在200K到2K范围内二维电子气的浓度基本不变，变磁场霍尔测量发现只有一种载流子(电子)参与导电.在2K温度下，观察到量子霍尔效应，Shubnikov-de Haas (SdH) 振荡在磁场约为3T时出现，证明了此结构呈现了典型的二维电子气行为.通过实验数据对二维电子气散射过程的半定量分析，推出量子散射时间为0.23ps，比以往报道的AlGaN/GaN结构中的散射时间长，说明引入AlN层可以有效减小合金散射，进一步的推断分析发现低温下以小角度散射占主导地位.     

环氧树脂基真空绝缘材料的制备和性能测试

 介绍了一种用于脉冲功率装置真空绝缘子的环氧树脂基复合材料的研制机理、制备过程和典型性能。初步测试结果表明，添加一定量的水合氧化铝颗粒可以使环氧树脂材料的表面电阻率由5×10¹⁶ Ω降低为6×10¹¹ Ω，这一特性有利于释放由于沿面闪络等原因沉积在真空绝缘子表面的电荷，从而使材料在脉冲电压下的沿面闪络电压有所提高，实验得到在上升沿400 ns的脉冲电压作用下， 沿面闪络电压可从17 kV 提高到 28 kV。     

短脉冲高剂量率γ射线源技术研究

 介绍了“强光一号”加速器产生宽度约20 ns的高剂量率脉冲γ射线的工作过程;分析了短脉冲γ射线源二极管的管绝缘体和真空磁绝缘传输线的结构与绝缘性能;说明了等离子体断路开关的工作特性;阐述了二极管工作阻抗和阴阳极的设计原则与设计参数。给出了不同短脉冲γ射线源的实验结果,得到了3种辐射参数：脉冲宽度约20 ns,辐射面积为2,30和100 cm²时,相应的辐射剂量率为10¹¹,0.7×10¹¹和10¹⁰ Gy/s。     

超短脉冲强激光与固体靶相互作用中Kα射线的实验研究

在相对论激光强度下，对p偏振30 fs激光与固体Cu靶相互作用中产生的Kα射线进行了实验研究.采用刀边成像技术和单光子计数X射线CCD相结合的探测装置，在单发激光脉冲打靶时同时得到X射线源的尺寸、能谱以及Kα光子的转换效率等多种信息.实验结果与Reich等人的理论计算结果有明显的差异，Kα光子的能量转换效率在激光功率密度为1.6×10¹⁸W/cm²的条件下达到最大值7.08×10^-6/sr.根据这一结果并结合蒙特卡罗程序，推断出在这一聚焦光强下激光能量转换为前向超热电子的效率约为10%.     

Single-Photon Detection at Telecom Wavelengths

A single-photon detector based on an InGaAs avalanche photodiode has been developed for use at telecom wavelengths. A suitable delay and sampling gate modulation circuit are used to prevent positive and negative transient pulses from influencing the detection of true photon induced avalanches. A monostable trigger circuit eliminates the influence of avalanche peak jitter, and a dead time modulation feedback control circuit decreases the afterpulsing. From performance tests we lind that at the optimum operation point, the quantum efficiency is 12% and the dark count rate 1.5 × 10^-6 ns^-1, with a detection rate of 500 kHz.     

BF+2注入多晶硅栅F迁移特性的分析与模拟

在深入分析BF⁺₂注入多晶硅栅F在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了F在多晶硅栅中的迁移方程.采用有限差分法，模拟了BF⁺₂注入多晶硅栅F在多晶硅栅中的分布.模拟结果与二次离子质谱(SIMS)分析结果相符.给出了80keV，2×10¹⁵cm^-2 BF⁺₂注入多晶硅栅900℃，30min退火条件下F在多晶硅中的发射系数e=6×10关键词：     

埋氧注氮工艺对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的辐射硬度的影响

研究了埋氧注氮对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的总剂量辐射硬度所造成的影响。注入埋氧的氮剂量分别是8×1015 , 2×1016 和1×1017cm-2。实验结果表明，辐照前，晶体管的阈值电压随氮注入剂量的增加向负方向漂移。在正2V的栅偏压下，经5×105 rad(Si)的总剂量辐照后，同埋氧未注氮的晶体管相比，埋氧注氮剂量为8×1015 cm-2的晶体管呈现出了较小的阈值电压漂移量。然而，当注氮剂量高达2×1016 和 1×1017cm-2时，所测大多数晶体管的顶栅氧却由于5×105 rad(Si)的总剂量辐照而受到了严重损伤。另外，对于顶栅氧严重受损的晶体管，其体-漏结也受到了损伤。所有的实验结果可通过氮注入过程中对顶硅的晶格损伤来解释。     

Internal cancellation of spikes using two avalanche photodiodes in series for single photon detection

<正>We propose a method of improving the performance of InGaAs/InP avalanche photodiodes by using two avalanche photodiodes in series as single photon detectors for 1550-nm wavelength.In this method,the raw single photon avalanche signals are not attenuated,thus a high signal-to-noise ratio can be obtained compared with the existing results.The performance of the scheme is investigated and the ratio of the dark count rate to the detection efficiency is obtained to be 1.3×10~(-4) at 213 K.     

低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究

制作了底栅极顶接触有机薄膜晶体管器件,60 nm的pentacene被用作有源层,120 nm热生长的SiO₂作为栅极绝缘层.通过采用不同自组装修饰材料对器件的有源层与栅极绝缘层之间的界面进行修饰,如octadecyltrichlorosilane （OTS）,phenyltrimethoxysilane （PhTMS）,来比较界面修饰层对器件性能的影响.同时对带有PhTMS修饰层的OTFTs器件低栅极电压调制下的场效应行为及其载流子的传输机理进行研究.结果得到,当|V 关键词： 有机薄膜晶体管 自组装单分子层 场效应迁移率 低栅极调制电压     

Ge/Si photodiodes and phototransistors with embedded arrays of germanium quantum dots for fiber-optic communication lines

Photodetectors based on Ge/Si multilayer heterostructures with germanium quantum dots are fabricated for use in fiber-optic communication lines operating in the wavelength range 1.30–1.55 μm. These photodetectors can be embedded in an array of photonic circuit elements on a single silicon chip. The sheet density of germanium quantum dots falls in the range from 0.3 × 10¹² to 1.0 × 10¹² cm^?2, and their lateral size is approximately equal to 10 nm. The heterostructures are grown by molecular-beam epitaxy. For a reverse bias of 1 V, the dark current density reaches 2 × 10^?5 A/cm². This value is the lowest in the data on dark current densities available in the literature for Ge/Si photodetectors at room temperature. The quantum efficiency of photodiodes and phototransistors subjected to illumination from the side of the plane of the p-n junctions is found to be 3% at a wavelength of 1.3 μm. It is demonstrated that the maximum quantum efficiency is achieved for edge-illuminated waveguide structures and can be as high as 21 and 16% at wavelengths of 1.3 and 1.5 μm, respectively.     

量子通信中单光子探测器的实验研究

为了提高单光子探测系统的灵敏度,实验采用InGaAs/InP雪崩光电二极管作为量子通信中的单光子探测器件,以门控脉冲模式实现了更高精度的单光子探测器的偏压生成电路、单光子信号放大电路、单光子信号检测电路和温度控制模块,并通过选用高精度前置放大器OP37和精密比较器AD8561,将量子效率提高到18.3%,暗计数控制小于4.1%×10~(-6)/ns.     

Discrete scale invariance and ln(B) periodic quantum oscillations in topological semimetals

The Panda X-4T experiment, a 4-ton scale dark matter direct detection experiment, is being planned at the China Jinping Underground Laboratory. In this paper we present a simulation study of the expected background in this experiment. In a 2.8-ton fiducial mass and the signal region between 1-10 keV electron equivalent energy, the total electron recoil background is found to be 4.9 × 10~(-5) kg~(-1) d~(-1) keV~(-1). The nuclear recoil background in the same region is 2.8 × 10~(-7) kg~(-1) d~(-1) keV~(-1). With an exposure of 5.6 ton-years, the sensitivity of Panda X-4 T could reach a minimum spin-independent dark matter-nucleon cross section of 6 × 10~(-48) cm~2 at a dark matter mass of 40 Ge V/c~2.     

Detective quantum efficiency,modulation transfer function and energy resolution comparison between CdTe and silicon sensors bump‐bonded to XPAD3S

XPAD3S is a single‐photon‐counting chip developed in collaboration by SOLEIL Synchrotron, the Institut Louis Néel and the Centre de Physique de Particules de Marseille. The circuit, designed in the 0.25 µm IBM technology, contains 9600 square pixels with 130 µm side giving a total size of 1 cm × 1.5 cm. The main features of each pixel are: single threshold adjustable from 4.5 keV up to 35 keV, 2 ms frame rate, 10⁷ photons s^?1 mm^?2 maximum local count rate, and a 12‐bit internal counter with overflow allowing a full 27‐bit dynamic range to be reached. The XPAD3S was hybridized using the flip‐chip technology with both a 500 µm silicon sensor and a 700 µm CdTe sensor with Schottky contacts. Imaging performances of both detectors were evaluated using X‐rays from 6 keV up to 35 keV. The detective quantum efficiency at zero line‐pairs mm^?1 for a silicon sensor follows the absorption law whereas for CdTe a strong deficit at low photon energy, produced by an inefficient entrance layer, is measured. The modulation transfer function was evaluated and it was shown that both detectors present an ideal modulation transfer function at 26 keV, limited only by the pixel size. The influence of the Cd and Te K‐edges of the CdTe sensor was measured and simulated, establishing that fluorescence photons reduce the contrast transfer at the Nyquist frequency from 60% to 40% which remains acceptable. The energy resolution was evaluated at 6% with silicon using 16 keV X‐rays, and 8% with CdTe using 35 keV X‐rays. A 7 cm × 12 cm XPAD3 imager, built with eight silicon modules (seven circuits per module) tiled together, was successfully used for X‐ray diffraction experiments. A first result recently obtained with a new 2 cm × 3 cm CdTe imager is also presented.     

X射线探测器的脉冲标定技术

利用强流电子束技术产生通量密度为10¹⁸—10¹⁹X-ray photon/sr·s的脉冲CuKX射线源,标定PIN型硅二极管半导体探测器对X光子的脉冲灵敏度。用绝对X射线监测器——P10气体脉冲电离室作为脉冲X射线通量密度的标准。脉冲电荷自动测量仪由微处理机进行程序控制,并予以实时校准。该电离室测量通量密度的精度为±5％,适用的能通量率范围可达4×10^-9—2×10²W/cm²,适用的光子能量范围为1.5—10keV,标定探测器的精度为±7.0％,并发现PIN型硅二极管的脉冲灵敏度比稳态X射线束标定的灵敏度高30％左右。 关键词：