原子镁的电子碰撞电离

使用Ｒ－矩阵方法，在扭曲库仑－玻恩非交换近似下（ＤＣＢＮＸ）采用二态密耦图象，计算了原子镁从电离阈值附近到１００ｅＶ范围的电子碰撞电离截面。从能量微分截面可看到明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振。     

原子Na和离子Mg^1＋的电子碰撞电离

用Ｒ－矩阵方法，在三态密耦近似下计算了原子Ｎａ和离子Ｎｇ１＋的电子碰撞电离截面，并给出了不同过程的能量损失微分截面ｄＱ／ｄＥ，从结果我们看到明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振，并且当能量较低时总截面结果与实验符合得较好     

中高能电子和N_2（~1∑_g~＋）、CO（~1∑~＋）弹性散射全截面的计算

此文采用由原子轨道线性组合构成的自洽场分子轨道（ＳＣＦ－ＬＣＡＯ－ＭＯ），用一级玻恩近似（ＦＢＡ）计算了能量为１００－５０００ｅＶ的电子与弹性散射的微分截面和全截面。由于采用了Ｇａｕｓｓ函数的线性组合拟合Ｓｌａｔｅｒ函数的方法（ＳＴＯ－ＫＧ），得到了弹性散射微分截面的解析表达式，使计算大大简化。计算得到的电子和Ｎ２，ＣＯ散射的总截面和实验结果进行了比较，当入射电子的能量大于１ｋｅＶ时，理论值和实验值之间符合得很好。     

中高能电子和N2（^1Σ^＋g）,CO（^1Σ^＋）弹性散射全截面的计算

此文采用由原子轨道线性组合构成的自洽场分子轨道，用一级玻恩近似计算了能量为１００－５０００ｅＶ的电子与Ｎ２（＾１Σ＾＋ｇ、ＣＯ（＾１Σ＾＋）弹性散射的微分截面和全截面。由于采用Ｇａｕｓｓ函数的线性组合拟合Ｓｌａｔｅｒ函数的方法，得到了弹性散射微分截面的解析表达式，使计算大大简化，计算得到的电子和Ｎ２，ＣＯ散射的总截面和实验结果进行了比较，当入射电子的能量大于１ｋｅＶ时，理论值和实验值之间符合得很好     

类铍离子的电子碰撞电离

用Ｒ－矩阵方法计算了类铍离子Ｎ~（３＋）及Ｏ~（４＋）的电子碰撞电离截面，并讨论了组态１ｓ~２２Ｐｎｌ引起的共振以及一个２ｓ电子被激发到２ｐ轨道同时另一个被电离的截面对总截面的影响，计算结果表明与Ｊａｋｕｂｏｗｉｃｚ的密耦近似结果相一致。     

电子氢原子碰撞电离能量微分截面和总截面的理论计算

利用扭曲波玻恩交换（ＤＷＢＥ）近似方法对电子－氢原子碰撞电离截面进行了计算，计算所得总截面和能量微分截面均与最新的实验结果进行了比较，比较结果显示本计算与实验有较好的符合。还给出了能量微分截面的高斯拟合公式，文中对实验与理论计算存在的一些差距进行了讨论。 关键词：     

C3+与Ne碰撞过程纯电离绝对截面的测量和研究

介绍了离子-原子碰撞过程中双微分绝对截面的计算方法.利用符合技术测量了中能区C³⁺+Ne碰撞系统的纯电离微分绝对截面. 将实验结果与多体经典蒙特卡罗方法计算结果进行对比后发现，纯电离截面随入射能量变化的趋势基本一致，对理论与实验产生差异的原因作了分析. 对多重电离的电离机制分析表明：高价态的反冲离子主要来自于俄歇贡献；随着入射能量的升高，电子-电子间的库仑作用也逐渐显现. 此实验方法可以用于相同实验装置上的各种反应出射道的绝对截面测量，入射离子种类及入射离子能量范围将得到拓展. 关键词： 离子-原子碰撞 绝对截面 纯电离     

用共振激发延迟电离方法测定原子激发态的光电离截面

用两束脉冲激光,一束使原子共振激发,另一束使激发态原子电离,当电离光脉冲能量约达1J/cm~2时,可使电离饱和.测量被电离原子数的相对大小与电离光脉冲能量之间的函数关系,可以方便地得出原子激发态的光电离截面.延迟电离光至激发光脉冲结束后到达作用区,可以修正激发光对电离的贡献,并避免电离光引起的Stark位移对共振激发的影响.应用共振激发延迟电离方法测定了Cs原子7~2P_(3/2)态的光(λ=5320(?))电离截面,测量值σ_I=6.5×10~(-18)cm~2与Manson的计算值非常接近.     

C3+与Ne碰撞过程纯电离绝对截面的测量和研究

介绍了离子-原子碰撞过程中双微分绝对截面的计算方法.利用符合技术测量了中能区C3++Ne碰撞系统的纯电离微分绝对截面.将实验结果与多体经典蒙特卡罗方法计算结果进行对比后发现,纯电离截面随入射能量变化的趋势基本一致,对理论与实验产生差异的原因作了分析.对多重电离的电离机制分析表明:高价态的反冲离子主要来自于俄歇贡献;随着入射能量的升高,电子-电子间的库仑作用也逐渐显现.此实验方法可以用于相同实验装置上的各种反应出射道的绝对截面测量,入射离子种类及入射离子能量范围将得到拓展.     

Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si2+离子与氢原子碰撞电离反应过程.计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随入射离子能量变化的平均能量.根据计算结果,讨论展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机理,阐明了它们对碰撞总截面、微分截面、电离电子能量的影响.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布研究了不同入射离子能量"鞍点"电离机理的可能性.     

He,Ne,Ar与N2分子碰撞转动激发截面理论计算

利用ＩｎｆｉｎｉｔｅＯｒｄｅｒＳｕｄｄｅｎＡｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎ（ＩＯＳ）［１］计算了Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ与Ｎ２分子碰撞的总微分散射截面、弹性微分散射截面和积分散射截面。当入射能量Ｅ＝０．０２７３ｅＶ时，计算Ｈｅ－Ｎ２的碰撞总微分散射截面结果与ＣｌｏｓｅＣｏｕｐｌｉｎｇ（ＣＣ）［２］计算结果符合很好，说明ＩＯＳ对所研究的Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ－Ｎ２碰撞体系是一种简捷可用的方法。     

He2+离子与H原子的重粒子碰撞电离过程

利用初态程函近似的连续扭曲波方法研究了He²⁺离子与Ｈ原子的碰撞电离过程. 计 算得到了入射离子能量从30keV/u到2000keV/u的碰撞电离总截面、随电离电子能量和角度变 化的一阶和二阶微分散射截面，及随入射离子能量变化的电离电子平均能量.计算的总电离 截面与其他理论和实验结果进行了比较，在入射离子能量大于100keV／u的能区，计算结果 与实验符合得很好；在较低的能区，各种理论结果之间有较大差别，计算结果比实验约小50 ％.利用计算的二阶微分散射截面讨论了软碰撞、电子俘获到入射离子连续态、两体相遇碰 撞等碰撞电离机理. 关键词： 重粒子碰撞电离 初态程函近似 总截面 一阶和二阶微分散射截面     

F原子光电离截面的理论计算

对F原子的光电离截面,人们已经做了大量实验研究,并观察到了大量的自电离共振结构.而与实验相比,理论计算仍存在一定的差异.本文通过对靶态的能量进行修正,利用R矩阵方法计算了F原子基态在3P-1D电离阈值能量范围内的分波光电离截面、总光电离截面以及自电离共振2P4(1D)ns2D,2P4(1D)md2P和2P4(1D)md2D系列的共振位置,并与最新的多组态Hartree-Fock理论计算及实验结果进行了比较,我们的结果与实验符合得更好.     

等离子体屏蔽对He2+与H原子碰撞电离微分截面的影响

应用经典径迹Monte Carlo（CTMC）方法研究了He²⁺与H原子在等离子体环境下的碰撞电离过程,计算了在5—400 keV/u的能区随等离子体屏蔽作用变化的碰撞电离总截面和一阶微分截面.等离子体中带电粒子之间的相互作用采用Debye-Hückel模型来描述.由于等离子体屏蔽效应的存在,靶中束缚态电子能级及其经典微正则分布以及入射离子与靶电子的相互作用都发生了变化,而这些变化会直接影响碰撞电离过程.研究发现,碰撞电离总截面随等离子屏蔽的增加而增大,特别是在10 keV/u以下的低能区电离截面有量级的增加.对随能量变化的一阶微分截面,在低能碰撞过程中,屏蔽作用增加,微分截面呈量级增加,高能碰撞微分截面呈倍数增加.同时,屏蔽作用导致电离电子向高能方向移动,随着碰撞能量的增加两体碰撞机制的贡献越来越大,并在较高的出射电子能量出现了一个新的峰.对无屏蔽的自由原子碰撞过程,CTMC方法计算出的电离总截面在碰撞能量大于70 keV/u的较高能区在实验误差内与实验测量结果符合很好,而在较低的能区比实验值小30%—50%. 关键词： 重粒子碰撞电离 等离子体屏蔽效应 经典径迹Monte Carlo方法 Debye-Hückel模型     

Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si²⁺离子与氢原子碰撞电离反应过程.计算了随 入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随 入射离子能量变化的平均能量.根据计算结果,讨论展示了软碰撞、电子转移到入射离子连 续态、两体相遇碰撞等电离机理,阐明了它们对碰撞总截面、微分截面、电离电子能量的影 响.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布研究了不同入射离子能量 “鞍点”电离机理的可能性. 关键词： 重粒子碰撞过程 经典径迹蒙特卡罗方法 电离机理     

CII的光电离截面的理论计算

 使用R-矩阵方法,对CII基态的光电离截面进行了六态和十态的密耦计算,得到了入射光子能量从1.8Ry到4.3Ry的总光电离截面,长度与速度表示符合很好。计算得到的截面包含了复杂的共振结构。与由英法等国联合开展的不透明度工程的理论计算结果进行了比较,两者在电离阈附近符合得比较好。计算表明,收敛于较高电离阈的共振系列对收敛于较低电离阈的共振系列有较大的干扰。由分波和电离后处于特定靶态的光电离共振峰的位置可确定CII单双高激发态能级的位置。     

在非相对论能量下介质中的核子－核子碰撞截面

在非相对论能量下，采用Ｓｋｙｒｍｅ有效相互作用，计算了在核介质中的核子－核子（Ｎ－Ｎ）碰撞截面，研究了它与能量及密度的依赖关系，以及不同Ｓｋｙｒｍｅ参数对所计算截面的影响．发现在低密度时，介质中的核子－核子碰撞截面大于经Ｐａｕｌｉ修正后的自由核子一核子碰撞截面．而当高密度时，总会在高于某一能量以后，介质中的Ｎ－Ｎ碰撞截面大于经Ｐａｕｌｉ修正后的自由Ｎ－Ｎ碰撞截面．     

电子离子碰撞过程中的共振激发双自电离

利用相对论修正扭曲波玻恩近似, 计算了类钠离子Ti11+ 和Cr13+ 的电子碰撞直接电离, 激发自电离和共振激发双自电离截面. 理论数据与实验结果在整个能区内很好符合. 共振激发双自电离截面对总截面的贡献约为20%-30%, 对速率系数的影响较大, 不可忽略.     

电子碰撞电离离子三重微分截面的计算

解决了包含四个合流超几何函数的数值积分问题,从而给出了计算电子碰撞电离离子三重微分截面的通用方法,适合于中、高入射能量下的各种几何条件。计算了对称和不对称几何条件下电子碰撞电离He⁺离子的三重微分截面,并与其它理论结果作了比较。     

低能质子引起的金LX射线相对产生截面

对于能量为０．５－１ＭｅＶ的入射质子，在计算中采用ＡｕＬ１次壳层荧光产额的实验值代替相应的Ｄｉｒａｃ－Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｓｌａｔｅｒ值时，使用ＲＰＷＢＡ－ＢＣ（经结合能和库仑歪曲修正的相对论平面波玻恩近似）电离截面计算得到的金原子ＬＸ射线相对产生截面与测量值相符。以前报道的对ＲＰＷＢＡ－ＢＣ截面的各种修正都是不需要的