d8(C3v*)EPR理论与CsMgCl3:Ni2+的光、磁性质研究

本文给出了O_h点群表象中的d^2,8(C_3v^*)完全强场矩阵,并借助于这种矩阵的特征值和特征矢量,建立了CsMgX₃:Ni²⁺(X=Cl,B,I)类晶体的全组态混合EPR理论。应用这一理论,对CsMgCl₃晶体中的Ni²⁺杂质离子的光学吸收谱、基态零场分裂参量D、顺磁g因数、基态Zeeman分裂以及EPR条件(B,hv₀)进行了统一的计算。结果与观测非常一致,从而首次对CsMgCl₃:Ni²⁺的光、磁性质作出了统一的理论解释。     

ZnS:Cr2+晶体中Cr2+杂质离子的EPR参量及其占位

本文基于 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子处于八面体有效晶场(D_2d畸变)理论模型,通过考虑对基态有较大影响的所有低自旋态的贡献后,建立了一组维数较大曲 d⁴(D_2d^*)不可约表示强场能量矩阵.利用矩阵的特征值、特征矢量以及相应的EPR 参量理论公式,对 ZnS:Cr²⁺晶体的精细光谱、基态 ZFS,EPR 参量(g,g,D,E,F,α)、基态 Zeeman 能级以及 EPR 条件(B,v)进行了系统的理论分析与计算.结果与实验值符合很好.从而确立了 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子的环境晶场系 D_2d畸变八面体结构.ZnS:Cr²⁺晶体的光、磁性质与 Cr²⁺杂质离子的八面体晶场结构特征密切相关.     

范畴 RMRl上的一个函子及范畴A Grn0

本文定义了一个由范畴 _RM_R^l到范畴Ａ G_rn⁰ 的函子Ｇ，并证明了函子Ｇ保持分量正合及全正合，关于范畴ＡＧG_rn⁰ 证明了定理：     

SL(2,R)上一类极大算子的(H∞,s1,L1)型

本文我们引入了函数类B_δ(G//K)={φ∈L¹(G//K)||φ(t)|≤Δ^-1(t)(1+t)^1-δ,δ>0),对f∈L^p(G//K),1≤p≤∞,和极大算子(?),证明了这类算子是(H_∞,s¹,L¹)型的.     

具有常余维数2k+4不动点集的(Z2)k作用

本文通过构造上协边环MO_*的一组生成元决定了J_*,k^2k+4.     

含氢硅单晶2210cm-1IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺

本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm^-1IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_2d对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具有两种状态:低于200K的T_d稳态和D_2d亚稳态及高于200K的D_2d稳态和T_d亚稳态。对称性破缺机制所给出的结果不仅在定性上,而且在定量上都能与实验相符,这证明V+4H是2210cm^-1IR峰对应的缺陷中心具有较高的可信度。     

基础R0-代数的性质及在L*系统中的应用

研究了王国俊教授建立的模糊命题演算的形式演绎系统L^*和与之在语义上相关的R₀-代数,提出了基础R₀-代数的观点并讨论了其中的一些性质,在将L^*系统中的推演证明转化为相应的R₀-代数中的代数运算方面作了一些尝试,作为它的一个应用,证明了L^*系统中的模糊演绎定理。     

(?)-方程的Cｐ，ｑｋ＋α-形式解及其上确界范数估计

文中研究了(?)－方程在拟凸域上的积分解算子的性质，得到了(?)－方程在具Ｃ^ｋ（ｋ≥０）类边界的拟凸开集上的Ｃ_ｐ，ｑ^ｋ＋α－形式的积分算子解及其解的上确界范数估计，它包含了文［１］仅对Ｃ^∞的情形     

氦原子2s+1P0较高双激态的电子-电子关联定性特征

本文研究了氦^2s+1P⁰双激态的第三序列,显示了电子云分布的各向异性,显示了分波构成的异同,并借助于形状密度直观地显示了角关联,确认了两种径-径关联机制,即“推出”和“跃迁”机制,估价了诸态对r₁和r₂(径向部分)交换的近似对称性。     

Hp(Rn×R+)(1<p<+∞)函数得渐近行为*

H^p(Rⁿ×R₊)(1<p<+∞)函数得渐近行为于70年代已获得整体上的描述,今利用扩张得空间EH^p(Rⁿ×R₊)的不同层次间的内在关联,给出每个层次H^p函数的具体的渐近行为,以及EH^p函数在整体上得渐近行为.     

广义态空间中Krein-Milman定理的算子类似

讨论在C^*-凸理论下C^*-代数A的广义态空间S_Cⁿ(A)中的Krein-Milman型问题.证明了S_Cⁿ(A)的任意一个BW-紧的C^*-凸子集K都具有一个C^*-端点,而且K是其C^*-端点的C^*-凸包.     

l p值Gauss过程的增量有多大

设{Y(t),t≥0}={X_k(t),t≥0}^∞_k=1是独立的Gauss过程序列,σ²_k(h)=E(X_k(t+h)-X_k(t))².记σ(p,h)=(sum from k=1 to ∞ σ^p_k(h))^1/p,P≥1.考察σ(P,h)有界时Y(·)的大增量.作为一个例子,给出了无穷维分数Ornstein-Uhlenbeck过程在l^p空间中的大增量.所建立的方法适用于某些其它类型的平稳增量过程.     

关于Pn3的优美性

设G(V,E)是一个简单图,对自然数k,当V(G^k)=V(G,E(G^k)=E(G)∪{uv|d(u,v)=k},则称图G^k为k-次方图,本文证明了图P_n³的优美性。     

Fe3O4的Mssbauer Faraday效应

本文利用Mossbauer极化谱仪观察到非正分的Fe₃O₄的 Mossbauer Faraday效应.根据实验结果,进一步证实了Fe₃O₄八面位中Fe³⁺和Fe²⁺离子之间的电子跳变是一种局域现象,并计算了两种晶位的无反冲因数f_A和f_B.     

(α,β)-γ开集与(α,β)-γ-Ti空间

本文首先给出(α,β)-γ开集定义,获得了(α,β)-γ开集性质;然后引入了(α,β)-γ-T_i空间和(α,β)-γ-T_i^*空间概念(i=0,1/2,1,2,5/2),并得到它们更广泛的拓扑性质.     

一种拟合151Eu穆斯堡尔谱的方法及其对铕化合物的应用

本文提出了一种拟合¹⁵¹Eu的穆斯堡尔谱的计算方法。用这种方法拟合¹⁵¹Eu(I>3/2)的实验穆斯堡尔谱时,可以同时对所有可能跃迁线的位置和相对强度进行拟合。我们用这种方法对EuPO₄晶体和EuPsO₁₄晶体的穆斯堡尔谱进行了拟合,得到了相应的穆斯堡尔参数。对方法及拟合的结果也进行了讨论。     

D2-C76旋光度的理论研究

应用电磁场与分子相互作用理论,给出了分子旋光度的计算公式.对D₂-C₇₆的旋光度进行了估算,得到它的旋光度约为1°/cm.     

Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y的晶体结构、电子结构和超导电性

本文研究了Y替代Ca对Bi₂Sr₂Ca_1-xY_xCu₂O_8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO₂层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d⁹态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO₂层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d⁹L态)对应于超导体.     

新概念下的Sn掺杂(La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体的MÖssbauer谱研究 *

对新概念指导下而设计的 (La_1-xSr_x)2Cu_1-xSn_xO₄超导体进行了¹¹⁹Sn M_Össbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,M_Össbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn⁴⁺价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn^{2 +}离子 .Sn⁴⁺离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La₂ CuO₄母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 .     

YBa2Cu3Ox超导体的光谱研究

能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa₂Cu₂O_x高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu⁺发光中心,是跃迁过程¹A_1g(3d¹⁰)-¹E_g和~3E_g(3d⁹4s¹)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu²⁺发光中心,是由于自由离子光谱项²D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu³⁺发光中心,其481cm^-1和551cm^-1声子对说明了312cm^-1处声子对与电子系统是强耦合。