首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   84篇
  免费   52篇
  国内免费   26篇
化学   63篇
晶体学   15篇
力学   3篇
数学   8篇
物理学   73篇
  2023年   2篇
  2022年   4篇
  2021年   6篇
  2020年   2篇
  2019年   8篇
  2018年   5篇
  2017年   5篇
  2016年   3篇
  2015年   8篇
  2014年   13篇
  2013年   10篇
  2012年   9篇
  2011年   12篇
  2010年   5篇
  2009年   9篇
  2008年   8篇
  2007年   6篇
  2006年   12篇
  2005年   6篇
  2004年   6篇
  2003年   6篇
  2002年   4篇
  2001年   1篇
  2000年   1篇
  1997年   2篇
  1995年   1篇
  1993年   1篇
  1991年   2篇
  1990年   1篇
  1987年   1篇
  1985年   2篇
  1960年   1篇
排序方式: 共有162条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
采用吹扫捕集-气相色谱-质谱法测定水中25种挥发性有机物的含量,并研究了其在污水厂应急溯源中的应用。25种挥发性有机物在一定的质量浓度范围内与其峰面积呈线性关系,方法的检出限(3.143s)在0.6~5.0μg·L-1之间。以空白样品为基体进行加标回收试验,所得回收率在91.6%~102%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)在2.7%~4.6%之间。在一起污水厂冲击案例中,通过污水管网采样及污水样品分析,确定污染因子二氯甲烷,并根据二氯甲烷浓度变化快速锁定污染源头,确保污水厂出口水质达标。  相似文献   
2.
传统化学交联的聚丙烯酰胺(PAM)水凝胶由于力学性能较弱,其应用范围受到很大限制。与之相比,采用纳米复合技术制备的PAM纳米复合(NC)水凝胶,不仅大幅提高了力学性能,而且在溶胀率等方面也有明显的提高。本文结合该领域近年来的研究进展,将PAM NC水凝胶分为纯物理交联和化学物理交联相结合两类,重点讨论了NC水凝胶在力学性能方面的研究结果,对溶胀率等其它方面的性能也进行了综合论述。  相似文献   
3.
王新  夏广远 《应用声学》2023,42(5):954-962
面向管道法兰连接松动引起的泄漏检测需求,为解决数据样本不足和减少特征指标手动选取的繁琐环节。本文,考虑到生成性对抗网络(GAN)作为数据扩充工具,已被证明能够生成与真实数据相似的样本数据。同时,卷积神经网络(CNN)作为一种深度学习方法,为自动提取数据的特征提供了一种有效的方法。开展了基于GAN和CNN的铝合金管道法兰连接松动泄漏检测研究。首先,搭建管道泄漏标定和数据采集实验台,利用声发射技术获取不同等级的原始泄漏信号。其次,采用GAN生成样本数据扩充原始数据。同时,为了评估生成模型的性能,引入统计特评估生成质量。最后,将生成的样本数据与原始数据设置为不同训练集,基于卷积神经网络构建智能分类检测模型,应用于管道泄漏检测。同时,分类检测结果与小样本智能分类方法SVM进行了比较,实验结果表明,基于GAN和CNN构建的智能分类模型可显著提高管道法兰连接松动泄漏检测精度。  相似文献   
4.
以MoO42-部分取代Li3Fe2(PO43中的PO43-,研究表明:加入的MoO42-离子主要以固溶形式存在于Li3Fe2(PO43中,起到了显著改善其电化学性能的作用。其中,MoO42-掺杂浓度为0.3的样品表现出最佳的电化学性能,其在0.5C倍率下的首次放电容量为113.7 mAh·g-1,这一数值比未掺杂的提高了20.7%;经过60次循环充放电,容量保持率为94%。将放电倍率从0.5C逐步增大至5C,再降至初始的0.5C,并在每个倍率循环10次,这一材料的最终放电容量可达首次0.5C的95%。这些优异的性能应归因于MoO42-掺杂使材料的氧化还原能力增强,氧化还原电对的电势差减小,电池内部的电荷转移电阻减小,以及Li+扩散系数增加。  相似文献   
5.
采用气相色谱法测定水中二氯乙酸和三氯乙酸的含量。并且检测了地表水、海水、污水处理厂进口和化工废水等不同水质实际样品。水样中加入氯化钠,经硫酸酸化,甲基叔丁基醚萃取后,以硫酸-甲醇(20+80)溶液作为衍生试剂,衍生温度为50℃时,气相色谱-电子捕获检测器测定。在优化分离条件下,分流比为5比1,二氯乙酸和三氯乙酸具有良好的分离效果。二氯乙酸、三氯乙酸的检出限分别为0.21,0.14μg·L-1,加标回收率在97.4%~105%之间,测定值的相对标准偏差(n=6)小于6%。  相似文献   
6.
A new metal-organic coordination polymer,[Ce(L 1)(L 2)(H 2 O)]·2H 2 O (1,H 2 L 1=2,6-dimethylpyridine-3,5-dicarboxylic acid,H 2 L 2=(E)-2,6-dimethyl-4-styrylpyridine-3,5-dicer-boxylic acid),has been synthesized and characterized by elemental analysis,IR,and X-ray single-crystal diffraction.Compound 1 crystallizes in triclinic,space group P1 and displays a two-dimensional coordination network structure.In 1,the relatively rare crossed ladders cons-tructed by mixed ligands organize a 2-D grid with the topology of (4 2 6) 2 (4 8 6 6 8),and the layers further build up a 3-D supramolecular architecture via interlaminar hydrogen bonds.  相似文献   
7.
采用等离子体增强化学气相沉积技术实现了nc-SiOx/SiO2多层结构薄膜在220℃的低温沉积,并对其450℃N2+ H2形成气体退火前后的微结构及其发光特性进行了研究.结果表明,直接沉积的纳米硅多层薄膜未观察到较明显的室温发光,而形成气体退火后样品出现峰值位于780 nm附近较强的光致发光,归因于活性氢能有效钝化纳米硅表面悬键,提高了材料的发光强度.结合瞬态发光谱分析,采用量子限制-发光中心模型可以合理解释纳米硅多层结构的发光特性.  相似文献   
8.
使用金属辅助化学刻蚀(MACE)法与水热法,改变贵金属粒子的刻蚀时间,制备不同n型多孔硅/TiO_2纳米线光阳极。通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对光阳极样品进行表征,结果显示多孔硅宏孔的尺寸会随着刻蚀时间延长而增大,由0.1μm变化到0.4μm,多孔硅表面长有TiO_2纳米线为金红石相及少量锐钛矿相。测试结果显示刻蚀35 min的多孔硅/TiO_2样品具有最高的减反射率,在模拟太阳光下具有较高的光电流(光电流密度)活性,且在1.5 V外加偏压下具有最高的光电催化活性。这是由于刻蚀35 min的多孔硅基底具有优异的减反射性能,同时多孔硅与Ti O_2纳米线复合形成光阳极之后具有异质结效应和窗口效应,使得多孔硅/TiO_2纳米线光阳极具有优异光电化学性能。  相似文献   
9.
TiOCl2溶液微波加热制备金红石型TiO2纳米粒子   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了一种由TiOCl2液相直接合成金红石型TiO2纳米粒子的新方法,即微波诱导沸腾回流强迫水解法,用该法制备出常规条件下不能得到的产品.所得产物用粉末X射线衍射仪和透射电子显微镜表征,证明产物为金红石型,粒子尺寸5~30nm可控.研究表明,产物物相取决于Ti4+的初始水解速率,水解速率越快,越有利于金红石相成核;通过控制初始Ti4+的浓度,可改变纳米TiO2的粒径.另外还讨论了该金红石型TiO2纳米粒子的成核机理.  相似文献   
10.
采用溶胶-凝胶法用SO42-部分代替Li3Fe2(PO4)3中的PO43-阴离子制得Li3-xFe2(PO4)3-x(SO4)x(x=00.90)正极材料, 通过X射线衍射、 充放电技术、 循环伏安特性测试及电化学阻抗谱表征了掺杂材料的相组成及电化学性能. 结果表明, SO42-主要以固溶形式存在于Li3Fe2(PO4)3中, 产物中还伴有少量Fe2O3第二相析出. SO42-掺杂使Li3Fe2(PO4)3的放电容量呈抛物线形规律变化, 并在掺杂浓度x=0.60时达到最佳值, 该样品在0.5C倍率下的首次放电容量为111.59 mA·h/g, 比未掺杂的样品提高了18.4%; 60次循环充放电后的容量保持率为96%; 将该样品的放电倍率由0.5C逐渐提高至5C, 再降至0.5C, 并在每个倍率下循环10次, 材料的最终放电容量仍能达到首次放电容量的97%. 导致这些变化的原因是SO42-掺杂使材料的氧化还原性能增强, 电池内阻减小, 极化程度降低及Li+扩散系数增大.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号