大霍尔系数下电离气体与磁场相互作用规律数值研究

通过洛伦兹力与焦耳热耦合流场N-S方程和电势场泊松方程, 实现对低磁雷诺数磁流体流场的数值模拟, 并考虑霍尔效应和外电路对计算结果的影响. 采用无虚拟时间步的LUSGS预处理BI-CGSTAB算法解决了大霍尔系数下泊松方程病态矩阵求解问题. 对霍尔系数10$^2$的量级的高超声速磁流体圆管绕流和进气道隔离段能量沉积两种现象的数值模拟表明, 外电路、电极冷却措施、等离子体均匀度对电磁力作用效果影响很大.      

一种能克服两方程湍流模型刚性的流热一体化算法

使用流热一体化算法解决传统耦合算法难于处理的流场与固体温度场耦合计算问题.为保证其计算效率,提出一个简单有效的方法用以克服两方程湍流模型刚性.给出该方法的理论证明,并验证其配合多重网格提高LUSGS隐式时间推进法的计算效率.     

表面热透镜技术探测光学薄膜的微弱吸收

对表面热透镜技术测量光学薄膜的微弱吸收进行了理论分析,并以此建立了薄膜微弱吸收测量实验装置,对几种典型薄膜的吸收进行了测试,证实了这种方法的可行性。     

1064 nm窄带干涉滤光片激光破坏研究

干涉滤光片由于内部谐振场共振吸收特性,其激光破坏过程有别于全反膜而具有特殊的性质。本文从谐振场及湿度场理论出发,计算得出了ZnS/MgF2为主材料的滤光片的谐振场及温度场分布规律。在此规律指导下,对相同膜系结构的一系列滤光片的激光破坏阈值、吸收及破坏形貌进行了测量与分析,结合实验结果对干涉滤光片独具特色的破坏发展过程作出了描述,并给出了一定的解释。     

用表面热透镜技术测量1315nm高反射硅镜弱吸收的研究

运用表面热透镜技术精确测量了1315nm高反射硅镜的弱吸收，判断引起吸收的原因，从而为工艺上减少吸收降低损耗提供了保证。     

Structure Tuning of Line-Defect Waveguides Based on Silicon-on-Insulator Photonic Crystal Slabs

We present fabrication and experimental measurement of a series of photonic crystal waveguides. The complete devices consist of an injector taper down from 3 μm into a triangular-lattice air-hole single-line-defect waveguide with lattice constant from 410nm to 470nm and normalized radius 0.31. We fabricate these devices on a silicon- on-insulator substrate and characterize them using a t unable laser source over a wavelength range from 1510 nm to 1640nm. A sharp attenuation at photonic crystal waveguide mode edge is observed for most structures. The edge of guided band is shifted about 30nm with the 10nm increase of the lattice constant, We obtain high-efficiency light propagation and broad flat spectrum response of the photonic crystal waveguides.     

用表面热透镜技术测量1315nm高反射硅镜弱吸收的研究

 运用表面热透镜技术精确测量了1315nm高反射硅镜的弱吸收,判断引起吸收的原因,从而为工艺上减少吸收降低损耗提供了保证。     

高强度激光薄膜的研制

 为提高激光薄膜的抗激光强度,实验研究了薄膜新材料、镀膜基体的表面粗糙度和洁净度,薄膜中的杂质污染,镀膜后的热处理,以及小光斑扫描激光预处理对薄膜的损耗和抗激光强度的影响。     

Defect reduction in GaAs/Si film with InAs quantum-dot dislocation filter grown by metalorganic chemical vapor deposition

The growth of GaAs epilayers on silicon substrates with multiple layers of InAs quantum dots(QDs) as dislocation filters by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) is investigated in detail.The growth conditions of single and multiple layers of QDs used as dislocation filters in GaAs/Si epilayers are optimized.It is found that the insertion of a five-layer InAs QDs into the GaAs buffer layer effectively reduces the dislocation density of GaAs/Si film.Compared with the dislocation density of 5×10~7 cm~(-2) in the GaAs/Si sample without QDs,a density of 2×10~6 cm~(-2) is achieved in the sample with QD dislocation filters.     

Q开关Nd:YAG脉冲激光对红外滤光片的损伤效应

 介绍了由滤光片膜层结构决定的激光在光学薄膜中形成温度场及驻波场特性。用1.06μm调Q Nd:YAG激光器，在激光脉冲宽度10ns和光斑直径0.61μm的条件下，进行了激光辐照红外滤光片的损伤特性实验研究。根据脉冲激光辐照红外滤光片后样品损伤分析，发现滤光片的最初损伤发生在里面的膜层中，从而在实验上验证了计算得到的滤光片膜层中存在其温度场及驻波场的结果。它对提高红外滤光片的抗激光辐照能力研究具有一定的参考价值。