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1.
一种能克服两方程湍流模型刚性的流热一体化算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
使用流热一体化算法解决传统耦合算法难于处理的流场与固体温度场耦合计算问题.为保证其计算效率,提出一个简单有效的方法用以克服两方程湍流模型刚性.给出该方法的理论证明,并验证其配合多重网格提高LUSGS隐式时间推进法的计算效率.  相似文献   
2.
通过洛伦兹力与焦耳热耦合流场N-S方程和电势场泊松方程, 实现对低磁雷 诺数磁流体流场的数值模拟, 并考虑霍尔效应和外电路对计算结果的影响. 采用无虚拟时间 步的LUSGS预处理BI-CGSTAB算法解决了大霍尔系数下泊松方程病态矩阵求解问题. 对霍尔 系数10$^2$的量级的高超声速磁流体圆管绕流和进气道隔离段能量沉积两种现象的数值模拟表 明, 外电路、电极冷却措施、等离子体均匀度对电磁力作用效果影响很大.  相似文献   
3.
1064 nm窄带干涉滤光片激光破坏研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
胡海洋  范正修  罗福 《光学学报》2001,21(7):29-834
干涉滤光片由于内部谐振场共振吸收特性,其激光破坏过程有别于全反膜而具有特殊的性质。本文从谐振场及湿度场理论出发,计算得出了ZnS/MgF2为主材料的滤光片的谐振场及温度场分布规律。在此规律指导下,对相同膜系结构的一系列滤光片的激光破坏阈值、吸收及破坏形貌进行了测量与分析,结合实验结果对干涉滤光片独具特色的破坏发展过程作出了描述,并给出了一定的解释。  相似文献   
4.
表面热透镜技术探测光学薄膜的微弱吸收   总被引:11,自引:0,他引:11  
胡海洋  范正修  赵强 《光学学报》2001,21(2):50-154
对表面热透镜技术测量光学薄膜的微弱吸收进行了理论分析,并以此建立了薄膜微弱吸收测量实验装置,对几种典型薄膜的吸收进行了测试,证实了这种方法的可行性。  相似文献   
5.
运用表面热透镜技术精确测量了1315nm高反射硅镜的弱吸收,判断引起吸收的原因,从而为工艺上减少吸收降低损耗提供了保证。  相似文献   
6.
We present fabrication and experimental measurement of a series of photonic crystal waveguides. The complete devices consist of an injector taper down from 3 μm into a triangular-lattice air-hole single-line-defect waveguide with lattice constant from 410nm to 470nm and normalized radius 0.31. We fabricate these devices on a silicon- on-insulator substrate and characterize them using a t unable laser source over a wavelength range from 1510 nm to 1640nm. A sharp attenuation at photonic crystal waveguide mode edge is observed for most structures. The edge of guided band is shifted about 30nm with the 10nm increase of the lattice constant, We obtain high-efficiency light propagation and broad flat spectrum response of the photonic crystal waveguides.  相似文献   
7.
 运用表面热透镜技术精确测量了1315nm高反射硅镜的弱吸收,判断引起吸收的原因,从而为工艺上减少吸收降低损耗提供了保证。  相似文献   
8.
高强度激光薄膜的研制   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
 为提高激光薄膜的抗激光强度,实验研究了薄膜新材料、镀膜基体的表面粗糙度和洁净度,薄膜中的杂质污染,镀膜后的热处理,以及小光斑扫描激光预处理对薄膜的损耗和抗激光强度的影响。  相似文献   
9.
The growth of GaAs epilayers on silicon substrates with multiple layers of InAs quantum dots(QDs) as dislocation filters by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD) is investigated in detail.The growth conditions of single and multiple layers of QDs used as dislocation filters in GaAs/Si epilayers are optimized.It is found that the insertion of a five-layer InAs QDs into the GaAs buffer layer effectively reduces the dislocation density of GaAs/Si film.Compared with the dislocation density of 5×10~7 cm~(-2) in the GaAs/Si sample without QDs,a density of 2×10~6 cm~(-2) is achieved in the sample with QD dislocation filters.  相似文献   
10.
稀土镍基钙钛矿氧化物RNiO_3(R为稀土元素)可以在温度触发下发生从电子游离态到局域态的金属绝缘体转变,这一特性在传感器,数据存储,调制开关等方面具有可观的应用价值.本文通过脉冲激光沉积法,在钛酸锶(SrTiO_3)、铝酸镧(LaAlO_3)单晶衬底上准外延生长热力学亚稳态镍酸钐(SmNiO_3)薄膜材料,利用薄膜与衬底间晶格失配引入界面应力,实现对SmNiO_3电子轨道结构与金属绝缘体相变温度的调节.结合电输运性质与红外透射实验的综合表征研究,论证了双向拉伸应变引起的晶格双向拉伸畸变,可以引起SmNiO_3的禁带宽度的展宽,从而稳定绝缘体相并提高金属-绝缘相转变温度.进一步结合近边吸收同步辐射实验表征,揭示了拉伸应变稳定SmNiO_3绝缘体相的本质在于Ni—O成键轨道在双向拉伸形变作用下的弱化,使得镍氧八面体中的价电子偏离镍原子从而稳定SmNiO_3的低镍价态绝缘体相.  相似文献   
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