民营资本进行科技风险投资的多元化战略研究——以杉杉企业为例

从杉杉企业参与科技风险投资的多元化战略实例出发,揭示了民营资本进行科技风险投资的多元化战略的主要意图是顺应外部环境、企业持续发展、提高企业信誉的需要,进而发掘出民营资本投资进军科技风险投资领域的深层意识或动机,其战略思维与运作手法可供相关投资者参考．     

高温超导体中约瑟夫森涡旋流阻的振荡效应

通过数值计算耦合sine-Gordon方程组研究高温超导体中约瑟夫森涡旋的运动,得到约瑟夫森涡旋电压和流阻随平面磁场和驱动电流的变化规律.固定驱动电流,约瑟夫森涡旋电压和流阻随着磁场的增大出现周期性的振荡行为,振荡周期与每层约瑟夫森结中进入一个磁通量子相对应.分析和阐明了产生这种周期性振荡的原因. 关键词： 约瑟夫森涡旋 涡旋格子 高温超导     

铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的X射线衍射与相变分析

分析了斜方相、四方相铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的结构和X射线衍射图谱的特点. 对于铌酸钾钠基压电材料斜方相结构, 从构成晶胞的一个单斜原胞进行分析, 计算出X射线衍射谱上每个衍射角附近的衍射峰数目和相对强度. 提出了2θ在20°—60°范围内根据(1 0 2)衍射峰(52°附近)和(1 2 1)衍射峰(57°附近)劈裂的数目区分斜方和四方相的新方法. 对于多晶陶瓷粉末, 可以更简便的由22°(或45°)附近前后峰的相对高低来判断斜方、四方相. 关键词： 铌酸钾钠 无铅压电陶瓷 X射线衍射 相变     

自由活塞斯特林制冷机间隙密封技术研究

间隙密封作为自由活塞斯特林制冷机中的一项关键技术,可以在完成密封作用的同时消除接触磨损和因此而产生的污染,同时由于间隙内气体的泄漏,引起了冷量损失,使制冷量减少。文中建立了层流工况下间隙密封的数学模型,推导了密封间隙的泄漏率。针对自由活塞斯特林制冷机的结构,对三处不同位置的间隙密封分别进行分析,提出了不同位置的间隙密封设计要求。对于直线压缩机的间隙密封,压缩机间隙密封的泄漏会带来压力波损失并同时影响压缩机固有频率;为消除压缩活塞的偏置,要求周期泄漏量为零,对于膨胀机的间隙密封,除了泄漏损失还包括了穿梭损失和摩擦损失等。最后,考虑实际加工和装配工艺的局限性,对间隙密封的偏心影响进行了分析,并对自由活塞斯特林制冷机间隙密封的安装技术和检测手段提出了简单的建议。     

Nd~(3+):LiNbO_3晶体的坩埚下降法生长及光谱特性

以同成分化学组分比(Li2O:48.6mol%,Nb2O5:51.4mol%)为原料,Nd2O3为掺杂剂,应用坩埚下降法技术,生长了Nd3+初始掺杂为0.2mol%的LiNbO3晶体。测定了晶体的差热曲线、红外吸收光谱、紫外-可见吸收光谱,并与用提拉法技术生长的晶体性质进行了比较。观测到了Nd3+的特征吸收峰。在800nm的半导体激光激发下研究了晶体在1.06μm附近的荧光曲线和荧光寿命,观测到了1067,1080,1085,1093,1106nm五个分裂的4F3/2→4I11/2能级跃迁发射峰。测定了最强荧光峰(1085nm)的荧光寿命为351μs。与用提拉法技术生长的晶体相比,其荧光寿命得到了大幅度的变长,约为3.5倍。在密封条件下用坩埚下降法技术生长的晶体,由于在生长过程中隔绝了空气和水汽,所以在获得的晶体中具有低的OH-离子浓度,获得了长的荧光寿命。     

热环境中的光传输与光学校正仿真

对折射率不均匀分布的窗口中的光线传输进行了分析,利用光线追迹得到的光程差再现了光波通过窗口后的波前图。通过研究图像获取和处理方法,提出了用相位互异散斑(PDS)技术进行图像补偿和校正由大气扰动造成的波前变形。结果表明,图像的清晰度和对比度得到了提高。     

太赫兹技术在爆炸物检测中的应用

研究了太赫兹成像技术在爆炸物探测中的应用,分析了太赫兹透射型时域光谱系统的实验装置,介绍了太赫兹时域光谱的测量步骤。确定了四种爆炸物样品(TNT,RDX,DNT,HMX)在太赫兹波段的吸收谱。结果表明,这四种爆炸物样品在0~2.5THz的频率范围内均存在特征吸收峰,这为太赫兹技术检测爆炸物提供了一种有效的途径。     

n+46—50, natTi全套中子数据评价

在入射中子能量为10-5 eV—20 MeV的范围内,对n₊46—50, natTi的全套数据进行了评价。首先, 在10-5 eV— 0.3 MeV的能区, 选取了合适的共振参数来描述共振, 并且做好了平滑区与共振区的连接。同时,详细分析了20 MeV以下n+46—50, natTi的各个反应道测量截面以及出射中子双微分截面谱、 能谱的实验数据。根据对实验数据的分析并且结合理论模型的计算结果,完成了对n+46—50, natTi的全套中子数据评价。所有的评价结果都分别与实验数据、 JENDL 3.3和JEFF 3.1的评价数据进行了比较。     

ZnGa2O4长余辉发光特性的研究

以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga^3＋替代了部分Zn^2＋后相对变形八面体中Ga^3＋的^2EA→^4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0^＊后变形八面体中氧空位向其周围的O^2-的V0^＊→O^2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因：温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn^2＋空位,从而多余的的Ga^3＋出现在这些空位上,其^2EA到^4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。     

Growth of Highly Conductive n-Type Al0.7Ga0.3N Film by Using AlN Buffer with Periodical Variation of Ⅴ/Ⅲ Ratio

High quality and highly conductive n-type Al0.7Ga0.3N films are obtained by using AlN multi-step layers （MSL） with periodical variation of Ⅴ/Ⅲ ratios by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition （LP-MOCVD）. The full-width at half-maximum （FWHM） of （0002） and （1015） rocking curves of the Si-doped Al0.7Ga0.3N layer are 519 and 625 arcsec, respectively, Room temperature （RT） Hall measurement shows a free electron concentration of 2.9 × 10^19 cm^-3, and mobility of 17.8cm^2V^-1s^-1, corresponding to a resistivity of 0.0121 Ω cm. High conductivity of the Si-doped AlGaN film with such high Al mole fraction is mainly contributed by a remarkable reduction of threading dislocations （TDs） in AlGaN layer. The TD reducing mechanism in AlN MSL growth with periodical variation of Ⅴ/Ⅲ ratio is discussed in detail.