厚度诱导的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜剩余应力及临界电流变化

本文通过脉冲激光沉积法制备了不同厚度(80nm、320nm、1000nm和2000nm)的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜,对它们的剩余应力和临界电流特性进行了对比研究.通过系列的激光显微Raman光谱和磁化曲线测量分别获得了薄膜剩余应力和磁化临界电流密度(Jc)对薄膜厚度的依赖关系.结果显示超导薄膜内剩余应力越小,Jc越高.对于中等厚度的薄膜样品(320nm和1000nm),其膜内剩余应力较小,同时由其特征的磁通匹配场大小推知在该厚度范围内的样品具有较高的线性缺陷密度,从而显示出较高的Jc值.     

TlBaCaCuO超导体的低场磁性质

TlBaCaCuO超导体的磁化曲线在低场下即有磁滞迴线,表示样品中有磁通容易通过并消耗能量的弱区.初始磁化曲线上有两段直线,认为这是样品整体屏蔽磁场和样品中颗粒排斥磁场引起的.初始磁化曲线在10G 以下的外场开始偏离直线说明弱区阻滞磁通运动的能力非常低,这是颗粒氧化物超导体的特点.由颗粒排斥磁通能力的消失定出块样品的下临界场在78K 时为270G.     

熔融织构YBCO的磁性

测量了熔融织构YBCO样品从1.5K到89K的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在1.5K,7K和10K观察到磁通跳跃,在15—83K的温度区间观察到峰值现象。详细分析了磁化曲线和磁临界电流的各向异性。讨论了晶粒之间连接的性质和主要的钉扎中心。 关键词：     

中子辐照熔融织构YBa_2Cu_3O_y的临界电流

测量了中子辐照熔融织构YBa_2Cu_3Oy样品从1.5 K到85K之间一系列温度下的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在6K观察到磁通跳跃。中子辐照可使临界电流提高一个数量级。分析了临界电流的各向异性,辐照增强与磁场的关系和主要的钉扎中心。讨论了磁通跳跃的物理模型。     

中子辐照熔融织构YBa2Cu3Oy的临界电流

测量了中子辐照熔融织构YBa₂Cu₃O_y样品从1.5K到85K之间一系列温度下的磁化曲线。磁场H平行于c轴时,在6K观察到磁通跳跃。中子辐照可使临界电流提高一个数量级。分析了临界电流的各向异性,辐照增强与磁场的关系和主要的钉扎中心。讨论了磁通跳跃的物理模型。 关键词：     

用外磁场控制电流感应磁化翻转效应中的临界电流方法

应用基于磁动力学方程的宏观唯象模型,研究了弱外磁场下纳米尺度赝自旋阀结构的电流感应磁化翻转效应.在统一考虑铁磁/非磁界面的自旋相关散射以及铁磁层中的自旋积累和弛豫过程后,给出了赝自旋阀结构在弱外磁场下的磁化翻转条件和临界电流.对该效应的数值计算解释了弱外磁场下赝自旋阀结构的电阻-电流回线的偏移,并给出了用外磁场控制电流感应磁化翻转效应中的临界电流方法. 关键词： 电流感应磁化翻转 外磁场 临界电流 赝自旋阀     

Bi系带材性能研究

本文介绍一种能够迅速获得Bi系带材多种性能参数的方法.它采用计算机进行数据采集和控制,在不断改变外力和外场的同时,对样品施加缓慢变化的传输电流,从而连续测出样品在不同应变和外场下的临界电流.该方法可以方便地获得Bi系带材的应力-应变曲线,临界电流-应变曲线,外场-临界电流曲线,不同应变下的伏安特性曲线以及不同外场下的伏安特性曲线等.通过对几种带材性能的研究表明,该方法简单实用,数据可靠,可供广大材料研究者和材料应用研究人员使用.     

粉末套管BPSCCO／Ag复合带载流各向异性特征的研究

本工作采用直流传输电流和直流磁化行为的测量研究了经恰当热－机制处理后的ＢＰＳＣＣＯ／Ａｇ复合带的临界电流特性，表明：由于ＢＰＳＣＣＯ晶粒的强ｃ轴择优取向，传输和磁化临界电流密度呈现大的各向异性，磁场在ｃ轴的分量起有主要作用，因传输和磁人监蚧电流密度相应于各向异性临界电流密度的不同主分量，故它们随角度变化的行为不同，传输电流的Ｉ－Ｖ曲线入磁驰豫Ｍ－ｔ曲线都呈现幂指数关系，即分别为Ｖ∝ＡＩ和Ｍ∝Ｂｔ，     

尺寸对Cu-Nb微观复合材料磁滞特性的影响

本文研究了Cu-Nb多芯复合线微观结构对磁滞特性的影响.样品通过不同塑性应变和热处理获得不同显微结构.结果表明,经冷加工变形和800℃/1.5h退火,尺寸为Φ1.06mm样品的磁化曲线中只在高场下出现了一个峰,这个峰来源于Nb的体钉扎.Φ2.04mm样品在退火后的曲线中出现了三峰结构,低场下的两个峰是由于临界效应使Cu基体中产生了超导电性引起的,而高场下出现的第三个峰也与Nb的体钉扎有关.样品中Nb芯丝直径及芯丝间距等因素影响了复合材料直流磁化曲线的特征.     

电流感应磁化翻转效应的改进的系综模型

运用宏观双通道扩散模型研究了赝自旋阀结构中的自旋相关输运过程,考虑到磁化强度矢量的横向分量的影响,建立了自由层磁化强度矢量的动力学方程,利用自旋流连续和化学势差连续作为边界条件.理论计算求解了电流感应磁化翻转效应中的临界电流,解释了铁磁层和非磁层电导率匹配问题和纵向场对电流感应磁化翻转效应中临界电流的影响. 关键词： 赝自旋阀 电导率匹配 自旋转移扭矩 电流感应磁化翻转效应     

Fe1.01Se0.4Te0.6单晶的超导电性研究

本文采用自助溶剂法生长得到Fe1.01Se0.4Te0.6单晶样品,超导零电阻温度Tczero=11.0 K,部分样品经400℃进行48小时退火之后,超导零电阻温度变为Tczero=7.0K.分析表明退火后样品的Fe含量变大,超导电性被部分抑制.通过磁场下电阻率-温度曲线的实验测量,用WHH(Werthamer-Helfand-Hohenberg)方法估算得到退火前后样品在0K附近的上临界场分别为83.2T和61.3T.上临界场μ0Hc2(T)随温度变化曲线在0T附近向高温方向上翘,说明样品具有"二流体"行为.直流磁化曲线在40K和120K分别出现向下弯曲,40K处的变化可能对应于过量Fe的自旋冻结.应变测量结果显示样品在117K时应变值发生一个突变,变化量约为晶格参数的0.06%,显示样品发生一个结构相变.因此,120K处的磁化下降对应于样品从四方相到正交相的结构转变.     

SQUID法和Campbell法测量超导材料的研究

本文对比研究了超导材料磁测量中的SQUID法和Campbell法; 并用高压PIT法制备的超导材料MgB₂作为测量样品,用两种方法,测量了超导样品的临界电流密度, 分别得到了样品的J_c-B关系曲线; SQUID法测量样品的外磁场可以达到6 T, 此时材料已经处于失超状态,此方法测得的结果是样品各个小区域结果的平均值, SQUID还可以用来进一步标度材料的钉扎力行为,研究材料磁特性. Campbell法测量只能测量到外磁场强度为0.4 T,外磁场的交流部分的频率可以达到800 Hz, 用这种测量方法得到的是整块样品的电流,由于测量计及材料内部微观结构缺陷等影响电流传输因素, 所测结果小于直流磁化法,但更切近材料实际电流,能用来深入研究材料内部结构差别对材料电性能的影响.     

用三角波电流励磁改进交流磁滞回线实验

改进了交流磁滞回线实验的励磁方法。研制了三角波电流交流恒流源驱动励磁线圈励磁,使软磁环形样品被交流磁化双向交替达到饱和,磁化场H的波形仍为三角波。维持三角波电流的周期和幅值不变,可使H变化的波形和变化的速率不变,可在H匀速变化的条件下观测样品的交流磁滞回线;能在磁化场相同的条件下观测不同样品的交流磁滞回线;还可直接观测样品的微分磁导率曲线。     

熔融织构YBa2Cu3O7-y各向异性临界电流密度的磁测量

用测磁滞迴线的方法测量熔融织构YBa₂Cu₃O_7-y超导样品的临界电流密度,计算临界电流密度时考虑了退磁场的影响并采用适合于各向异性有限样品的模型,改进了Gyorgy等人最近提出的方法,在不同取向的磁场中测同一样品的磁化曲线,得到三种不同的临界电流密度。 关键词：     

用三角波电流励磁改进交流磁滞回线实验简

改进行了交流磁滞回线实验的励磁方法。研制了三角波电流交流恒流源驱动励磁线剖励磁．使软磁环形样品被交流磁化双向交替达到饱和,磁化场H的波形仍为三角波。维持三角波电流的周期和幅值不变．可使H变化的波形和变化的速率不变。可在H匀速变化的条件下观测样舳的交流磁滞回线;能在磁化场相同的条件下观测不同样品的交流磁滞回线;还可直接观测样品的微分磁导率曲线。     

MgB2颗粒超导体临界电流的温度特性研究

通过制备MgB2/MgO超导复合材料,获得了典型的MgB2弱连接颗粒超导体,并测量了该样品在不同温度下的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.在Ⅰ-Ⅴ曲线中,我们发现:当电流超过临界电流时,电压随着电流先是缓慢的增长,在电流升到一定值时,电压有一个很陡的突变.我们对这一变化进行了研究,认为这是由于MgO杂质使MgB2的晶界效应增强所引起的.该样品的临界电流和温度的关系满足:jc(T)∝(1-T/Tc)1/3,利用三维Josephson结网络系统的渗流模型进行计算发现,当颗粒超导系统处于非均匀状态时,临界电流和温度满足关系式jc(T)∝(1-T/Tc)4/3,这一结果和我们的实验符合的非常好.     

2H-Nb_(0.9)Ta_(0.1)Se_2中磁通涡旋输运的标度行为

测量了 2H Nb0 .9Ta0 .1 Se2 单晶样品在不同电流下电压随磁场变化的曲线V(H) ,并从V(H)曲线得到V(I)数据 .使用标度关系V =α(I-Ic)β进行了拟合 ,得到了临界电流随磁场Ic(H)和微分电阻随磁场Rd 的变化关系 .在微分电阻随磁场变化的曲线中 ,电流较大时 ,靠近上临界磁场Hc2 附近出现一个强峰 ,而在低电流下 ,该峰消失 .同时在临界电流峰效应区的起始处出现一小峰 .实验结果表明掺Ta后 ,涡旋体系的动力学特性发生了显著的变化 .     

2H-Nb0.9Ta0.1Se2中磁通涡旋输运的标度行为

测量了2H-Nb_0.9Ta_0.1Se₂单晶样品在不同电流下电压随磁场变化的曲线V(H),并从V(H)曲线得到V(I)数据.使用标度关系V=α(I-I_c)^β进行了拟合,得到了临界电流随磁场I_c(H)和微分电阻随磁场R_d的变化关系.在微分电阻随磁场变化的曲线中,电流较大时,靠近上临界磁场H_c2附近出现一个强峰,而在低电流下,该峰消失.同 关键词： 磁通涡旋 标度定律 临界电流峰效应     

Tl_4Ba_3Ca_3Cu_4O_y系统的超导电性和磁化反常

Tl_4Ba_3Ca_3Cu_4O_y 氧化物超导体中存在100K 和120K 两个超导相.测量电流为10mA 时,零电阻超导 T_c 为119K.DC 磁化结果表明:在77K 时不可逆场约为2200O_e,冻结磁通密度11.6G,样品是弱钉扎Ⅱ类超导体.Meissner 效应测量结果表明:Meissner 信号的61%是120K 相的贡献,39%是100K 相的贡献.超导体积的上限和下限的比较,不同磁场和测量电流的 R(T)超导转变以及磁化反常表明:我们的样品中存在着大量的弱连接超导电性,并构成邻近效应超导体,研究了它的日 H_(c2)(T).并由邻近效应超导体的磁化曲线演算出它的超导参量.     

双结π环自发磁化的研究

研究了超导双结π环的自发磁化现象.讨论了双结π环可能发生自发磁化的条件，指出了自发磁化条件不仅与电感参数β有关，而且与两结临界电流之比有关.并通过分析自由能证明自发磁化是稳定的状态.最后给出了讨论结果和渐进行为. 关键词： 双结π环 自发磁化 自由能