衬底温度对CaS:TbF3薄膜电致发光亮度的影响 |
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引用本文: | 孙甲明,钟国柱.衬底温度对CaS:TbF3薄膜电致发光亮度的影响[J].发光学报,1998,19(1):36-40. |
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作者姓名: | 孙甲明 钟国柱 |
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摘 要: | 利用X射线衍射和扫描电子显微镜地不同衬底温度下电子束蒸发的CaS:TbF3电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究,通过对薄膜的透射率和慢反射率的测量研究了薄 致密性,X射线衍射表明衬底温度在220到580℃范围之间,电子束蒸发的CaS:TbF3电致发光薄膜为多晶立方晶相,随着衬底温度的提高,CaS:TbF3薄厝的表面形貌发生显著的变化,薄膜的致密性增另,从而增中了电致发光亮度。
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关 键 词: | 硫化钙 电致发光 衬底温度 表面形貌 亮度 薄膜 |
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