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采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性.
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