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采用直流磁控溅射法在NdGaO3 ( 110 )衬底上制备了La2/3Ca1/3MnO3-δ外延单晶薄膜 .在 0~8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度TC 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H2 ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。 相似文献
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在不同磁场H下 ,在 300~ 77K范围内测量了外延La2 /3 Ca1/3 MnO3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/Ms)2 + βexp(-E0/kBT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E0为磁极化子热激活能 ,约等于1 160kB,Ms 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论. 相似文献
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本文研究了Y替代Ca对Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO2层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d9态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO2层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d9L态)对应于超导体. 相似文献
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本文报道了具有D2h格位对称性的过渡金属络离子(CoF6)4-的自旋非限制MS-Xα计算结果。给出了单电子本征值和本征函数。讨论了激光晶体MgF2:Co2+的电子结构。用Slater过渡态方法计算了晶场分裂参数10Dq及电荷转移跃迁能量,结果与光谱及XPS实验值符合得很好,并且优于组态相互作用从头计算结果。由Case-Karplus电荷分配法得到了Co2+的自旋-轨道耦合常数λ。最后对两种调谐激光晶体MgF2:Co2+和MgF2:Ni2+的电子结构进行了比较。 相似文献
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Hp(Rn×R+)(1<p<+∞)函数得渐近行为于70年代已获得整体上的描述,今利用扩张得空间EHp(Rn×R+)的不同层次间的内在关联,给出每个层次Hp函数的具体的渐近行为,以及EHp函数在整体上得渐近行为. 相似文献
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本文用X射线粉末衍射和电子衍射的方法,研究了Ce-Fe-B合金中的富B相Ce1+εFe4B4的晶体结构,发现该化合物具有一种罕见的晶体结构——烟囱-梯子型的一维成分无公度结构,是由两套亚结构即Fe-B亚结构和Ce亚结构所组成,两套亚结构都具有四方对称性,其点阵常数α值相同。Ce1+εFe4B4在室温的点阵常数α=0.7068 nm,cFe-B=0.3902 nm,cCe=0.3440 nm。在950℃粉末淬炼后的点阵常数α=0.7065nm,cFe-B=0.3887 nm,cCe=0.3563 nm。Fe-B亚结构的空间群为P42/ncm,Ce亚结构的空间群为I4/mmm。 相似文献
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对新概念指导下而设计的 (La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体进行了119Sn MÖssbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,MÖssbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn4+价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn2 +离子 .Sn4+离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La2 CuO4母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 . 相似文献
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采用机械合金法制备了纳米复合材料Fex(SiO2)1-x系列样品 .用X射线粉末衍射 (XRD)、透射电子显微镜 (TEM )、M ssbauer谱和Faraday磁天平系统地研究了该系列样品不同Fe合量和不同球磨时间的微结构和磁性 .实验表明样品的微结构和磁性与球磨时间和Fe含量密切相关 .当样品的Fe含量少于 2 0wt% ,并球磨了 80h后呈现出非常复杂的微观结构 :α -Fe纳米晶粒和Fe团簇镶嵌在SiO2 基质中 ,形成α -Fe纳米岛状和纳米尺度的类三明治结构 .Fe-SiO2 界面的相互作用和渗透效应、纳米晶的尺寸效应和类三明治的特殊微观结构导致了纳米复合材料Fex(SiO2)1-x的物理性能的变化 相似文献
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能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa2Cu2Ox高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu+发光中心,是跃迁过程1A1g(3d10)-1Eg和~3Eg(3d94s1)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu2+发光中心,是由于自由离子光谱项2D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu3+发光中心,其481cm-1和551cm-1声子对说明了312cm-1处声子对与电子系统是强耦合。 相似文献
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本文对一种X光度条件几率函数——A-T函数进行了观测上的再检验,选用的检验方法包括计算类星体对宇宙X射线背景辐射的贡献百分数U,计算X流量计数并与观测对比,对只测出X流量上限值源α0x,分布预测的合理性等,讨论了所有参量对U可能的影响,并在与X计数对证后,获得α0x更合理分布基础上调整A-T函数的参量,最后获得U的最佳值在7—23之间,以往在处理X射线资料时往往无法采用上限源的X数据,Avni-Tananbaum的D-B方法可以计入其影响,本文用上限源的预测分布作为决定参量的重要依据。 相似文献
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本文报道了Ar和F离子注入对YBa2Cu3O7-x超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa2Cu3O7-x薄膜Tc,Jc和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,Tc和Jc随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×1013Ar/cm2时,样品发生金属一半导体相交。当注入剂量大于1.2×1013Ar/cm2时,样品的体超导性能基本上完全消失了,X射线衍射峰的强度也有所减弱,最终发生了晶态-非晶态相变,室温电阻率增加了好几个数量级。讨论了超导性能变化及金属一半导体相变的物理起因。 相似文献