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本文给出了Oh点群表象中的d2,8(C3v*)完全强场矩阵,并借助于这种矩阵的特征值和特征矢量,建立了CsMgX3:Ni2+(X=Cl,B,I)类晶体的全组态混合EPR理论。应用这一理论,对CsMgCl3晶体中的Ni2+杂质离子的光学吸收谱、基态零场分裂参量D、顺磁g因数、基态Zeeman分裂以及EPR条件(B,hv0)进行了统一的计算。结果与观测非常一致,从而首次对CsMgCl3:Ni2+的光、磁性质作出了统一的理论解释。 相似文献
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讨论在C*-凸理论下C*-代数A的广义态空间SCn(A)中的Krein-Milman型问题.证明了SCn(A)的任意一个BW-紧的C*-凸子集K都具有一个C*-端点,而且K是其C*-端点的C*-凸包. 相似文献
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设{Y(t),t≥0}={Xk(t),t≥0}∞k=1是独立的Gauss过程序列,σ2k(h)=E(Xk(t+h)-Xk(t))2.记σ(p,h)=(sum from k=1 to ∞ σpk(h))1/p,P≥1.考察σ(P,h)有界时Y(·)的大增量.作为一个例子,给出了无穷维分数Ornstein-Uhlenbeck过程在lp空间中的大增量.所建立的方法适用于某些其它类型的平稳增量过程. 相似文献
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通过YBa2Cu3x)SnxO7+y体系样品的结构参数、XPS和Mssbauer谱、电阻-温度关系、氧含量以及热分解温度的综合测量,发现:Sn在该体系中替代了Cu的位置并保持4价状态;在x<0.4范围内Sn替代Cu对晶体结构没有影响,引起Tc的变化也极小;Sn替代Cu使体系的氧含量增加,并明显地影响了Cu的价态,使Cu呈现+3价,实验在结构、氧缺位及电子态方面为认识超导电性的起源提供了一些重要信息,在综合分析实验结果的基础上,本文提出:金属原子与氧原子间的耦合程度决定了体系的超导电性。 相似文献
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Hp(Rn×R+)(1<p<+∞)函数得渐近行为于70年代已获得整体上的描述,今利用扩张得空间EHp(Rn×R+)的不同层次间的内在关联,给出每个层次Hp函数的具体的渐近行为,以及EHp函数在整体上得渐近行为. 相似文献
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能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa2Cu2Ox高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu+发光中心,是跃迁过程1A1g(3d10)-1Eg和~3Eg(3d94s1)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu2+发光中心,是由于自由离子光谱项2D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu3+发光中心,其481cm-1和551cm-1声子对说明了312cm-1处声子对与电子系统是强耦合。 相似文献
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本文研究了Y替代Ca对Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO2层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d9态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO2层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d9L态)对应于超导体. 相似文献
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研究了用部分熔化法制备T1-1223超导体的工艺,样品的名义组成为(Tl0.5Pb0.5)(Sr0.8Ba0.2)2Ca2Cu3Oy,调整样品中Ba的含量,出现了织构的迹象,经烧结一部分熔化—退火的样品,其磁化电流在77K和1T下大于2×104A/cm2,用这样的样品作原料所制备的Tl-1223复Ag带短样,在77K和0T下,Jc达2.1×104A/cm2,超导带横断面的SEM显微观察表明,在1223相中夹杂了BaPbO3和Sr-Ca-Cu-O相. 相似文献
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本文定义了一个由范畴 RMRl到范畴A Grn0 的函子G,并证明了函子G保持分量正合及全正合,关于范畴AGGrn0 证明了定理: 相似文献
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设Γ 是一些单t- 一致超图的集合. 填充设计Pλ(t, Γ, v) (或覆盖设计Cλ(t, Γ, v)) 是一个二元有序组(X, B), 其中X 是完全t- 一致超图λKv(t) 的顶点集, B 是λKv(t) 的一些子超图的集合, 要求每个子超图都同构于Γ 中的某一个超图, 每个子超图称为是一个区组, 并且满足λKv(t) 中的每一条边至多(或至少) 含在B 的λ 个区组中. 给定参数t, v, λ, Γ, 填充设计Pλ(t, Γ, v) 的最大可能的区组数称为填充数, 记为dλ(t, Γ, v); 覆盖设计Cλ(t, Γ, v) 的最小可能的区组数称为覆盖数, 记为Cλ(t, Γ, v). 本文将确定Γ 中仅含超图K4(3) + e 时的dλ(t, Γ, v) 和Cλ(t, Γ, v) 的精确值. 相似文献