布基管和布基洋葱的结构及生长机理的研究

利用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和扫描隧道显微镜(STM),对布基管和布基洋葱的形貌、结构、生长机理进行了研究。结果表明采用垂直下落武装置制备布基管具有较大的产率,TEM的观察得到了布基管各种部位的横截面TEM象,报道了几种特殊结构的布基管和布基洋葱,分析了造成布基管形貌变化的原因,提出了布基管和布基洋葱生长过程的模板作用,提出在无定形石墨和布基管之间存在过渡态结构的观点,STM的研究结构获得了椅式布基管表面的原子象。     

电子回旋共振等离子体特性及其对生长氮化镓晶膜的影响

为了解并优化在电子回旋共振等离子体辅助化学汽相沉积GaN晶膜的工艺研究中的等离子体特性,利用朗缪尔探针及法拉第筒系统地测量了离子密度(N_i)、等离子体势(V_p)、电子温度(T_e)及离子流强(J_i)等多个等离子体参量随微波功率(P_w)及沉膜室气压(p)变化的关系.给出了在P_w＝850W,p＝0.22Pa时,上述等离子体参量的轴向及径向分布.GaN晶膜的生长速率、电学及晶体学性能 关键词：     

氯参与的化学气相淀积金刚石的热力学分析

用非平衡热力学耦合模型研究了金刚石在CHCl体系中的生长,计算所得CHCl体系的金刚石生长的相图与大量实验结果符合良好.通过热力学分析讨论了氯的添加对提高金刚石薄膜生长速率及其质量的影响以及降低淀积温度的作用.     

DMF溶液中导电玻璃上沉积类金刚石薄膜

液相法制备类金刚石膜设备简单,操作容易,能大面积成膜,越来越受到研究者们的关注．Ｎａｍｂａ［１］以乙醇为介质,在１２００Ｖ电压７０℃以下沉积膜,得到了类金刚石膜;Ｓｕｚｕｋｉ等［２］以水乙二醇溶液为介质制膜,只得到了石墨相的碳膜;以乙醇的水溶液为介质利用电解热沉积膜,得到了玻璃碳和石墨碳,同时阴极钨发生碳化有ＷＣ和Ｗ２Ｃ生成［３］;Ｎｏｖｉｋｏｖ等［４］在乙炔的液氨溶液中沉积膜,Ｒａｍａｎ谱表明他们得到了类金刚石（ＤＬＣ）膜;Ｋｗｉａｔｅｋ等［５］重复了Ｎａｍｂａ的实验,证明沉积膜主要为非晶态…     

液相放电法合成氮化碳晶体

自从 Cohen等 [1,2 ] 预言了一种碳氮化合物 ( β- C3N4 )可能具有比金刚石还高的硬度和其它优异的力学、电学和光学性能以来 ,人们竟相采用各种技术手段 (如化学气相沉积、磁控溅射、离子束沉积和激光刻蚀等 )尝试合成这种新材料 [3,4 ] .但是 ,大多数合成的氮化碳材料为非晶或者是少量的晶体包埋在非晶的碳和 CNx 材料中 ,尚未制得可以精确地研究其晶体结构的足够大的单晶 .1 999年 ,Fu等 [5] 将液相电沉积技术应用于氮化碳材料的合成 ,从乙腈中沉积了氮含量为 2 5 %的氮化碳薄膜 .目前电化学沉积法制备的氮化碳薄膜多为非晶膜 [6～ 9]…     

以笼烯为接头的球棒式碳纳米管的电子结构

按照Hamada构造一维至三维球棒式碳纳米管,构造了一些球棒式的笼烯接头的具有C₃/C₅旋转轴的单层碳纳米管.在Hückel近似下,利用群论约化定理计算了它们的π电子结构,并对其稳定性进行了探讨.     

NafionTM膜表面改性用等离子体聚合方法提高膜的阳离子选择性

采用辉光放电等离子体聚合方法 ,以 C2 H4 和 NH3 为单体 ,在 Nafion TM膜表面沉积一层含氨基及酰氨基的类聚乙烯阴离子交换膜 ,提高了 Nafion TM膜对阳离子的选择性 ,同时不显著增加膜电阻 .由 SEM确定该等离子体聚合膜厚约 0 .5μm,用红外光谱及 X光电子能谱表征膜结构 .采用四电极法测量膜电阻 ,膜对质子的选择性由 Cu2 + 的迁移数 t Cu表征 ,用二室隔膜装置 (0 .2 5mol/L Cu Cl2 -0 .5mol/L HCl|等离子体处理膜 |1 mol/L HCl)测量 t Cu. O2 等离子体预处理 Nafion TM膜有利于沉积膜在 Nafion TM膜上的沉积并与 Nafion TM膜紧密结合 .经改性后的 Nafion TM膜电阻值仍然很小 ,在 1 mol/L HCl溶液中电阻小于 0 .5Ω· cm2     

C60的加成反应

富勒烯化学是以全碳分子球烯为母体的新兴有机化学领域, 在材料、医学及立体化学合成方法等方面具有广泛的应用和发展前景。本文综述了C₆₀的加成反应, 较全面地展示了富勒烯的化学性质。     

薄膜生长的理论模型与Monte Carlo模拟

用Monte Carlo方法模拟了薄膜的二维生长.引入Morse作用势描述粒子间的相互作用情况,研究了相互作用范围α对薄膜生长初期形貌的影响.薄膜的生长经历了由临界核的形成、团的长大、形成迷津结构到连续成膜4个阶段.模拟结果表明,随着沉积粒子数的增加,成团粒子所占百分比下降.这与实际情况相符. 关键词： 薄膜生长 Monte Carlo方法 Morse势     

单加成环丙烷富勒烯膦酸酯衍生物的合成与电化学性能

在Mn(OAc)₃•2H₂O催化下, C₆₀分别和亚甲基二膦酸四乙酯、氰基亚甲基膦酸二乙酯或乙氧羰基亚甲基膦酸二乙酯在氯苯中回流, 生成3个单加成环丙烷富勒烯膦酸衍生物C₆₀C(R)PO(OEt)₂ [1, R＝PO(OEt)₂; 2, R＝COOEt; 3, R＝CN]. 与以前报道的Bingel反应法相比, 该方法副产物少并且缩短了反应时间. 采用循环伏安法发现1, 2的还原电位相对于C₆₀发生负移, 而3的还原电位相对于C₆₀却正移40 mV, 表明引入象氰基一样具有很强吸电子能力的取代基团, 可以改善富勒烯球的电化学性能, 合成电子接受能力较强的富勒烯衍生物.