纳米银掺杂对Bi(2223)超导体的影响

研究了不同含量纳米银掺杂的（Ｂｉ,Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ块材。ＤＴＡ分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Ｔｃ相的形成。磁场下Ｒ－Ｔ展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂１５ｗｔ％Ａｇ时激活能提高５～６倍;掺杂样品的钉扎能Ｕ（Ｈ）随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能。交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动２０Ｋ,说明纳米银掺杂改善了晶界     

低场下高度c轴取向的Bi2223银包套带材的反常霍尔效应研究

在低场且磁场一行于ｃ轴和磁场平行行ａｂ面两种情况下，测量了沿ｃ轴高度取向的Ｂｉ２２２３银包套带材在混合态下纵向电阻率和霍尔电阻率与温度的关系。     

低场下高度c轴取向的Bi2233银包套带材的反常霍尔效应研究

低场下高度ｃ轴取向的Ｂｉ２２３３银包套带材的反常霍尔效应研究姜柳笛，孙玉平，许国阳，杜家驹中国科学院固体物理研究所，合肥２３００３１中国科学技术大学结构分析开放实验室，合肥２３００２６１９９６年１０月３０日收到在低场（Ｈ＜１Ｔ）且磁场平行于ｃ轴（Ｈ／...