静压下(CdTe)_2(ZnTe)_4-ZnTe多量子阱结构的多声子共振拉曼散射

用加静高压的方法改变光学能隙来实现共振条件。在以(CdTe)_2(ZnTe)_4短周期超晶格为阱层,(ZnTe)_(4)为垒层的多量子阱结构中观察到高达四阶的类 ZnTe 纵光学声子模的多声子共振拉曼散射。通过对拉曼位移随压力变化的分析,发现在与(CdTe)_2(ZnTe)_4短周期超晶格共振时测得的类ZnTe 纵光学声子模的频率比与 ZnTe 势垒层共振时测得的 ZnTe 纵光学声子模的频率低4cm~(-1)。并将它归结为在短周期超品格中纵光学声子模的限制效应。在与短周期超品格严格的2LO 声子出射共振条件下观察到了类 CdTe 的2LO 声子的共振拉曼峰。     

GaAs中与施工高激发态有关的共振极化子效应

报道了ｎ型ＧａＡｓ的杂持磁光电导谱，在相对低的磁场下观察到束缚电子高激发态与ＬＯ声子的共振相互作用；讨论了共振极化子光电导响应随磁场强度变化的行为，以及钉扎在ＬＯ声子能量处的光电导峰的物理起源。     

InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射

利用325nm紫外光激发,对不同组分的In_xGa_1-xN薄膜的喇曼散射谱进行了研究.在光子能量大于带隙的情况下,观察到显著增强的二阶A₁(LO)声子散射峰.二阶LO声子峰都从一阶LO声子的二倍处向高能方向移动,移动量随样品In组分的增加而增大,认为是带内Frhlich相互作用决定的多共振效应引起的.分析了一阶LO声子散射频率和峰型与In组分的关系.在喇曼谱中观察到样品存在相分离现象,并与X射线衍射的实验结果进行 关键词： xGa_1-xN合金')" href="#">In_xGa_1-xN合金 紫外共振喇曼散射 二阶声子 相分离     

GaAs/AlAs超晶格的近共振喇曼散射研究

本文介绍GaAs/AlAs超晶格的室温近共振喇曼散射测量结果。由于超晶格中Fr?hlich相互作用的共振增强效应,GaAs LO声子偶模的散射得到了很大的增强。和前人的结果一样,在偏振谱我们观察到了偶模。但和前人的结果不同,在退偏振谱中我们观察到的是奇模,而不是偶模。从而证明了在近共振条件下LO声子限制模仍遵从与非共振时一样的选择定则。二级喇曼散射实验结果表明,在偏振谱中二级谱是由两个偶模组合而成,而在退偏振谱中的二级谱与前人的结果不同,由一个奇模与一个偶模组合而成。上述结果与最近提出的黄朱模型的预言是一 关键词：     

多原子半无限晶体中表面极化子的内部激发态

研究多原子半无限晶体中电子与表面光学(SO)声子耦合强,而与体纵光学(LO)声子耦合弱的极化子的激发态性质.采用线性组合算符和幺正变换方法导出与SO声子耦合强而与LO声子耦合弱情形下极化子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量.结果表明,多原子半无限晶体中与SO声子耦合强,而与LO声子耦合弱的极化子的基态能量、第一内部激发态能量不仅包含不同支LO声子和不同支SO声子与电子耦合的能量,而且也包含不同支SO声子之间相互作用贡献的附加能量.激发能量与体纵光学声子无关.     

Hg1—xCdxTe的共振拉曼散射

当入射光的光子能量接近Hg1-xCdxTe的Eo △o时,发现了Hg1-xCdxTe的共振拉曼散射,观察到了“禁戒”共振增强拉曼散射,同时也观察到了二级共振拉曼散射。分析了非共振条件下能在样品的（100）面观察到微弱的“禁戒”TO2模拟及在共振条件下“禁戒”TO2模大大增强的原因。通过分析,发现由双LO声子引起的二级共振拉曼散射主要由带内的Froehlich相互作用造成的。     

InGaN合金中LO声子-等离子激元耦合模的研究

分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时,E₂模和A₁(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光激发时,A₁(LO)模向低频方向移动且共振增强,此散射信号来自InGaN层。在可见光激发的情况下,在A₁(LO)模的高频方向观察到一个宽峰,此宽峰为InGaN的LO声子-等离子激元耦合模,根据耦合模频率得到InGaN层中的电子浓度为n_ｅ＝1.61×1018 cm-3。紫外光激发时,没有观察到耦合模,A₁(LO)模散射信号主要来自样品表面耗尽层,由此估算样品中的耗尽层宽度大约在40 nm。此外,还对比分析了在室温和78 K低温下LO声子-等离子激元耦合模的散射强度的变化规律,计算了不同温度下等离子激元的屏蔽波矢。这些结论对于了解InGaN材料的基本性质以及氮化物光电器件的开发利用都有重要参考价值。     

正向电压激发下CdS MIS发光二极管中的自由激子发光

在44~77K温度范围内.在正向电压激发下的Cds MIS二极管中,观测到了发射0、1或2个纵光学(O、1LO或2LO)声子的自由激子的辐射衰减.根据激子的动能分布,讨论了1LO和2LO声子协助的伴线的形状和温度依赖.这里激子的有效温度等于晶格温度.     

抛物量子点中弱耦合束缚极化子的相互作用能

研究了抛物量子点中弱耦合束缚极化子的性质,采用改进的线性组合算符和幺正变换方法导出了束缚极化子的振动频率、有效质量和相互作用能。讨论了量子点的有效受限长度、电子LO声子耦合强度和库仑场对抛物量子点中弱耦合极化子的振动频率、有效质量和相互作用能的影响。数值计算结果表明:弱耦合束缚极化子的振动频率和相互作用能随有效受限长度的减少而急剧增大,振动频率随库仑势以及电子LO声子耦合强度的增加而增加,而相互作用能随库仑势以及电子LO声子耦合强度的增加而减小。有效质量仅与电子LO声子耦合强度有关。     

多原子半无限晶体中极化子的激发能量

研究多原子半无限晶体中电子与表面光学SO声子和体纵光学LO声子强耦合的极化子的激发态的性质。采用线性组合算符和幺正变换方法导出强耦合情形下极化子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量。结果表明,多原子半无限晶体中强耦合极化子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能量不仅包含不同支LO声子和不同支SO声子与电子耦合的能量,而且还包含不同支LO声子之间和不同支SO声子之间相互作用贡献的附加能量。     

Three-phonon assisted cyclotron harmonic transitions in the magnetophotoconductivity of n-InSb

The CO₂ laser-induced magnetophotoconductivity of n-InSb (10¹⁴ cm^-3) at liquid helium temperatures exhibits resonant structure which depends upon the photon energy and the magnetic field. The resonant peaks are explained on the basis of a simple model in which an electron absorbs a photon and emits successively three LO phonons.     

Magnetoabsorption in n-type InSb from 8 to 15 μm

Magnetoabsorption measurements in n-type InSb at T?30K have been made between ～ 8 and 15 μm using magnetic fields up to 150 kOe. The observed absorption peaks are identified as due to combined resonance, harmonics of cyclotron resonance and the corresponding LO phonon-assisted resonances. These resonant absorptions are considered to be important in the interpretation of the observed magnetic field behavior of the threshold and output power of the InSb spin-flip Raman laser pumped with 10.6 μm CO₂ laser.     

Study of Cyclotron Resonance of Interface Polarons

This paper presents a study of the cyclotron resonance of the interface polarons in a semiinfinite polar crystal. In the resonant magnetic field region the Landau-level corrections due to the resonant coupling of the electron with the bulk longitudinal-optical (LO) phonon and the surface optical (SO) phonon are calculated. At resonance the n-th Landau level (n > 0) splits into a triplet. The cyclotron-resonance mass of the electron is evaluated for an arbitrary magnetic-field strength. For the interface system the magneto-optical anomalies display three branches of the cyclotron-resonance mass spectra. The numerical results show that in the interface system the polaron effect is weakened with respect to the ideal twodimensional system. It is found that in the very weak magnetic fields the polaron effect is contributed mainly by the SO phonons, whereas in the large magnetic fields the LO-phonon contribution to the polaron.effect becomes predominant.     

ZnSe/ZnCdSe超晶格的共振拉曼散射特性

ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ超晶格的共振拉曼散射特性李文深池元斌＊李岩梅＊范希武申德振杨宝均王敬伯（中国科学院长春物理研究所，激发态物理开放实验室长春１３００２１）＊（吉林大学超硬材料国家重点实验室，长春１３００２３）ＲｅｓｏｎａｎｔＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒ...     

均匀横向磁场条件下抛物量子阱结构中的共振隧穿

采用简单的数值计算方法研究了均匀横向磁场条件下通过抛物量子阱结构的共振隧穿。计算了几种GaAs-AlxGa1-xAs-GaAs抛物阱结构的透射系数。结果表明：磁场增加时，共振峰向高能区移动，新的共振峰出现；同时讨论了回旋中心在不同位置时，抛物阱结构的J-V 特性。我们发现回旋中心在抛物阱中心时更有助于解释实验，并且能够得到和实验一致的结果：磁场增加，电流峰值减少且向高偏压移动。     

Cyclotron Resonance of an Interface Magnetopolaron at Finite Temperatures

Taking into account the interaction of an electron with both bulk longitudinal-optical (LO) and interface-optical (IO) phonons, the cyclotron resonance of an interface magnetopolaron at finite temperatures is investigated by using the generalized Larsen perturbation-theory method. It is shown that the absorption and emission resonance must be considered at the same time at finite temperatures. The results also show the important role played by the electron-IO phonon interaction. For the GaAa/GaSb structure, splitting of the cyclotron resonance spectrum and temperature dependence of the threefold splitting cyclotron resonance mass of the magnetopolaron in the resonant magnetic field region are studied.     

Resonant raman scattering at the E1 energy gap of semiconductor crystals

We present a discussion of resonant Raman scattering by optical phonons at the E₁ energy gap of group IV and groups III–V compound semiconductor crystals (e.g., Ge and InSb). For allowed scattering by TO and LO phonons, the q-dependent “double resonant” two-band calculation of the Raman tensor may display destructive interference effects when the intermediate electron-hole pairs are uncorrelated. We also discuss the Franz-Keldysh mechanism of resonant electric field induced Raman scattering by LO phonons. The double resonance terms due to this mechanism will, for large electric fields, broaden and have its largest resonance enhancement at the energy gap.     

One phonon-assisted electron Raman scattering in a wurtzite cylindrical quantum well wire

We report the electron resonant Raman scattering (ERRS) process related to the longitudinal optical (LO), interface optical (IO) and quasi-confined (QC) phonons in a cylindrical GaN-AlN quantum well wire (QWW). We present the differential cross-section (DCS) and study the selection rules. Results reveal that the emitted photon frequency decreases with increasing the radius because of the size-selective Raman scattering effect and the built-in electric field. The contribution to the DCS mainly stems from the GaN-type LO (LO1), QC and IO phonons when the wire is thin, but the LO1 and QC phonons are dominant for the thick wire.     

Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱的共振喇曼光谱

本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。     

强耦合半无限极性晶体中磁极化子的激发能量

采用线性组合算符和幺正变换,利用变分法计算了多原子半无限极性晶体中由电子和光学声子强耦合相互作用所产生的磁极化子的第一激发能量及平均声子数,并通过适当的数值计算图示了它们与磁场的关系。结果表明:在不同的磁场条件下,电子无限接近晶体表面和电子处于晶体深处时,磁极化子的第一激发能量和平均声子数都有所不同。