氯参与的化学气相淀积金刚石的热力学分析

用非平衡热力学耦合模型研究了金刚石在ＣＨＣｌ体系中的生长，计算所得ＣＨＣｌ体系的金刚石生长的相图与大量实验结果符合良好．通过热力学分析讨论了氯的添加对提高金刚石薄膜生长速率及其质量的影响以及降低淀积温度的作用     

液相放电法合成氮化碳晶体

自从 Cohen等 [1,2 ] 预言了一种碳氮化合物 ( β- C3N4 )可能具有比金刚石还高的硬度和其它优异的力学、电学和光学性能以来 ,人们竟相采用各种技术手段 (如化学气相沉积、磁控溅射、离子束沉积和激光刻蚀等 )尝试合成这种新材料 [3,4 ] .但是 ,大多数合成的氮化碳材料为非晶或者是少量的晶体包埋在非晶的碳和 CNx 材料中 ,尚未制得可以精确地研究其晶体结构的足够大的单晶 .1 999年 ,Fu等 [5] 将液相电沉积技术应用于氮化碳材料的合成 ,从乙腈中沉积了氮含量为 2 5 %的氮化碳薄膜 .目前电化学沉积法制备的氮化碳薄膜多为非晶膜 [6～ 9]…     

前驱体法制备氮氧化硅纳米线及其光学性能研究

在Ni催化剂的存在下,通过SiCl4的水解氨解反应并在1300℃氨气气氛中进行热氮化处理制得了无定形氮氧化硅纳米线。产物经X射线衍射(XRD)、热重-差示扫描量热(TG-DSC)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能量色散谱(EDS)和选区电子衍射(SAED)等表征手段进行分析,结果表明纳米线为无定形结构,直径为100-150nm。在波长为220nm的光激发下,产物的光致发光光谱(PL)在563nm和289nm处分别出现了一个强的绿光发光峰和一个弱的紫光发光峰。对纳米线的生长机理进行分析,表明纳米线的生长遵循气-液-固(VLS)机制控制模式。     

不同形貌氮化硅纳米结构的制备与表征

分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带。产物经X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等表征手段进行了分析。FTIR图谱表明它们在800 ~1100cm-1的波数范围内有一个宽的吸收带,这是Si-N键伸缩振动模式的典型吸收带。它们的室温光致发光图谱显示,在420nm左右都有一很强的发射带,表明其将在纳米光电器件中有潜在应用。另外,Si3N4纳米线发光峰与纳米带的发光相比有少许蓝移(蓝移约4nm),这可能和晶须尺寸的少许差别有关。至于纳米带的发光强度大于纳米线的原因,可能是纳米带的比表面积相对较大,有利于悬键的形成,从而导致材料结构内缺陷的浓度较大。     

DMF溶液中导电玻璃上沉积类金刚石薄膜

液相法制备类金刚石膜设备简单,操作容易,能大面积成膜,越来越受到研究者们的关注．Ｎａｍｂａ［１］以乙醇为介质,在１２００Ｖ电压７０℃以下沉积膜,得到了类金刚石膜;Ｓｕｚｕｋｉ等［２］以水乙二醇溶液为介质制膜,只得到了石墨相的碳膜;以乙醇的水溶液为介质利用电解热沉积膜,得到了玻璃碳和石墨碳,同时阴极钨发生碳化有ＷＣ和Ｗ２Ｃ生成［３］;Ｎｏｖｉｋｏｖ等［４］在乙炔的液氨溶液中沉积膜,Ｒａｍａｎ谱表明他们得到了类金刚石（ＤＬＣ）膜;Ｋｗｉａｔｅｋ等［５］重复了Ｎａｍｂａ的实验,证明沉积膜主要为非晶态…     

阴极电沉积法制备高氮含量氮化碳薄膜

阴极电沉积法制备高氮含量氮化碳薄膜;电化学沉积;硬度;模量     

采用溶胶凝胶前驱物制备氮化镓纳米晶体

采用溶胶凝胶法制备的前驱物进一步在900℃,氨气气氛中氮化得到粒径相对均匀、平均粒径为11.2nm的六方相氮化镓纳米晶体。XRD,HRTEM,SAED,EDS,FTIR被用于表征产物的微结构及组成。室温光致发光光谱显示产物位于3.46 eV的带边发光峰和从2.6~3.2 eV的宽的发光带。产物可直接用于制备氮化镓量子点复合材料和制备高质量的一维氮化镓晶体。     

Mg doping reduced full width at half maximum of the near-band-edge emission in Mg doped ZnO films

Sol-gol method was employed to synthesize Mg doped ZnO films on Si substrates. The annealing temperature-dependent structure and optical property of the produced samples were studied. An interesting result observed is that increasing Mg concentration in the studied samples induces the full width at half maximum (FWHM) of their near-band-edge (NBE) emission decrease and the defect related emission of the corresponding sample suppresses drastically. The possible mechanism of the observed result is discussed.     

碳热还原法合成氮化硼纳米管

以球磨后的氧化硼和活性碳粉共同作基本原料,加入NaC l和Fe粉填加剂,用简单的碳热还原法,在1200℃、流动的氨气气氛中成功合成了大量的BN纳米管。在扫描电镜和透射电镜下观察到纳米管直径均匀,表面光滑,呈弯曲状,长度达十几个微米。EDS能谱、电子选区衍射和粉末X射线分析表明纳米管为六方相的BN多晶。     

碳氮纳米晶体的制备与表征

采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、650℃以上的温度条件下热处理4h,制备出C3N4纳米单晶。X射线粉末衍射(XRD)确定出样品中主要晶相为β-C3N4,此外还有少量的α-C3N4。电子衍射、红外光谱测试结果进一步表明产物的结构为C3N4单晶。