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Defect reduction in GaAs/Si film with InAs quantum-dot dislocation filter grown by metalorganic chemical vapor deposition
Authors:
Wang Jun
Hu Hai-Yang
Deng Can
He Yun-Rui
Wang Qi
Duan Xiao-Feng
Huang Yong-Qing
Ren Xiao-Min
Institution:
Institute of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications (BUPT), State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications (BUPT), Beijing 100876, China
Abstract:
Keywords:
GaAs-on-Si growth
dislocation filter
quantum dot
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