多孔硅/TiO2纳米线光阳极的制备及其光电催化性能

使用金属辅助化学刻蚀(MACE)法与水热法,改变贵金属粒子的刻蚀时间,制备不同n型多孔硅/TiO_2纳米线光阳极。通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对光阳极样品进行表征,结果显示多孔硅宏孔的尺寸会随着刻蚀时间延长而增大,由0.1μm变化到0.4μm,多孔硅表面长有TiO_2纳米线为金红石相及少量锐钛矿相。测试结果显示刻蚀35 min的多孔硅/TiO_2样品具有最高的减反射率,在模拟太阳光下具有较高的光电流(光电流密度)活性,且在1.5 V外加偏压下具有最高的光电催化活性。这是由于刻蚀35 min的多孔硅基底具有优异的减反射性能,同时多孔硅与Ti O_2纳米线复合形成光阳极之后具有异质结效应和窗口效应,使得多孔硅/TiO_2纳米线光阳极具有优异光电化学性能。     

7-O-取代-8-甲基香豆素和4H-色烯-4-酮化合物与NBS/CCl_4试剂的溴化反应

7-O-取代-8-甲基香豆素和4-H-色烯-4-酮化合物是合成Seco-DCK和Seco-DCP类似物的重要中间体.报道了在NBS/CCl4条件下,这两类化合物8-位甲基溴代反应的情况.通过实验发现,这两类化合物8-位甲基溴代反应较一般芳环苄位的溴代更为复杂,存在多个反应位点.影响8-位甲基溴代选择性和收率的主要因素有三:邻位基团空间位阻大小、自由基引发催化剂的使用与否以及邻位基团的电性因素.通过控制反应条件,可以中等收率得到8-位甲基溴代化合物.     

金属催化端炔与亚胺衍生物亲核加成制备炔丙基胺的研究进展

综述了端炔与C=N双键亲核加成制备炔丙基胺的合成方法的研究进展.其中包括醛亚胺的间接或直接偶联反应,烯胺的间接偶联反应,酮亚胺的间接或直接偶联反应等.参考文献30篇.     

A Continuous-Wave Diode-Side-Pumped Tm:YAG Laser with Output 51W

A compact diode-side-pumped Tm：YAG laser is presented, which can output 51 W of cw power at 2.02 μm. The Tm：YAG rod is side pumped by nine diode arrays with the central wavelength of 783nm and the with bandwidth of about 2.5 nm at 25^o C. To decrease the thermal effect on the both ends and dissipate the heat effectively, one composite Tm：YAG rod with the undoped YAG end caps and the screw threads on the side surface of the rod is used as the laser crystal. The maximum optical-to-optical conversion efficiency of the 2.02-μm laser output is 14.2%, with a slope effciency of 26.8%