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采用溶胶-凝胶法制备了MgxZn1-xO(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)纳米粉体。X射线衍射谱表明:在较高的温度(850℃以上)下退火,MgxZn1-xO纳米粉体从单一的纤锌矿结构相中分离出MgO相的掺杂浓度x约为0.13,且随着x的增加,MgO相含量呈指数型增长。室温光致发光谱显示:MgO相分离对紫外与绿光发射的相对强度有直接的影响,随着MgO相分离的出现,紫外发光峰蓝移,并随着MgO相的增加,紫外发光峰的强度受抑,绿光发光峰变强。样品的室温透过率显示:MgxZn1-xO的禁带宽度在x=0.1时达到最大值并受MgO相分离的影响而减小。 相似文献
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pH值对溶胶-凝胶法制备的掺铝氧化锌薄膜光电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出c轴择优取向的ZnO: Al(ZAO)透明导电薄膜,研究了溶胶pH值对其结构、表面形貌、电学和光学性能的影响.结果表明:随着pH值的降低晶粒尺寸增大;当溶胶pH值从8.4降低到6.8时,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当pH值为7.2时其电阻率达到最小值2.6×10-3 Ω·cm,进一步分析表明,溶胶pH值的变化影响了薄膜晶界散射,而后者又使载流子迁移率发生了变化;薄膜的透光率在可见光部分随着pH值的降低而升高,而禁带宽度则从3.36 eV降到3.32 eV. 相似文献
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本文研究了三个不同退火温区下(低于450℃、450~700℃和高于700℃)影响Bi2Sr2CaCu2Oy单晶抗磁转变宽度的因素.发现普遍被接受的在700℃以下退火温区的分界线并不明确.ΔTc的变化强烈依赖于退火条件,即使在250℃的较低退火温度下,Tc和ΔTc也可以通过快速淬火而得到显著改善.然而在700℃以上、不同条件下退火均得到较宽的ΔTc与已有的报道是一致的,这可能是Bi2Sr2CaCu2Oy单晶的本征行为.以上结果可以用额外氧的含量和位置、阳离子迁移引起的结构调整来解释. 相似文献
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Electrical and optical properties of Sb-doped ZnO thin films synthesized by sol–gel method 下载免费PDF全文
Sb-doped ZnO thin films with different values of Sb content (from 0 to 1.1 at.%) are deposited by the sol-gel dip- coating method under different sol concentrations. The effects of Sb-doping content, sol concentration, and annealing ambient on the structural, optical, and electrical properties of ZnO films are investigated. The results of the X-ray diffraction and ultraviolet-visible spectroscopy (UV-VIS) spectrophotometer indicate that each of all the films retains the wurtzite ZnO structure and possesses a preferred orientation along the c axis, with high transmittance (〉 90%) in the visible range. The Hall effect measurements show that the vacuum annealed thin films synthesized in the sol concentration of 0.75 mol/L each have an adjustable n-type electrical conductivity by varying Sb-doping density, and the photoluminescence (PL) spectra revealed that the defect emission (around 450 nm) is predominant. However, the thin films prepared by the sol with a concentration of 0.25 mol/L, despite their poor conductivity, have priority in ultraviolet emission, and the PL peak position shows first a blue-shift and then a red-shift with the increase of the Sb doping content. 相似文献
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采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO(SZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了Sn掺杂对薄膜表面形貌和微结构的影响。XRD结果表明,所有ZnO薄膜样品都存在(002)择优取向。SEM结果表明随着掺杂浓度的增加,薄膜表面由颗粒向纳米棒转变。电学结果显示掺杂浓度为3at%时,电学性能最好,最低电阻率为6.9×10-2Ω.cm。室温光致发光谱(PL)显示所有的SZO薄膜样品在(325 nm光激发下)380 nm和398 nm两处都有发光峰,随着掺杂浓度的增大,398 nm处的发光强度先增大后减小,然后再增大;380nm处的发光强度始终增大,这些现象与薄膜的表面结构的变化有关。 相似文献
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采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在玻璃衬底上制备Zn1-xLaxO(x=0~0.04)(LZO)薄膜,分别在空气、氮气和氩气条件下进行退火,探讨了不同退火气氛和不同镧掺杂浓度对其结构和光学性能的影响.XRD和SEM结果表明:氩气退火条件下ZnO的晶粒尺寸比空气退火条件下和氮气退火条件下的晶粒尺寸略小,且ZnO晶粒的尺寸随着镧掺杂浓度的增加而减小.薄膜光致发光(PL)测量表明:紫光发光带中心在氩气下退火相对于空气下退火存在略微的蓝移,而在氮气下退火则相反;ZnO紫光发光带的位置随着镧掺杂浓度的增加先红移而后蓝移.禁带宽度在镧掺杂量为2;时达到最小值,说明镧可以有效地调节ZnO的禁带宽度. 相似文献