用Pendell?sung条纹研究硅单晶中微缺陷

以Ｘ射线衍射统计动力学为基础，讨论了一种用Ｘ射线截面形貌图测定静态Ｄｅｂｙｅ－Ｗａｌｌｅｒ因子的方法．通过仔细分析截面形貌图中Ｐｅｎｄｅｌｌ?ｓｕｎｇ干涉条纹振荡周期和强度的变化，得到了经热处理后的ＣＺ硅和ＭＣＺ硅单晶样品的静态Ｄｅｂｙｅ－Ｗａｌｌｅｒ因子，并求得样品中氧沉淀的浓度和平均尺寸．这种定量化的研究方法为揭示晶体中微缺陷的性质及形成机理提供了新途径． 关键词：     

CCD X射线探测器及其在同步辐射中的应用

ＣＣＤ陈列Ｘ射线探测器人有大的动态范围，灵活的数据读出和存贮方式，好的时间分辨率等特点，在Ｘ射线成像领域，尤其在高亮度同步辐射实验技术中显示出广阔的应用前景。文章主要介绍电荷耦合器件的工作原理，ＣＣＤ Ｘ射线探测器的发展动态，性能及其应用。     

Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射分析

本文报导了用计算机控制的衍射仪（ＣｕＫα辐射）测量的金属有机化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）方法生长的Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的Ｘ射线衍射曲线，观察到了超晶格结构的多级卫星峰，且卫星峰的强度随角度呈周期性变化．对这种卫星峰形成包络的衍射曲线，用Ｘ射线运动学衍射理论进行了分析和讨论，这种讨论有助于理解Ｘ射线衍射曲线中卫星峰的形成．同时用光致发光和包络峰宽度的方法估算了样品的结构参数．     

X射线形貌样品厚度的无损测量方法

本文介绍了几种Ｘ射线形貌样品厚度的无损测量方法的原理、技术和应用，可供Ｘ射线衍射形貌工作者根据样品的特殊情况选择使用，或进行多途径的综合测量和核对．     

过量La掺杂的Bi—2201单晶的超导电性

在极度Ｌａ掺杂的Ｂｉ２Ｓｒ２－ｘＬａｘＣｕＯ６＋ｙ单晶中发现Ｔｃ高达３６Ｋ的超导相。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ图和劳埃斑点实验都显示单晶具有很好的质量。ＥＤＸ分析结果和由ＸＲＤ得到的单晶ｃ轴长度均证实单晶处于极度Ｌａ掺杂的区域。一般来说，处于如此高Ｌａ掺杂区域的Ｂｉ－２２０１体系不表现出超导电性。因为我们的样品曾在Ｏ２中６８０℃退火１０小时，而且极度Ｌａ掺杂会导致长程反铁磁有序背景。所以我们将这种高Ｔｃ的     

直流电弧等离子体射流CVD制备多种碳膜

本文报道了在同一直流电弧等离子体射流ＣＶＤ装置上，采用不同的沉积条件高速合成金刚石，类金刚石，高取向热解石墨以及无定形碳等四种碳膜。经Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），拉曼散射谱（Ｒａｍａｎ），扫描电镜（ＳＥＭ）形貌分析以及显微硬度测试表明，该方法制得的金刚石膜和高取向热解石墨膜具有很高的纯度和良好的晶性，类金刚石具有独特的形貌和Ｒａｍａｎ散射特征以及可与金刚石膜比拟的硬度。     

透射光栅测量的解谱方法

对透射光栅谱仪配Ｘ射线ＣＣＤ的软Ｘ射线谱测量系统ＴＧ－ＸＣＣＤ进行了简要描述,提出了正交函数展开法用于透射光栅谱仪配Ｘ射线ＣＣＤ测量的谱回推。将正交展开法用于激光打击金盘靶的软Ｘ射线谱回推,并与迭代法的解谱结果进行了比较。结果基本一致,不对此测量系统进行了误差分析。     

低能质子引起的金LX射线相对产生截面

对于能量为０．５－１ＭｅＶ的入射质子，在计算中采用ＡｕＬ１次壳层荧光产额的实验值代替相应的Ｄｉｒａｃ－Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｓｌａｔｅｒ值时，使用ＲＰＷＢＡ－ＢＣ（经结合能和库仑歪曲修正的相对论平面波玻恩近似）电离截面计算得到的金原子ＬＸ射线相对产生截面与测量值相符。以前报道的对ＲＰＷＢＡ－ＢＣ截面的各种修正都是不需要的     

衬底温度对CaS：TbF3薄膜电致发光亮度的影响

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜地不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ：ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究，通过对薄膜的透射率和慢反射率的测量研究了薄 致密性，Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ：ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相，随着衬底温度的提高，ＣａＳ：ＴｂＦ３薄厝的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增另，从而增中了电致发光亮度。     

类硼离子N^2＋的电子碰撞电离—单通道截面的共振增加

使用Ｒ－矩阵方法，在库仑－玻恩非交换近似下（ＤＣＢＮＸ）采用三态密耦图象，计算了类硼离子Ｎ２＋的电子碰撞电离截面，并给出了总的能量微分截面及分波能量微分截面。计算结果揭示了明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振，并指出共振对截面的贡献大于直接电离过程对截面的贡献，这与Ｃｈｉｄｉｃｈｉｍｏ的结论一致。     

XPS研究聚苯胺的竞争掺杂行为

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法对不同反应体系下化学合成的聚苯胺（ＰＡＮ）的结构和掺杂状况进行了研究。发现盐酸（ＨＣｌ）掺杂的聚苯胺在样品后处理过程中易发生脱掺杂行为;在十二烷基苯磺酸钠（ＳＤＢＳ）和盐酸共存体系下合成聚苯胺时,对阴离子ＤＢＳ＾－和Ｃｌ＾－发生竞争掺杂行为。结果表明ＤＢＳ＾－与带正电荷聚苯胺链结合,起到了掺杂和诱导聚苯胺可溶性的作用,它的Ｎ１ｓ和Ｓ２ｐ谱图与单独采用十二烷基苯磺酸     

一种可用于测量薄膜材料的实验室EXAFS方法

本文介绍了利用从薄膜衬底反射的Ｘ射线，在常规实验室条件下实现了对薄膜材料的ＥＸＡＦＳ测量．我们用该方法在 Ｄ／ｍａｘ－ｒＢ１２ｋＷ转靶Ｘ射线衍射仪上得到的纯 Ｃｕ薄膜的 ＥＸＡＦＳ测量结果和常规透射法的测量结果一致．这表明该方法是可靠的．     

C60的发现,制备,结构,性质及其潜在应用前景

Ｃ６０是碳的一种新的同素异型结构．本文综述了Ｃ６０的发现与制备方法，Ｃ６０形成的机制与其绪构特征，以及Ｃ６０的性质与其潜在的广阔应用前景．重点介绍用红外（ＩＲ）谱，１３Ｃ核磁共振（ＮＭＲ）谱和Ｘ射线衍射（ＸＤ）谱研究Ｃ６０结构的结果，及掺杂Ｃ６０固体的高温超导电性及其结构的最新研究进展．     

衬底温度对CaS∶TbF_3薄膜电致发光亮度的影响

利用Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究．通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性．Ｘ射线衍射表明衬底温度在２２０到５８０℃范围之间，电子束蒸发的ＣａＳ∶ＴｂＦ３电致发光薄膜为多晶立方晶相．随着衬底温度的提高，ＣａＳ∶ＴｂＦ３薄膜的表面形貌发生显著的变化，薄膜的致密性增加，从而增加了电致发光亮度．     

不缀饰直拉硅单晶原生微缺陷X射线形貌观察

一、前 言 无位错硅单晶中的微缺陷严重地影响着大规模集成电路的性能,已引起许多学者的关注和兴趣[1-3],由于微缺陷的应力场很小,目前对直拉硅单晶中微缺陷的观察,主要采用择尤化学腐蚀法、缀饰X射线形貌术、EBIC模式扫描电子显微术、透射电子显微术等.但上述方法的共同缺点是要对样品进行处理.近年来,一些学者采用特殊的X射线双晶形貌方法,对硅单晶原生微缺陷进行观察[4,5],但其设备复杂,实验周期长.我们首次用X射线投影和截面形貌术对不经缀饰的硅单晶原生微缺陷进行了观察,并获得了相应的微缺陷图. 二、实 验 实验用的样品是沿 [100]…     

金刚石镶嵌非晶碳膜表面形貌对场致电子发射的影响

用微波等离子体化学气相沉积设备，在经过不同研磨预处理的金属钼衬底上沉积出了表面形貌有较大差异的金刚石镶嵌非晶碳膜，分别用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、金相显微镜和Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）以及Ｒａｍａｎ光谱对样品进行了分析测试．研究了各样品的场致电子发射特性，结果发现薄膜表面由大量镶嵌有金刚石小晶粒的非晶碳球组成，在我们的实验范围内，薄膜表面非晶碳球尺寸越小，场致电子发射效果越好     

原子镁的电子碰撞电离

使用Ｒ－矩阵方法，在扭曲库仑－玻恩非交换近似下（ＤＣＢＮＸ）采用二态密耦图象，计算了原子镁从电离阈值附近到１００ｅＶ范围的电子碰撞电离截面。从能量微分截面可看到明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振。     

熔融法制备Ba_（1－x）K_xBiO_3（BKBO）氧化物超导体

本文利用熔融法制备了ＢＫＢＯ超导体，Ｘ射线荧光分析表明，熔融过程中Ｋ，Ｂｉ有所丢失，通过在配料中增加Ｋ，Ｂｉ的含量，得到超导转变温度Ｔｃ～２５Ｋ的超导体．Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析表明，我们制备的样品呈很好的立方晶格结构，晶格常数α＝０．４２９ｎｍ．     

岩石中稀土元素的分离富集及荧光X－射线光谱法测定

文中用合成的偶氮氯磷－ｍＡ螯合形成纤维（以下称ＣＰＡ－ｍＡ纤维）对地质样品中的稀土元素进行分离富集，并制成薄试样进行荧光Ｘ－射线光谱法测定［１，２］。ＣＰＡ－ｍＡ纤维合成简单，交换速度快，在抗坏血酸和混合掩蔽剂（ＥＤＴＡ＋ＣＹＤＴ＋ＥＧＴＡ）存在下使痕量稀土元素及基体分离并得以富集。分析结果表明该方法的ＲＳＤ小于１５．６８％，标准加入回收率在８４．０～１０７．５％之间，能较好地满足地质工作的需要。     

水热法制备表面修饰的钛酸锶纳米微粉

以工业原料和常用试剂ＴｉＣｌ４、Ｓｒ（）ＮＯ３）２和ＫＯＨ为基础原料，通过添加表面活性剂十二烷基苯磺酸（ＤＢＳ），并采用制备出表面包裹有ＤＢＳ的钛酸锶纳米微粉姘应用红外光谱，Ｘ射线衍射谱，透射电子显微镜，热分析等一系列手段对其微结构进行了表征。结果表明：样品为表面包裹ＤＢＳ的钛酸锶纳同粉，其形态较为规则，粒度分布较窄，单分散性较好，粒子的平均粒径为１２０ｍｍ，包裹膜的平均厚度为６ｎｍ左右，根据Ｘ光