赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形Ｉｎ０８０Ｇａ０２０Ａｓ／Ｉｎ０５３Ｇａ０４７Ａｓ／Ｉｎ０５２Ａｌ０４８ＡｓＨＥＭＴ结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率．观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应，以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性     

Ⅳ-Ⅵ族半导体材料磁场下的红外介电函数

给出了经典极限下多能谷Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体在磁场下的红外介电函数的一般解析表达式,并通过与k·P模型的结合给出了红外介电函数的半经典处理途径。通过对典型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料PbTe红外介电函数的计算,讨论了能带非抛物性和载流子浓度在多能谷体系中的分布效应对红外介电函数的影响。 关键词：     

赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In_0.80Ga_0.20As/In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应，以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性. 关键词：     

GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气子能带的Landau能级耦合

采用栅压比谱技术，在相对较低的磁场下，观察到GaAs/AlGaAs异质结中二维电子气第零子能带的N＝1 Landau能级与高达第五子能带的N＝0 Landau能级的共振耦合现象，由此精确测量了各子能带能量间距，并与自洽的理论计算结果相比较.同时，讨论了共振子能带-Landau能级耦合所引起的Landau能级分裂大小与子能带量子数的关系.     

半花菁有序超薄膜热释电效应的产生机理

利用Langmuir-Blodgett技术制备的半花菁有机分子超薄膜中存在电滞回线和热释电效应．通过电荷积分法测量其热释电系数在室温下约为12μC·m^-2·K^-1．利用偏振红外吸收光谱研究了有机超薄膜中半花菁分子取向结构随温度变化的关系．讨论了热释电性产生的微观机理. 关键词：     

第五届全国分子束外延学术会议简讯

第五届全国分子束外延学术会议于１９９９年６月２０日至２５日在云南省昆明市举行．会议由中国电子学会电子材料学分会和有色金属学会半导体材料学术委员会主办,中国科学院红外物理国家重点实验室、中国科学院上海技术物理研究所承办,昆明物理研究所协办．本届会议是我国分子束外延科学技术领域的第五次盛会．本届会议参加单位共４０个,出席代表１３４人,收到论文１０８篇,是历届会议的新记录．我们高兴地看到,参加本届会议的有代表我国分子束外延主流和最高学术水平的骨干单位,也有加入分子束外延行列不久或即将加入这个行列的单位…     

FAR-INFRARED PHOTOCONDUCTIVITY MECHANISM ON SHALLOW IMPURITY IN GaAs

We report the far-infrared photoconductivity spectroscopy (FIRPCS) of the high purity n-GaAs grown by molecular beam epitaxial (MBE) technique. The current-voltage (I-V) measurement and FIRPCS under different electric field strength have been performed on high purity n-GaAs at 4.2K. Except for photothermal ionization process, a new far-infrared photoconductivity (FIRPC) mechanism is observed. This photo ionization process is assisted by impact ionization and depends on external electric field. This new mechanism originates from photo-field ionization.     

Si1-xGex合金的红外透射光谱

本文报道了4.2～300K温度范围的富含Si的Si_1-xGe_x合金的晶格振动红外透射光谱.实验首次观察到Ge杂质诱发的一个新的共振模吸收.结果还表明,直拉法生长的Si_1-xGe_x合金存在严重的氧沾污,且氧的振动峰随温度的降低向高频方向移动.     

p-PbTe的strip-line透射光谱研究

报道p-PbTe在深低温、强磁场下,不同远红外波长和晶体取向条件下的strip-line透射光谱。观察到一种新的对透射光谱的模式耦合影响。基于对这一复杂的模式耦合问题数学处理的解决,从实验光谱的拟合计算中得到p-PbTe的能带参量,进一步应用6能带的k·p模型解释了能带参量的光谱特性。 关键词：     

STUDY OF MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH AND OPTICAL CHARACTERISTICS OF HgCdTe

HgCdTe epilayers were grown by molecular beam epitaxy on GaAs(211)B substrates. Process of the HgCdTe epitaxial growth can be monitored by reflection high-energy electron diffraction. Results of the infrared transmission spectrum, Raman scattering spectrum and infrared photoluminescence spectrum in magnetic field have been studied.