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1.
采用机械合金化结合后续热处理成功制备出Fe1-xCoxSi2化合物,探讨Co掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波方法对Co掺杂前后β-FeSi2的电子结构进行计算。结果表明:Co元素掺杂量x应控制在0~0.05之间;β-FeSi2的费米面位于价带顶,其电阻率随温度升高而降低,为非简并半导体;Co掺杂后费米面进入导带底,使其成为n型简并半导体,电阻率较掺杂前大幅度降低;本实验条件下,热电性能检测发现,当x=0.03,温度873 K时,试样的功率因子达到最大值为60μW.m-1.K-2。  相似文献   
2.
Sb-doped ZnO thin films with different values of Sb content (from 0 to 1.1 at.%) are deposited by the sol-gel dip- coating method under different sol concentrations. The effects of Sb-doping content, sol concentration, and annealing ambient on the structural, optical, and electrical properties of ZnO films are investigated. The results of the X-ray diffraction and ultraviolet-visible spectroscopy (UV-VIS) spectrophotometer indicate that each of all the films retains the wurtzite ZnO structure and possesses a preferred orientation along the c axis, with high transmittance (〉 90%) in the visible range. The Hall effect measurements show that the vacuum annealed thin films synthesized in the sol concentration of 0.75 mol/L each have an adjustable n-type electrical conductivity by varying Sb-doping density, and the photoluminescence (PL) spectra revealed that the defect emission (around 450 nm) is predominant. However, the thin films prepared by the sol with a concentration of 0.25 mol/L, despite their poor conductivity, have priority in ultraviolet emission, and the PL peak position shows first a blue-shift and then a red-shift with the increase of the Sb doping content.  相似文献   
3.
采用溶胶凝-胶法在普通玻璃衬底上制备了具有c轴择优取向的Al掺杂ZnO透明导电薄膜.实验中将热处理过程分解为预烧、空气退火和真空退火三个部分,研究了各个步骤对于ZAO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明, 500 ℃预烧550 ℃空气退火的薄膜,经过550 ℃,1×10-2 Pa真空退火后,其晶体结构和光电性能达到最佳,电阻率最低达到1.77×10-3 Ω· cm,可见光范围内的平均透过率约为85;.  相似文献   
4.
为了解决分布在野外偏远地区的监测站供电和管理问题,利用风光互补发电的方法为系统提供电力,并将电能储存在蓄电池里,分别提供24V的直流和220V的交流电供负载使用。集中监测管理系统采用C/S架构设计,主要由电力监测站、集中监测中心和传输网络组成,电力监测站作为客户端负责采集太阳能电池板、风机和蓄电池的状态参数,通过GPRS网络与集中监测中心服务器建立的TCP/IP网络连接将采集到的信息按照规定的数据协议上传,服务器接收、处理、分析和显示来自各监测站的数据,并存储在数据库ACCESS2003里。实验结果表明,设计的系统能够远程有效监测发电功率、蓄电池劣化甄别、剩余电量、和发电站运行状态等信息,实现了分布式站点电力的集中管理。  相似文献   
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